SRAM
奥斯汀半导体公司
256K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
MIL-STD-883
MT5C1005
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚DIP （C ）
（ 400 MIL ）
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ DCJ ）
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
特点
高速：20， 25 ，35，和45
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有输入和输出为TTL兼容
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
32引脚扁平封装（F ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ ECW ）
A9
A8
A7
NC
VCC
A6
A5
4 3 2 1 31 32 30
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A2
A4
A3
A1
A0
NC
NC
NC
DQ4
选项
时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
14 15 16 17 18 19 20
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
VSS
OE \\
NC
包（ S）
陶瓷DIP （ 400密耳）
C
陶瓷LCC四
（联系工厂）
ECW
陶瓷LCC
EC
陶瓷扁平
F
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
第109号
206号
207号
303号
501号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计，采用双捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用， ASI灵活性
提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能（ WE \\）和CE \\输入都
低。阅读时，我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C1005
第3.1版1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C1005
A
A
A
行解码器
A
A
A
A
A
A
A
DQ4
262,144 ×4 - BIT
存储阵列
I / O控制
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
A
A
A
A
A
A
A
A
动力
下
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
MT5C1005
第3.1版1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围（ VCC） ................................- 。 5V至+ 7.0V
储存温度......................................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ................- 。 5V至Vcc + 1.5V左右的电压
最高结温............................................ + 175 °
引线温度（焊接10秒） .................. + 260
o
C
功耗................................................ ............... 1 W
MT5C1005
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
WE \\ CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹*
符号
I
cc
-20
180
最大
-25
-35
180
180
-45
180
单位备注
mA
3
I
SBT2
25
25
25
25
mA
I
SBC
16
16
16
16
mA
*唯一的“ L”版本。
电容
参数
输入电容
输出电容（ DQ1 - DQ4 ）
条件
V
IN
= 0V,
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
V
CC
= 5V
C
O
14
pF
4
符号
C
I
最大
12
单位
pF
笔记
4
MT5C1005
第3.1版1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C1005
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
20
20
20
3
3
10
0
20
8
0
8
20
15
15
0
0
15
12
0
3
0
25
20
20
0
0
20
15
0
3
0
0
10
35
30
30
0
0
30
20
0
3
0
0
25
10
0
20
45
35
35
0
0
35
25
0
3
0
3
3
12
0
35
20
0
25
25
25
25
3
3
20
0
45
25
35
35
35
3
3
25
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4
4
4, 6, 7
4, 6, 7
8
10
15
20
4, 6, 7
4, 6, 7
MT5C1005
第3.1版1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
MT5C1005
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6.最小的5pF的吨
EHQZ
, t
OHQZ
, t
ELQX
, t
OLQX
,
和T
WHQX
.
1.
2.
3.
7.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE和
t
HZOE小于
t
LZOE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
-0.2V)
和
V
IN
> （V
CC
-0.2V)
或< 0.2V
条件
符号
V
DR
民
2
最大
单位备注
V
数据保持电流
V
CC
= 2V
I
CCDR
5
mA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
t
CDR
t
R
0
t
RC
--
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
MT5C1005
第3.1版1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
256K ×4的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
MIL-STD-883
MT5C1005
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚DIP （C ）
（ 400 MIL ）
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ DCJ ）
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
特点
高速：20， 25 ，35，和45
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有输入和输出为TTL兼容
A7
A8
A9
A12
A10
A11
A13
NC
A14
A15
A16
A17
NC
CE \\
OE \\
VSS
32引脚扁平封装（F ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A6
A5
A2
A4
A3
A1
NC
NC
A0
NC
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
32引脚LCC （ ECW ）
A9
A8
A7
NC
VCC
A6
A5
选项
时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
4 3 2 1 31 32 30
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
CE \\
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A2
A4
A3
A1
A0
NC
NC
NC
DQ4
14 15 16 17 18 19 20
DQ3
DQ2
DQ1
WE \\
VSS
OE \\
NC
包（ S）
陶瓷DIP （ 400密耳）
C
陶瓷LCC四
（联系工厂）
ECW
陶瓷LCC
EC
陶瓷扁平
F
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
第109号
206号
207号
303号
501号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计，采用双捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用， ASI灵活性
提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能（ WE \\）和CE \\输入都
低。阅读时，我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
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www.austinsemiconductor.com
MT5C1005
3.2修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
GND
MT5C1005
A
A
A
行解码器
A
A
A
A
A
A
A
DQ4
262,144 ×4 - BIT
存储阵列
I / O控制
DQ1
CE \\
列解码器
OE \\
WE \\
A
A
A
A
A
A
A
A
动力
下
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
MT5C1005
3.2修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电源电压范围（ VCC） ................................- 。 5V至+ 7.0V
储存温度......................................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ................- 。 5V至Vcc + 1.5V左右的电压
最高结温............................................ + 175 °
引线温度（焊接10秒） .................. + 260
o
C
功耗................................................ ............... 1 W
MT5C1005
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1
参数
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
WE \\ CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
＆ LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹*
符号
I
cc
-20
180
最大
-25
-35
180
180
-45
180
单位备注
mA
3
I
SBT2
25
25
25
25
mA
I
SBC
16
16
16
16
mA
*唯一的“ L”版本。
电容
参数
输入电容
输出电容（ DQ1 - DQ4 ）
条件
V
IN
= 0V,
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
V
CC
= 5V
C
O
14
pF
4
符号
C
I
最大
12
单位
pF
笔记
4
MT5C1005
3.2修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C1005
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
20
20
20
3
3
10
0
20
8
0
8
20
15
15
0
0
15
12
0
3
0
25
20
20
0
0
20
15
0
3
0
0
10
35
30
30
0
0
30
20
0
3
0
0
25
10
0
20
45
35
35
0
0
35
25
0
3
0
3
3
12
0
35
20
0
25
25
25
25
3
3
20
0
45
25
35
35
35
3
3
25
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4
4
4, 6, 7
4, 6, 7
8
10
15
20
4, 6, 7
4, 6, 7
MT5C1005
3.2修订版06/05
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
MT5C1005
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6.最小的5pF的吨
EHQZ
, t
OHQZ
, t
ELQX
, t
OLQX
,
和T
WHQX
.
7.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE和
t
HZOE小于
t
LZOE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
-0.2V)
和
V
IN
> （V
CC
-0.2V)
或< 0.2V
条件
符号
V
DR
民
2
最大
单位备注
V
数据保持电流
V
CC
= 2V
I
CCDR
5
mA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
t
CDR
t
R
0
t
RC
--
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
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5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
QQ：2880707522 复制
