摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MTB15N06E / D
数据表
TMOS E- FET 。
高能电源FET
D2PAK对于表面贴装
设计师
MTB15N06E
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
该D2PAK封装具有住房更大模具的能力
比任何现有的表面贴装型封装允许其被用于
在需要使用的表面应用的安装元件
具有更高的功率和更低的RDS（on ）功能。这种先进
TMOS E- FET的设计可承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源高效
设计还提供了一个漏极 - 源极二极管具有快速恢复
时间。在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和PWM马达控制，这些
器件特别适用以及为桥电路中的二极管
速度和换向安全工作区域是至关重要的，并提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
IDSS和VDS （ ON）指定高温
短散热器制造标签 - 未剪绒
特别设计的引线框的最大功率耗散
可在24毫米13英寸/ 800单位带&卷轴，加入T4
后缀型号
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功耗
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C，安装有最低建议焊盘尺寸时，
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
（ VDD = 25伏直流电， VGS = 10 V峰值， IL = 15 APK， L = 0.98 mH的， RG = 25
)
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境，安装有建议的最小焊盘尺寸时，
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
G
S
TMOS功率场效应晶体管
15安培
RDS （ ON）= 0.12 OHM
60伏特
D
CASE 418B -02 ，风格2
D2PAK
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
±
20
15
10
40
75
0.6
2.5
- 55 150
110
1.67
62.5
50
260
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
° C / W
TJ ， TSTG
EAS
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
°C
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
E- FET和设计师的有摩托罗拉，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1994年
1
MTB15N06E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0V ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 7.5 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10 V直流）
（ID = 15 ADC）
（ID = 7.5 ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS
≥
8.0伏， ID = 7.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 15的ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 30 V直流， ID = 15的ADC ，
VGS = 10 VDC ，
RG = 9.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
内部封装电感
内部排水电感
（测量从接头到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.1 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
LD
LS
—
—
3.5
7.5
—
—
nH
nH
（IS = 15 ADC ，V GS = 0）
（ IS = 15 ADC ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
（IS = 15 ADC ，V GS = 0时，
DIS / DT = 100 A / μs）内
VSD
TRR
—
—
—
1.1
0.97
70
1.6
—
—
VDC
ns
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
70
16
40
15
3.0
8.0
6.0
16
140
32
80
35
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
500
240
60
700
340
120
pF
VGS （ TH）
2.0
—
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
4.0
—
—
6.5
2.16
1.8
—
姆欧
—
2.9
6.0
0.1
4.0
—
0.12
VDC
毫伏/°C的
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
60
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
64
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MTB15N06E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是负责控制的。
各种开关间隔的长度（ΔT）是阻止 -
由如何快速FET输入电容可充电开采
由来自发电机的电流。
已发布的电容数据是难以用于calculat-
荷兰国际集团的兴衰，因为漏 - 栅电容变化
大大随施加电压。因此，栅极电荷数据
使用。在大多数情况下，令人满意的平均输入的估计
电流（IG （AV） ）可以从一个基本的分析来作出
的驱动电路，使得
T = Q / IG （ AV ）
在上升和下降时间间隔，当切换电阻
略去负载，V GS保持几乎恒定在已知为平
高原电压， VSGP 。因此，上升和下降时间可
来近似由下面的：
TR = Q2 X RG / （ VGG - VGSP ）
TF = Q2 X RG / VGSP
哪里
VGG =栅极驱动电压，其变化从零到VGG
RG =栅极驱动电阻
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用适当val-
在一个标准方程用于从所述电容曲线的UE
电压的变化的RC网络。该方程为：
TD （ ON） = RG西塞在[ VGG / （ VGG - VGSP ）
TD （关闭） = RG西塞在（ VGG / VGSP ）
电容（西塞）从电容曲线上读出在
校准 - 当相应于关断状态的条件的电压
culating TD（上），并读出对应于所述的电压
导通状态时，计算TD（关闭）。
在高开关速度，寄生电路元件的COM
折扇的分析。 MOSFET的源极电感
铅，内包和在所述电路布线是
共用的漏极和栅极的电流路径，产生一个
电压在这减小了栅极驱动器的电流源。
该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的是一个函数
漏极电流的灰，其数学解决方案是复杂的。
MOSFET的输出电容也复杂化了
数学。最后， MOSFET的有限的内部栅极
电阻，这有效地增加了的电阻
驱动源，但内部电阻是困难来测量
确定，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与栅电阻
tance （图8 ）显示了如何转换的典型表现
受寄生电路元件。如果寄生
不存在时，曲线的斜率将保持
团结的价值，无论开关速度。该电路
用于获得数据被构造为最小化共
电感在漏极和门电路的循环，并且被认为
容易实现与电路板安装的组件。最
电力电子负载是感性的;在该图中的数据是
使用电阻性负载，它近似于一个最佳取
冷落感性负载。功率MOSFET可以安全OP-
erated成一个感性负载;然而，不压井作业减少
开关损耗。
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
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