【8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36PIPELINED ， SCD SYNCB】,IC型号MT58L256V36P,MT58L256V36P PDF资料,MT58L256V36P经销商,ic,电子元器件-51电子网

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

8MB SYNCBURST

SRAM

特点

快速时钟和OE ＃访问时间

单+ 3.3V + 0.3V / -0.165V电源（V

DD

)

独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲器

电源（V

DD

Q)

在间歇模式来减少功耗待机

单周期取消选择（奔腾

BSRAM兼容）

常见的数据输入和数据输出

单个字节写入控制和全球

写

三个芯片使简单的深度扩张

和地址流水线

时钟控制和注册地址，数据

I / O和控制信号

内部自定时写周期

突发控制（交错或线性突发）

用于便携式应用的自动断电

100引脚TQFP封装

165引脚FBGA封装

低电容总线负载

可用的X18 ， X32 ， X36和版本

MT58L512L18P ， MT58L256L32P ， MT58L256L36P ;

MT58L512V18P ， MT58L256V32P ， MT58L256V36P

3.3V V

DD

， 3.3V或2.5V的I / O ，流水线，单周期

DESELECT

100引脚TQFP

1

165引脚FBGA

选项

时序（通道/循环/兆赫）

为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的

4.0ns / 7.5ns / 133 MHz的

为5ns / 10ns的/ 100 MHz的

配置

3.3V的I / O

512K ×18

256K ×32

256K ×36

2.5V的I / O

512K ×18

256K ×32

256K ×36

包

100引脚TQFP （ 2芯片使能）

100引脚TQFP （ 3芯片使能）

165针， 13毫米X 15毫米FBGA

工作温度范围

商用（0 ° C至+ 70 ° C）

工业级（-40° C至+ 85°C ） **

产品编号举例：

记号

-6

-7.5

-10

MT58L512L18P

MT58L256L32P

MT58L256L36P

MT58L512V18P

MT58L256V32P

MT58L256V36P

T

S

F*

无

IT

注意：

1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ）。

*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现

网站-HTTP ： //www.micron.com/support/index.html 。

**工业温度范围提供特定速度等级和

配置。有关更多信息，请联系工厂。

概述

美光

SyncBurst

SRAM家庭使用

高速，低功耗的CMOS设计，是fabri-

cated用先进的CMOS工艺。

美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM集成了512K X

18 ， 256K ×32或256K ×36的SRAM核心，先进的

同步外围电路和一个2位的脉冲串

计数器。所有同步输入通过寄存器

由一个正边沿触发的单时钟控制IN-

把（ CLK ）。同步输入包括AD-所有

礼服，所有的数据输入，低电平有效芯片使能（ CE ＃），

两个额外的芯片能够轻松纵深拓展

（ CE2 ， CE2 ＃），突发控制输入（ ADSC ＃， ADSP ＃，

ADV ＃），字节写使能（ BWX ＃）和全局写

MT58L512L18PT-6

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

1

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

功能框图

512K ×18

19

SA0 ， SA1 ，SAS

模式

ADV ＃

CLK

地址

注册

19

17

19

2

SA0-SA1

SA1'

二季度

计数器

逻辑

CLR

Q0

SA0'

ADSC ＃

ADSP ＃

BYTE “B”

写注册

BYTE “B”

写入驱动器

9

512K ×9× 2

内存

ARRAY

9

18

SENSE

安培

18

BWB ＃

产量

18

注册

产量

缓冲器

18

BWA ＃

BWE ＃

GW ＃

CE＃

CE2

CE2#

OE ＃

BYTE “一”

写注册

BYTE “一”

写入驱动器

E

的DQ

DQPa

DQPb

启用

注册

18

流水线

启用

2

输入

注册

功能框图

256K X 32/36

18

SA0 ， SA1 ，SAS

地址

注册

18

16

SA0-SA1

18

模式

ADV ＃

CLK

Q1

SA1'

二进制

计数器

SA0'

CLR

Q0

ADSC ＃

ADSP ＃

BWD ＃

BYTE “D”

写注册

BYTE “C”

写注册

9

BWC ＃

字节

“c”

写入驱动器

字节

“b”

写入驱动器

字节

“a”

写入驱动器

9

256K ×8× 4

(x32)

256K ×9× 4

(x36)

36

SENSE

安培

36

产量

寄存器36

BWB ＃

BYTE “B”

