8 MEG ×8
FPM DRAM
DRAM
特点
单+ 3.3V ± 0.3V电源
工业标准引脚排列X8 ，时间，功能，
和包
13行， 10列地址（ E1 ）或
12行， 11列地址（ B6 ）
高性能CMOS硅栅工艺
所有输入，输出和时钟LVTTL-
兼容
快速页模式（ FPM ）访问
4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
MT4LC8M8E1 ， MT4LC8M8B6
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micron.com/products/datasheets/dramds.html
引脚配置（顶视图）
32引脚SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
NC
V
CC
WE＃
RAS ＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
32针TSOP
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
NC
V
CC
WE＃
RAS ＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
CAS ＃
OE ＃
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
选项
刷新寻址
4096 （ 4K ）行
8,192 （ 8K ）行
塑料封装
32引脚SOJ （ 400万）
32针TSOP （ 400万）
时机
为50ns存取
60ns的访问
刷新率
标准的刷新（ 64ms的周期）
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
B6
E1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
CAS ＃
OE ＃
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
** A12在E1版， NC在B6版
DJ
TG
8 MEG ×8 FPM DRAM型号一览
产品型号
刷新
地址
8K
8K
8K
8K
4K
4K
4K
4K
包刷新
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
-5
-6
无
S*
注意：
1. 8梅格×8 FPM DRAM基数
与众不同的产品在一个地方 -
MT4LC8M8E1 。第五个字段能够区分
各种选项： E1指定一个8K刷新和
B6指定一个4K刷新FPM DRAM的。
2. ＃符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂的可用性
产品编号举例：
MT4LC8M8E1DJ-x
MT4LC8M8E1DJ -个S
MT4LC8M8E1TG-x
MT4LC8M8E1TG -个S
MT4LC8M8B6DJ-x
MT4LC8M8B6DJ -个S
MT4LC8M8B6TG-x
MT4LC8M8B6TG -个S
X =速度
概述
8梅格×8的DRAM的高速CMOS ，镝
含动力学随机存取存储器设备
组织在X8的配置67,108,864位。该
梅格8 ×8的DRAM在功能组织为8,388,608
位置包含每个8位。该8,388,608
存储位置是由1024排列成行8,192
列的MT4LC8M8E1或4096行× 2048
列的MT4LC8M8B6 。在读或写操作
周期，每个位置是唯一通过寻址
地址位。首先，行地址被锁存在
MT4LC8M8E1DJ-5
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8梅格×8 FPM DRAM
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1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2000年，美光科技公司
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一般说明（续）
RAS＃信号，然后通过CAS＃列地址。两
器件提供FAST- PAGE模式操作，从而允许
荷兰国际集团的快速连续的数据操作（读，写，
或读 - 修改 - 写）给定的行内。
该MT4LC8M8E1和MT4LC8M8B6必须重新
为了保持所存储的数据周期性地被刷新。
在MT4LC8M8B6刷新一行，每CBR
周期。因此，无论使用哪种设备，执行4096 CBR循环
涵盖的所有行。在CBR刷新周期将调用
自动RAS ＃寻址内部的刷新计数器
ING 。另外， RAS ＃ - 只有REFRESH能力
本质上提供的。然而，利用这种方法只
一排被刷新一次;所以对于MT4LC8M8E1 ，
8,192 RAS ＃ - 只有更新周期必须执行
每64ms的覆盖所有行。一些兼容性问题
会变得明显。 JEDEC强烈推荐
采用CBR刷新此设备。
一个可选的自刷新模式也可在
“S”版本。自刷新功能在启动
执行CBR刷新周期并持有RAS ＃
低为指定
t
RASS 。在“S ”选项允许
128毫秒的延长更新周期，即每31.25μs
行了4K刷新和15.625μs每行一个8K
采用分布式CBR刷新时刷新。这
刷新速率可以在正常操作过程中得到应用，如
以及在待机或电池备份模式。
自刷新模式时，通过驱动RAS＃终止
高对的最小时间
t
RPS 。该延迟允许
结束所有的内部刷新周期中可能
在过程中的RAS ＃低到高的时间
过渡。如果该DRAM控制器采用分布式
CBR刷新序列，则不需要刷新突发
在退出自刷新。然而，如果在DRAM CON-
控制器采用RAS ＃ - 只或突发CBR刷新SE-
quence ，所有行必须具有的刷新率刷新
t
RC最低前恢复正常
操作。
快页模式访问
在DRAM中的每个位置是唯一地寻址
中提到的一般说明。对于数据
每个位置是通过8个I / O引脚（访问DQ0-
