摩托罗拉
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半导体技术资料
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通过MTB52N06V / D
TMOS
功率场效应晶体管
D2PAK对于表面贴装
TMOS V是设计来实现导通电阻的新技术
大约一半的标准MOSFET的那个区域的产品。这个新的
技术增加了一倍以上我们的50本细胞密度
和60伏的TMOS的设备。正如我们的TMOS E- FET设计，
TMOS V被设计成能承受高能量的雪崩和
换模式。专为低电压，高速
开关电源供应器，转换器和功率应用
电机控制，这些设备特别适合好桥梁
电路中的二极管速度和换向安全工作区域
是至关重要的，并提供对突发额外的安全边际
电压瞬变。
TMOS V的新功能
导通电阻区域产品大约有一半的标准
MOSFET的用新的低电压，低RDS（ON ）技术
更快的开关比E- FET前辈
数据表
V
MTB52N06V
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
TMOS功率场效应晶体管
52安培
60伏特
RDS （ ON）= 0.022 OHM
TM
D
G
S
CASE 418B -02 ，风格2
D2PAK
常用功能TMOS V和TMOS E-场效应管
较高的雪崩能量
IDSS和VDS （ ON）指定高温
静态参数是相同的两个TMOS V和TMOS E- FET
表面贴装封装中16毫米13英寸/ 2500单位
磁带&卷轴，加入T4后缀型号
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
栅源电压
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10 VDC ， IL = 52 APK， L = 0.3 mH的， RG = 25
)
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境（ 1 ）
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（ 1 ）表面安装到FR4电路板时使用最小建议焊盘尺寸。
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
±
20
±
25
52
41
182
188
1.25
3.0
- 55 175
406
0.8
62.5
50
260
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
° C / W
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
E- FET ，设计师，以及TMOS V是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 3
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MTB52N06V
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏源导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 26 ADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 52 ADC ）
（ VGS = 10 VDC ， ID = 26的ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ VDS = 6.3伏， ID = 20 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（参见图8）
(
（VDS = 48 Vd的ID = 52的ADC，
VDC ，
广告，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 30 V直流， ID = 52的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 10伏直流
VDC ，
RG = 9.1
)
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（ IS = 52 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 52 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
—
—
TRR
(
（ IS = 52 ADC ， VGS = 0伏，
广告，
VD，
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从接触被测螺纹的标签，模具中心）
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3 ）反映的典型值。
最大极限 - 典型值
CPK =
3× SIGMA
LD
—
—
LS
—
7.5
—
3.5
4.5
—
—
nH
nH
ta
tb
QRR
—
—
—
—
1.0
0.98
100
80
20
0.341
1.5
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
12
298
70
110
125
10
30
40
20
600
140
220
175
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
1900
580
150
2660
810
300
pF
激酶（CPK
≥
2.0) (3)
VGS （ TH）
2.0
—
激酶（CPK
≥
2.0) (3)
RDS （ ON）
—
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
17
—
—
24
1.4
1.2
—
姆欧
0.019
0.022
VDC
2.7
6.4
4.0
—
VDC
毫伏/°C的
欧姆
激酶（CPK
≥
2.0) (3)
V（ BR ） DSS
60
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
66
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
（参见图14）
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTB52N06V
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）被确定
由多快FET输入电容可以通过充电
电流从发电机。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
7000
6000
C，电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
10
5
VGS
CRSS
0
VDS
5
10
15
20
25
西塞
科斯
CRSS
西塞
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅源
驱动电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于
di / dt的是漏极电流的函数，在数学解
是复杂的。 MOSFET的输出电容也并发症
盖茨的数学。最后， MOSFET的有限
内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图9）展示了如何切换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全
操作成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
VDS = 0 V
VGS = 0 V
TJ = 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTB52N06V
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
10
8
6
4
2
Q3
0
0
20
40
VDS
60
80
100
QT间期，总费用（ NC）
120
ID = 52一
TJ = 25°C
VGS
Q1
Q2
36
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
140
1000
VDD = 30 V
ID = 52一
VGS = 10 V
TJ = 25°C
tr
tf
TD （关闭）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
T， TIME （ NS ）
100
10
TD （上）
1
1
10
RG ，栅极电阻（欧姆）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
55
50
45
I S ，源电流（安培）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.2
VGS = 0 V
TJ = 25°C
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度为25 ℃的情况下，温度（T ） 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569 ， “瞬态热阻，一般讨论
数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
器（IDM ），也不在额定电压（ VDSS ）的上限和过渡
时间（ TR ， TF ）不超过10
s.
另外，总功率
平均超过一个完整的开关周期必须不超过
（ TJ（MAX） - TC） / （r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业的做法是
率在能源方面，雪崩能量功能是不是
常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（ DM ） ，能量等级在额定指定
连续电流（ID ） ，按照行业惯例。
能量等级必须降低温度，如图
在所附的图中（图12） 。在最大能量
低于额定连续电流ID可以安全地假定
等于指定的值。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2880707522 复制