写注册

9

内存

ARRAY

产量

缓冲器

E

36

的DQ

DQPa

DQPb

DQPc

DQPd

BWA ＃

BWE ＃

GW ＃

CE＃

CE2

CE2#

OE ＃

BYTE “一”

写注册

9

输入

注册

启用

注册

36

流水线

启用

4

注意：

功能方框图说明了简化设备操作。见真值表，引脚说明和时序图

了解详细信息。

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

2

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

一般说明（续）

（ GW ＃）。需要注意的是CE2 ＃不可用的

T版。

异步输入包括输出使能

（ OE＃），时钟（CLK）和打盹启用（ ZZ）。也有

突发模式输入（ MODE）的接口之间进行选择

叶和线性突发模式。数据输出（ Q），恩

通过OE ＃体健，也是异步的。写周期可以

是从一到两个字节宽（ ×18 ），或一至四个

字节宽（的X32 / X36 ），由写控制的控制

输入。

突发的操作可以与任一地址启动

状态处理器（ ADSP ＃）或地址状态控制器

（ ADSC ＃）输入。随后的脉冲串地址可以

内部产生由脉冲串预先作为控制

输入（ ADV ＃）。

地址和写控制记录片上，以

简化写周期。这使得自定时写

周期。单个字节使能允许单个字节

被写入。在X18设备上的写周期，

BWA ＃控制DQA引脚和DQPa ; BWB ＃控制

DQB引脚和DQPb 。在对X32写周期

与X36设备， BWA ＃控制DQA引脚和DQPa ;

