CYStech电子股份有限公司
N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET
规格。编号: C730Q8
发行日期: 2009.07.02
修订日期:
页页次: 1/8
MTB12N03Q8
描述
BV
DSS
I
D
R
DSON (最大)
30V
12A
11.5mΩ
该MTB12N03Q8是一个N沟道增强型MOSFET ,可提供设计具有最佳
结合快速开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用
和适合于低电压应用,如DC / DC转换器。
特点
单驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
无铅引脚电镀和无卤素封装
符号
MTB12N03Q8
概要
SOP-8
销1
G:门
D:漏
S:源
MTB12N03Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
规格。编号: C730Q8
发行日期: 2009.07.02
修订日期:
页页次: 2/8
范围
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
C
=25°C
连续漏电流@ T
C
=100°C
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量@ L = 0.1mH ,我
D
= 12A ,R
G
=25Ω
重复性雪崩能量@ L = 0.05mH
T
A
=25℃
总功耗
T
A
=100℃
工作结存储温度范围
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
E
AR
P
D
TJ , TSTG
30
±20
12
10
48 *1
12
7.2
3.6 *2
3 *3
1.5
-55~+175
V
A
mJ
W
°C
100 % UIS测试的V条件
D
= 15V , L = 0.1mH ,V
G
= 10V ,我
L
= 15A ,额定V
DS
= 25V N-CH
热数据
参数
热阻,结到外壳,最大
热阻,结到环境,最大
符号
R
日,J -C
R
次,J -一
价值
25
50 *3
单位
° C / W
° C / W
注:1,脉冲宽度有限的最高结温
2.责任cycle≤1 %
3.表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫, 125 ° C / W安装在最小的铜垫时,
特性(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
符号
STATIC
BV
DSS
V
GS ( TH)
G
FS
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
动态
西塞
科斯
CRSS
MTB12N03Q8
分钟。
30
1
-
-
-
-
12
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.7
15
-
-
-
-
9.7
14.5
1060
190
145
马克斯。
-
3
-
±
100
1
25
-
11.5
18
-
-
-
单位
V
V
S
nA
μA
A
m
Ω
m
Ω
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
= 5V ,我
D
=12A
V
GS
=
±
20
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0, T
J
=125°C
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
*1
*1
*1
pF
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
CYStek产品规格