MTD10N10EL
TMOS E- FET
功率场效应晶体管
DPAK表面贴装
N沟道增强型硅
门
这种先进的TMOS E- FET的设计可承受高能量
在雪崩和减刑模式。新能源高效
设计还提供了一个漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。
在电力专为低电压，高速开关应用
用品，变换器和PWM电机控制，这些设备是
特别适合好桥梁电路中二极管的速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供额外的
安全裕度对突发电压瞬变。
特点
V
DSS
100 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
0.22
W
I
D
最大
10 A
N沟道
D
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续
- 连续@ 100℃
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
100
100
±15
±20
10
6.0
35
40
0.32
1.75
-55
150
50
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
1 2
3
G
S
标记图&引脚分配
4
门1
排水2
YWW
10N
10ELG
4
漏
DPAK
来源3
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，我
L
= 10 APK ，
L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最高温度焊接
目的， 1/8“案件从10秒
T
J
, T
英镑
E
AS
10N10EL
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
° C / W
R
θJC
R
θJA
R
θJA
T
L
3.13
100
71.4
260
°C
设备
MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
尺寸。
2.表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 第3版
出版订单号：
MTD10N10EL/D
MTD10N10EL
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其变化从零到
V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1800
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
C
RSS
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
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