BWB ＃ DQB控制引脚和DQPb ; BWC ＃控制

DQC引脚和DQPc ; BWD ＃ DQD控制引脚，

DQPd 。 GW ＃低导致被写入所有字节。平价

位只适用于X18和X36的版本。

该器件集成了一个单周期取消为特色的

在读周期TURE 。如果该设备是立即

一个读周期后取消选择，输出总线都到了

高阻态

t

后上升沿KQHZ纳秒

的时钟。

美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM从操作

+3.3V V

DD

电源，并且所有的输入和输出是

TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V

I / O版本。该器件非常适用于奔腾

和PowerPC流水线的苯并系统和系统

EFIT从一个很宽的，高速数据总线。该装置

也适合于通用的16位， 18- ， 32-， 36- ， 64- ，和72比特

广泛的应用。

请参考美光公司的网站（ www.micron.com/

sramds ）

最新的数据表。

TQFP引脚配置

本数据手册的撰写本文时，有

2引脚的行业。美光将支持

引脚用于这部分。

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

3

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

TQFP引脚分配表

针＃

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

x32/x36

NF / DQPc *

DQC

V

DD

Q

V

SS

NC

DQC

NC

DQC

DQB

DQC

DQB

DQC

V

SS

V

DD

Q

DQB

DQC

DQB

DQC

V

DD

V

DD

NC

V

SS

DQB

DQD

DQB

DQD

V

DD

Q

V

SS

DQB

DQD

DQB

DQD

DQPb

DQD

NC

DQD

x18

NC

针＃

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

x18

x32/x36

V

SS

V

DD

Q

DQD

NF / DQPd *

模式

SA

SA1

SA0

DNU

V

SS

V

DD

NF

NF （T版）

SA

（S版）

SA

NC

针＃

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

x32/x36

NF / DQPa *

DQA

V

DD

Q

V

SS

NC

DQA

NC

DQA

V

SS

V

DD

Q

DQA

ZZ

V

DD

NC

V

SS

DQA

DQB

DQA

DQB

V

DD

Q

V

SS

DQA

DQB

DQA

DQB

DQPa

DQB

NC

DQB

x18

NC

针＃

76

77

78

79

80

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

x18

x32/x36

V

SS

V

DD

Q

DQB

NF / DQPb *

SA

ADV ＃

ADSP ＃

ADSC ＃

OE ＃

BWE ＃

GW ＃

CLK

V

SS

V

DD

SA

（T版）

CE2 ＃（S版）

BWA ＃

BWB ＃

NC

BWC ＃

NC

BWD ＃

CE2

CE＃

SA

NC

SA

*无功能（ NF ）上使用X32的版本。奇偶校验（ DQPx ）用于在对x36版本。

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

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4

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

引脚配置（顶视图）

100引脚TQFP ， 2芯片使能

T版

SA

NC

V

DD

Q

V

SS

NC

DQPa

DQA

V

SS

V

DD

Q

DQA

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQA

V

DD

Q

V

SS

DQA

NC

V

SS

V

DD

Q

NC

SA

ADV ＃

ADSP ＃

ADSC ＃

OE ＃

BWE ＃

GW ＃

CLK

V

SS

V

DD

SA

BWA ＃

BWB ＃

NC

CE2

CE＃

SA

80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51

50

81

49

82

48

83

47

84

46

85

45

86

44

87

43

88

42

89

41

90

40

91

39

92

38

93

37

94

36

95

35

96

34

97

33

98

32

99

31

100

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

x18

SA

NF

V

DD

V

SS

DNU

SA0

SA1

SA

模式

SA

ADV ＃

ADSP ＃

ADSC ＃

OE ＃

BWE ＃

GW ＃

CLK

V

SS

V

DD

SA

BWA ＃

BWB ＃

BWC ＃

BWD ＃

CE2

CE＃

SA

80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51

50

81

49

82

48

83

47

84

46

85

45

86

44

87

43

88

42

89

41

90

40

91

39

92

38

93

37

94

36

95

35

96

34

97

33

98

32

99

31

100

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

NF / DQPb *

DQB

V

DD

Q

V

SS

DQB

V

SS

V

DD

Q

DQB

V

SS

NC

V

DD

ZZ

DQA

V

DD

Q

V

SS

DQA

V

SS

V

DD

Q

DQA

NF / DQPa *

NC

V

DD

Q

V

SS

NC

DQB

V

SS

V

DD

Q

DQB

V

DD

V

DD

NC

V

SS

DQB

V

DD

Q

V

SS

DQB

DQPb

NC

V

SS

V

DD

Q

NC

x32/x36

SA

NF

V

DD

V

SS

DNU

SA0

SA1

SA

模式

*无功能（ NF ）上使用X32的版本。奇偶校验（ DQPx ）用于在对x36版本。

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

NF / DQPc *

DQC

V

DD

Q

V

SS

DQC

V

SS

V

DD

Q

DQC

V

DD

V

DD

NC

V

SS

DQD

V

DD

Q

V

SS

DQD

V

SS

V

DD

Q

DQD

NF / DQPd *

5

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

8MB SYNCBURST

SRAM

特点

快速时钟和OE ＃访问时间

单+ 3.3V + 0.3V / -0.165V电源（V

DD

)

独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲器

电源（V

DD

Q)

在间歇模式来减少功耗待机

单周期取消选择（奔腾

BSRAM兼容）

常见的数据输入和数据输出

单个字节写入控制和全球

写

三个芯片使简单的深度扩张

和地址流水线

时钟控制和注册地址，数据

I / O和控制信号

内部自定时写周期

突发控制（交错或线性突发）

用于便携式应用的自动断电

100引脚TQFP封装

165引脚FBGA封装

低电容总线负载

可用的X18 ， X32 ， X36和版本

MT58L512L18P ， MT58L256L32P ， MT58L256L36P ;

