SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-89524
MIL -STD- 883
MT5C2565
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速：12， 15，20， 25 ，35，和为45nS
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
1 0
A9
1 1
CE \\
1 2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写这些设备是有成就的，当写使能
（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。读完成
当我们\\居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗
要求。
为“L”版本提供一个近似50％的
减少的CMOS待机电流（I
SBC2
）在标准
版本。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
No.108
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C2565
A12 A11
A11 A10
A8
A3
A2
A1
A0
A8
A3
A2
A1
A0
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A10 A12
行解码器
DQ4
DQ1
（ LSB ）
（ LCC）的
列解码器
（ LSB ）
OE \\
WE \\
动力
下
CE \\
A7
A6
A5
A4
A9
A15
A14
A13
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2565
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
120
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ = 2.4V ， OE \\ = 2.4V ，
V
CC
= MAX中，f = 0赫
CE \\ > V
CC
-0.3V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
160
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
40
40
20
20
20
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
10
20
10
10
10
10
10
10
10
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2565
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
8
0
9
15
10
10
0
0
10
9
0
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
0
10
0
9
25
20
20
0
0
20
15
0
0
15
3
3
10
10
0
15
35
25
25
0
0
25
20
0
0
15
20
20
20
3
3
15
15
0
20
45
30
30
0
0
30
20
0
0
20
25
25
25
3
3
15
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
35
3
3
20
30
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
6, 7
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
+5V
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2565
+5V
480
480
Q
255
5 pF的
Q
255
30pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为
图。 2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
1.
2.
3.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
7.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
*为-25慢了
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
最大
---
1
单位
V
mA
ns
ns
笔记
*
4
4, 11
0
t
RC
---
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-89524
MIL -STD- 883
MT5C2565
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速：12， 15，20， 25 ，35，和为45nS
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
1 0
A9
1 1
CE \\
1 2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写这些设备是有成就的，当写使能
（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。读完成
当我们\\居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗
要求。
为“L”版本提供一个近似50％的
减少的CMOS待机电流（I
SBC2
）在标准
版本。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
No.108
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C2565
A12 A11
A11 A10
A8
A3
A2
A1
A0
A8
A3
A2
A1
A0
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A10 A12
行解码器
DQ4
DQ1
（ LSB ）
（ LCC）的
列解码器
（ LSB ）
OE \\
WE \\
动力
下
CE \\
A7
A6
A5
A4
A9
A15
A14
A13
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C2565
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
120
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ = 2.4V ， OE \\ = 2.4V ，
V
CC
= MAX中，f = 0赫
CE \\ > V
CC
-0.3V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
160
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
40
40
20
20
20
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
10
20
10
10
10
10
10
10
10
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2565
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
8
0
9
15
10
10
0
0
10
9
0
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
0
10
0
9
25
20
20
0
0
20
15
0
0
15
3
3
10
10
0
15
35
25
25
0
0
25
20
0
0
15
20
20
20
3
3
15
15
0
20
45
30
30
0
0
30
20
0
0
20
25
25
25
3
3
15
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
35
3
3
20
30
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
6, 7
MT5C2565
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
+5V
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2565
+5V
480
480
Q
255
5 pF的
Q
255
30pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为
图。 2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
1.
2.
3.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
7.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
*为-25慢了
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
最大
---
1
单位
V
mA
ns
ns
笔记
*
4
4, 11
0
t
RC
---
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
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5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
64K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-89524
MIL -STD- 883
MT5C2565
引脚分配
（ TOP VIEW ）
特点
高速：12， 15，20， 25 ，35，和为45nS
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
符合CE易扩展内存\\
所有输入和输出为TTL兼容
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
A1
A0
NC
VCC
NC
3 2 1 28 27
A2
4
A3
5
A4
6
A5
7
A6
8
A7
9
A8
1 0
A9
1 1
CE \\
1 2
13 14 15 16 17
DQ1
WE \\
NC
VSS
OE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
28引脚LCC （ EC）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
DQ4
DQ3
DQ2
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
记号
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。奥斯汀半导体SRAM是捏造
采用双层金属，双层多晶硅
技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写这些设备是有成就的，当写使能
（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。读完成
当我们\\居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该
器件提供低功率待机模式时禁用。
这使得系统设计，实现超低待机功耗
要求。
为“L”版本提供一个近似50％的
减少的CMOS待机电流（I
SBC2
）在标准
版本。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
No.108
204号
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的为45nS的电气特性
接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
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1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C2565
A12 A11
A11 A10
A8
A3
A2
A1
A0
A8
A3
A2
A1
A0
262,144-BIT
存储阵列
I / O控制
A10 A12
行解码器
DQ4
DQ1
（ LSB ）
（ LCC）的
列解码器
（ LSB ）
OE \\
WE \\
动力
下
CE \\
A7
A6
A5
A4
A9
A15
A14
A13
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss ..................................- 0.5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss .............................- 0.5V至+ 7V电压
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 50毫安
引线温度（焊接10秒） .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
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*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
1
1
0.4
最大
-25
120
V
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ = 2.4V ， OE \\ = 2.4V ，
V
CC
= MAX中，f = 0赫
CE \\ > V
CC
-0.3V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
符号
I
cc
-15
160
-20
150
-35
120
-45
120
单位备注
mA
3
I
SBT2
40
40
20
20
20
mA
I
SBC2
I
SBC2
20
10
20
10
10
10
10
10
10
10
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
符号
C
I
C
O
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
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SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C2565
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
15
15
3
3
8
8
0
9
15
10
10
0
0
10
9
0
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
0
10
0
9
25
20
20
0
0
20
15
0
0
15
3
3
10
10
0
15
35
25
25
0
0
25
20
0
0
15
20
20
20
3
3
15
15
0
20
45
30
30
0
0
30
20
0
0
20
25
25
25
3
3
15
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
35
3
3
20
30
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
4
4
7
6, 7
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+5V
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C2565
+5V
480
480
Q
255
5 pF的
Q
255
30pF
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为
图。 2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
1.
2.
3.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能在举行
它的活动状态。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
7.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
VCC为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
*为-25慢了
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
最大
---
1
单位
V
mA
ns
ns
笔记
*
4
4, 11
0
t
RC
---
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C2565
修订版1.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
2165
43
87
4365
21214321
87
23214321
87
41214321
21214321
4365
8765
87654321
4321
3 1
87654321
4321
4321
321
321
87654321
4321
321
2
87654321
不在乎
未定义
QQ：2881677436 复制