DQ7 ） 。 WE＃信号必须被激活以执行
写操作;否则，一个读操作将是
进行。将OE ＃信号必须被激活，使
DQ输出驱动程序的读访问，并且可以是
停用如有必要，禁止输出数据。
FAST- PAGE -MODE操作总是启动
同一个行地址选通，在由RAS ＃信号，
接着是列地址选通，在由CAS＃ ，只是
像单一位置访问。然而，随后的
行中的列位置可以被访问
在页模式中的循环时间。这是通过
骑自行车CAS ＃按住RAS ＃低和进入
新的列地址，每个CAS ＃周期。回国
RAS ＃ HIGH终止快速页面模式操作
化。
DRAM刷新
供电电压必须保持在所述试样
田间的水平，并且刷新要求，必须在满足
命令保留在DRAM中存储的数据。刷新
要求通过刷新所有8,192行（ E1 ）满足
或所有4096行（ B6）在DRAM阵列中至少有一次
每64毫秒。推荐的步骤是执行
4096 CBR刷新周期，无论是均匀分布的，或
分组阵阵，每64毫秒。该MT4LC8M8E1 IN-
ternally刷新两排，每CBR的周期，而
待机
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止
存储器周期和减小芯片的电流，以减小
待机水平。芯片被预处理为下一
在RAS ＃高时间周期。
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绝对最大额定值*
在V电压
CC
相对于V
SS
................ -1V至+ 4.6V
数控，输入或I / O引脚电压
相对于V
SS
....................................... -1V至+ 4.6V
工作温度，T
A
（环境） ... 0 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ............ -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ... 1W
*应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性和操作条件
（注：1 ， 5,6）， （Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数/条件
电源电压
输入高电压：
有效的逻辑1 ;所有的输入， I / O和任何NC
输入电压低：
有效的逻辑0 ;所有的输入， I / O和任何NC
输入漏电流：
任何输入在V
IN
(0V
V
IN
V
CC
+ 0.3V);
所有其它引脚不被测= 0V
输出高电压：
I
OUT
= -2mA
输出低电压：
I
OUT
= 2毫安
输出漏电流：
在V任何输出
OUT
(0V
V
OUT
V
CC
+ 0.3V);
DQ被禁用，在高阻态
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
民
3
2
-0.3
-2
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
2
单位备注
V
V
V
A
26
26
V
OH
V
OL
I
OZ
2.4
–
-5
–
0.4
5
V
V
A
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I
CC
工作条件和最高限额
（注：1 ，2，3 ， 5,6）， （Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数/条件
（ RAS ＃ = CAS ＃ = V
IH
)
（ RAS ＃ = CAS ＃
V
CC
- 0.2V ;的DQ可能会留下开放的;
其他输入： V
IN
V
CC
- 0.2V或V
IN
0.2V)
工作电流：随机读/写
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
工作电流：快速页面模式
平均供电电流（ RAS ＃ = V
IL
,
CAS号，地址，骑自行车：
t
PC =
t
PC [ MIN ] ）
刷新电流： RAS ＃ - 只
平均供电电流
（ RAS ＃循环， CAS＃ = V
IH
:
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流： CBR
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流：扩展（仅限“S ”版）
平均供电电流： CAS ＃ = 0.2V或
CBR循环; RAS ＃ =
t
RAS （ MIN ） ; WE＃ = V
CC
- 0.2V;
A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
= V
CC
- 0.2V或0.2V
(D
IN
可以被保持开启）
刷新电流： SELF （仅限“S ”版）
平均供电电流： CBR与
RAS ＃
t
保持低电平RASS （ MIN）和CAS ＃ ;
WE＃ = V
CC
- 0.2V ; A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
=
V
CC
- 0.2V或0.2V （D
IN
可以被保持开启）
4K
SYMBOL速度刷新
I
CC
1
所有
1
8K
REFRESH单位备注
1
mA
I
CC
2
I
CC
3
所有
-5
-6
-5
-6
-5
-6
-5
-6
500
175
165
105
95
175
165
175
165
500
135
125
105
95
135
125
175
165
A
mA
25
I
CC
4
mA
25
I
CC
5
mA
22
I
CC
6
mA
4, 7
I
CC
7
所有
400
400
A
4, 7
I
CC
8
所有
400
400
A
4, 7
8梅格×8 FPM DRAM
D19_2.p65 - 修订版5/00
5
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