MT58L512V18P ， MT58L256V32P ， MT58L256V36P

3.3V V

DD

， 3.3V或2.5V的I / O ，流水线，单周期

DESELECT

100引脚TQFP

1

165引脚FBGA

选项

时序（通道/循环/兆赫）

为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的

4.0ns / 7.5ns / 133 MHz的

为5ns / 10ns的/ 100 MHz的

配置

3.3V的I / O

512K ×18

256K ×32

256K ×36

2.5V的I / O

512K ×18

256K ×32

256K ×36

包

100引脚TQFP （ 2芯片使能）

100引脚TQFP （ 3芯片使能）

165针， 13毫米X 15毫米FBGA

工作温度范围

商用（0 ° C至+ 70 ° C）

工业级（-40° C至+ 85°C ） **

产品编号举例：

记号

-6

-7.5

-10

MT58L512L18P

MT58L256L32P

MT58L256L36P

MT58L512V18P

MT58L256V32P

MT58L256V36P

T

S

F*

无

IT

注意：

1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ）。

*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现

网站-HTTP ： //www.micron.com/support/index.html 。

**工业温度范围提供特定速度等级和

配置。有关更多信息，请联系工厂。

概述

美光

SyncBurst

SRAM家庭使用

高速，低功耗的CMOS设计，是fabri-

cated用先进的CMOS工艺。

美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM集成了512K X

18 ， 256K ×32或256K ×36的SRAM核心，先进的

同步外围电路和一个2位的脉冲串

计数器。所有同步输入通过寄存器

由一个正边沿触发的单时钟控制IN-

把（ CLK ）。同步输入包括AD-所有

礼服，所有的数据输入，低电平有效芯片使能（ CE ＃），

两个额外的芯片能够轻松纵深拓展

（ CE2 ， CE2 ＃），突发控制输入（ ADSC ＃， ADSP ＃，

ADV ＃），字节写使能（ BWX ＃）和全局写

MT58L512L18PT-6

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

1

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

功能框图

512K ×18

19

SA0 ， SA1 ，SAS

模式

ADV ＃

CLK

地址

注册

19

17

19

2

SA0-SA1

SA1'

二季度

计数器

逻辑

CLR

Q0

SA0'

ADSC ＃

ADSP ＃

BYTE “B”

写注册

BYTE “B”

写入驱动器

9

512K ×9× 2

内存

ARRAY

9

18

SENSE

安培

18

BWB ＃

产量

18

注册

产量

缓冲器

18

BWA ＃

BWE ＃

GW ＃

CE＃

CE2

CE2#

OE ＃

BYTE “一”

写注册

BYTE “一”

写入驱动器

E

的DQ

DQPa

DQPb

启用

注册

18

流水线

启用

2

输入

注册

功能框图

256K X 32/36

18

SA0 ， SA1 ，SAS

地址

注册

18

16

SA0-SA1

18

模式

ADV ＃

CLK

Q1

SA1'

二进制

计数器

SA0'

CLR

Q0

ADSC ＃

ADSP ＃

BWD ＃

BYTE “D”

写注册

BYTE “C”

写注册

9

BWC ＃

字节

“c”

写入驱动器

字节

“b”

写入驱动器

字节

“a”

写入驱动器

9

256K ×8× 4

(x32)

256K ×9× 4

(x36)

36

SENSE

安培

36

产量

寄存器36

BWB ＃

BYTE “B”

写注册

9

内存

ARRAY

产量

缓冲器

E

36

的DQ

DQPa

DQPb

DQPc

DQPd

BWA ＃

BWE ＃

GW ＃

CE＃

CE2

CE2#

OE ＃

BYTE “一”

写注册

9

输入

注册

启用

注册

36

流水线

启用

4

注意：

功能方框图说明了简化设备操作。见真值表，引脚说明和时序图

了解详细信息。

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02

2

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36

PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM

一般说明（续）

（ GW ＃）。需要注意的是CE2 ＃不可用的

T版。

异步输入包括输出使能

（ OE＃），时钟（CLK）和打盹启用（ ZZ）。也有

突发模式输入（ MODE）的接口之间进行选择

叶和线性突发模式。数据输出（ Q），恩

通过OE ＃体健，也是异步的。写周期可以

是从一到两个字节宽（ ×18 ），或一至四个

字节宽（的X32 / X36 ），由写控制的控制

输入。

突发的操作可以与任一地址启动

状态处理器（ ADSP ＃）或地址状态控制器

（ ADSC ＃）输入。随后的脉冲串地址可以

内部产生由脉冲串预先作为控制

输入（ ADV ＃）。

地址和写控制记录片上，以

简化写周期。这使得自定时写

周期。单个字节使能允许单个字节

被写入。在X18设备上的写周期，

BWA ＃控制DQA引脚和DQPa ; BWB ＃控制

DQB引脚和DQPb 。在对X32写周期

与X36设备， BWA ＃控制DQA引脚和DQPa ;

BWB ＃ DQB控制引脚和DQPb ; BWC ＃控制

DQC引脚和DQPc ; BWD ＃ DQD控制引脚，

DQPd 。 GW ＃低导致被写入所有字节。平价

位只适用于X18和X36的版本。

该器件集成了一个单周期取消为特色的

在读周期TURE 。如果该设备是立即

一个读周期后取消选择，输出总线都到了

高阻态

t

后上升沿KQHZ纳秒

的时钟。

美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM从操作

+3.3V V

DD

电源，并且所有的输入和输出是

TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V

I / O版本。该器件非常适用于奔腾

和PowerPC流水线的苯并系统和系统

EFIT从一个很宽的，高速数据总线。该装置

也适合于通用的16位， 18- ， 32-， 36- ， 64- ，和72比特

广泛的应用。

请参考美光公司的网站（ www.micron.com/

sramds ）