SRAM
奥斯汀半导体公司
16K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-86859
MIL -STD- 883
MT5C6405
引脚分配
（ TOP VIEW ）
24引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
特点
高速： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
备用电池： 2V的数据保留
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
28引脚LCC （ EC）
A5
NC
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45*
-55*
-70*
A6 4
A7 5
A8 6
A9 7
A10 8
A11 9
A12 10
A13 11
CE \\ 12
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
A4
A3
A2
A1
A0
DQ4
DQ3
DQ2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
C
EC
第106号
204号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用，奥斯汀的灵活性
安森美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
当我们\\造诣居高不下， CE \\和OE \\去
低。该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，
所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些设置为35ns的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C6405
2.1版06/05
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C6405
A
A
A
A
A
A
A
A
A
D
行解码器
I / O控制
Q
1,048,576-BIT
存储阵列
CE \\
（ LSB ）
OE \\
列解码器
（ LSB ）
动力
下
WE \\
A A A A A A A A A A
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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2
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奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电压对任何输入或DQ相对于Vss ....- 0.5V至+ 7.0V
1
储存温度... ...................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ................. 1W
最高结温............................................... ... + 175℃
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
短路输出电流........................................... 20毫安
1引用到Vss所有电压。
MT5C6405
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
Vcc+0.5V
0.8
10
10
单位备注
V
V
A
A
V
1
1
1
1, 2
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
输出禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
0.4
最大
-20
110
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
输出开路
CE \\ > V
IH
; V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > （V
CC
-0.2); V
CC
=最大
所有其它输入< 0.2V
或> （V
CC
- 0.2V ） ， F = 0赫兹
符号
I
cc
-12
140
-15
125
-25
100
-35
90
单位备注
mA
3
I
SBT1
50
45
40
35
30
mA
I
SBC2
25
25
25
25
25
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
VCC = 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
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3
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MT5C6405
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-12
-15
-20
-25
-35
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
12
12
2
2
7
0
12
6
0
6
12
10
10
0
0
10
7
0
2
0
15
12
12
0
0
12
8
0
2
0
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
2
0
0
15
7
0
8
25
20
20
0
0
20
12
0
2
0
2
2
8
0
20
8
0
10
35
25
25
0
0
25
15
0
2
0
15
15
15
2
2
10
0
25
10
8
15
20
20
20
2
2
12
0
35
15
25
25
25
2
2
15
35
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
6
7
8
10
15
7
6, 7
MT5C6405
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+5V
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C6405
+5V
480
480
Q
255
5 pF的
Q
255
30pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为
图。 2.过渡的测量± 200mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12. CE2的定时是一样的CE1 \\定时。波形
被反转。
7.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
I
CCDR
1
mA
条件
符号
V
DR
民
2
最大
---
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
---
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
CE \\
MT5C6405
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
V
IH
V
IL
V
DR
4216
3326
32
87
421154321
332154321
87
421154321
321154321
87
4876
3326
987654321
4321
4321
321
987654321
987654321
4321
321
321
987654321
不在乎
未定义
QQ：2880707522 复制
