MTB50P03HDL
首选设备
功率MOSFET
50安培， 30伏特，逻辑电平
P-通道D
2
PAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
特点
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50安培
30伏特
R
DS （ ON）
= 25毫瓦
P- CHANNEL
D
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
短散热器制造标签 - 未剪绒
特别设计的引线框的最大功率耗散
无铅包可用
G
S
4
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功耗
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
= 25 ℃，当
安装有最低建议焊盘尺寸
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，峰值
I
L
= 50 APK， L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境，安装的时候
推荐的最小焊盘尺寸
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
30
30
±15
±
20
50
31
150
125
1.0
2.5
- 55
150
1250
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
1
门
MTB50P03H
A
Y
WW
G
1
2
3
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
M
TB
50P03HG
AYWW
T
J
, T
英镑
E
AS
2
漏
3
来源
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.0
62.5
50
260
°C
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 修订版6
出版订单号：
MTB50P03HDL/D
MTB50P03HDL
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线哪些
是共用的漏极和栅极的电流路径，制作
时的电压降低了栅极驱动电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个
漏极电流的函数，在数学解决方案是
复杂的。 MOSFET的输出电容也复杂
数学。最后， MOSFET的内部有限
栅极电阻，有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难的
测，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
14000
V
DS
= 0 V
12000 C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10000
8000
C
RSS
6000
4000
2000
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
MTB50P03HDL
6
QT
5
Q1
4
3
2
1
Q3
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
70
Q
T
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 50 A
T
J
= 25°C
Q2
V
GS
25
20
15
10
5
0
80
30
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1000
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
T
J
= 25°C
t
r
t
f
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
100
t
D（上）
10
1
R
G
，栅极电阻（欧姆）
10
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
，如图
图12.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
50
I S ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
40
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
为更快（更短吨
rr
） ，有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
30
20
10
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
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5
QQ：2880707522 复制
