梅格16 ×4
FPM DRAM
DRAM
特点
单+ 3.3V ± 0.3V电源
工业标准引脚排列X4 ，时间，功能，
和包
13行， 11列地址（ A7 ）
12行， 12列地址（ T8 ）
高性能CMOS硅栅工艺
所有输入，输出和时钟LVTTL ，相容
IBLE
快速页面模式（ FPM ）访问
4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
MT4LC16M4A7 ， MT4LC16M4T8
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html
引脚配置（顶视图）
32引脚SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
NC
NC
NC
NC
WE＃
RAS ＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
32针TSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
CAS ＃
OE ＃
A12/NC**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
选项
刷新寻址
4096 （ 4K ）行
8,192 （ 8K ）行
塑料封装
32引脚SOJ （ 400万）
32针TSOP （ 400万）
时机
为50ns存取
60ns的访问
刷新率
标准刷新
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
T8
A7
DJ
TG
-5
-6
无
S*
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
V
SS
DQ0
DQ3
DQ1
DQ2
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃
A0
A12/NC**
A1
A11
A2
A10
A3
A9
A4
A5
A8
V
CC
A7
A6
V
SS
** A12在A7版和NC的T8版
16 MEG ×4 FPM DRAM型号一览
产品型号
MT4LC16M4A7DJ-x
MT4LC16M4A7DJ -个S
MT4LC16M4A7TG-x
MT4LC16M4A7TG -个S
MT4LC16M4T8DJ-x
MT4LC16M4T8DJ -个S
MT4LC16M4T8TG-x
MT4LC16M4T8TG -个S
X =速度
刷新
寻址包刷新
8K
8K
8K
8K
4K
4K
4K
4K
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
注意：
1. 16兆×4 FPM DRAM基数
与众不同的产品在一个地方 -
MT4LC16M4A7 。第五个字段能够区分
多种选择： A7指定的8K刷新和
T8指定一个4K刷新FPM DRAM的。
2. ＃符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂的可用性
产品编号举例：
概述
16梅格×4的DRAM的高速CMOS ，
动态随机存取存储器装置包含-荷兰国际集团
组织一个x4配置67,108,864位。该
MT4LC16M4A7和MT4LC16M4T8在功能
组织为包含四位16777216地点
每一个。在16777216存储器位置被设置在
8,192行通过2048列的MT4LC16M4A7或
4096行× 4096列的MT4LC16M4T8 。
在读或写周期，每个位置是唯一
MT4LC16M4A7DJ
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
梅格16 ×4 FPM DRAM
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美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2000年，美光科技公司
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一般说明（续）
通过地址位寻址。首先，行地址是
由RAS ＃信号，然后由列地址锁存
CAS ＃ 。这两款器件提供快速-PAGE -MODE操作
化，从而实现快速的连续的数据操作（读，
写或者读 - 修改 - 写）给定的行内。
该MT4LC16M4A7和MT4LC16M4T8必须
为了留住存储的数据定期刷新。
而MT4LC16M4T8刷新一行，每
CBR循环。因此，无论使用哪种设备，执行4096 CBR
周期涵盖的所有行。该CBR刷新将调用
自动RAS ＃寻址内部的刷新计数器
ING 。另外， RAS ＃ - 只有REFRESH能力
本质上提供的。然而，利用这种方法只
一排被刷新一次;所以对于MT4LC16M4A7 ，
8,192 RAS ＃ - 只有更新周期必须执行
每64ms的覆盖所有行。一些兼容性问题
会变得明显。 JEDEC强烈推荐
采用CBR刷新此设备。
一个可选的自刷新模式也可在
“S”版本。自刷新功能在启动
执行CBR刷新周期并持有RAS ＃
低为指定
t
RASS 。在“S ”选项允许
128毫秒的延长更新周期，即每31.25μs
行了4K刷新和15.625μs每行一个8K
刷新，采用分布式CBR刷新的时候。这
刷新速率可以在正常操作过程中得到应用，如
以及在待机或电池备份模式。
自刷新模式时，通过驱动RAS＃终止
高对的最小时间
t
RPS 。该延迟允许
结束所有的内部刷新周期中可能
在过程中的RAS ＃低到高的时间
过渡。如果该DRAM控制器采用分布式
CBR刷新序列，则不需要刷新突发
在退出自刷新。然而，如果在DRAM CON-
控制器采用RAS ＃ - 只或突发CBR刷新SE-
quence ，所有行必须在平均范围内被刷新
之前恢复正常的内部刷新率
操作。
快页模式访问
在DRAM中的每个位置是唯一地寻址
中提到的一般说明。对于数据
每个位置，通过4个I / O引脚（访问DQ0-
DQ3 ） 。 WE＃信号必须被激活以执行
写操作;否则，一个读操作将是
进行。将OE ＃信号必须被激活，使
DQ输出驱动程序的读访问，并且可以是
停用如有必要，禁止输出数据。
FAST- PAGE -MODE操作总是启动
同一个行地址选通，在由RAS ＃信号，
接着是列地址选通，在由CAS＃ ，只是
像单一位置访问。然而，随后的
行中的列位置可以被访问
在页模式中的循环时间。这是通过
骑自行车CAS ＃按住RAS ＃低和进入
新的列地址，每个CAS ＃周期。回国
RAS ＃ HIGH终止快速页面模式操作
化。
DRAM刷新
供电电压必须保持在所述试样
田间的水平，并且刷新要求，必须在满足
命令保留在DRAM中存储的数据。刷新
要求通过刷新所有8,192行（ A7 ）满足
或所有4096行（ T8）的DRAM阵列中至少有一次
每64毫秒。推荐的步骤是执行
4096 CBR刷新周期，无论是均匀分布的，或
分组阵阵，每64毫秒。该MT4LC16M4A7
内部刷新两排，每CBR循环，
待机
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止
存储器周期和减小芯片的电流，以减小
待机水平。芯片被预处理为下一
在RAS ＃高时间周期。
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绝对最大额定值*
在V电压
CC
相对于V
SS
................ -1V至+ 4.6V
数控，输入或I / O引脚电压
相对于V
SS
..................................... -1V至+ 4.6V
工作温度，T
A
（环境） ... 0 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ............ -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ... 1W
*应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性和操作条件
（注：1 ， 5,6）， （Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数/条件
电源电压
输入高电压：
有效的逻辑1 ;所有的输入， I / O和任何NC
输入电压低：
有效的逻辑0 ;所有的输入， I / O和任何NC
输入漏电流：
任何输入在V
IN
(0V
≤
V
IN
≤
V
CC
+ 0.3V);
所有其它引脚不被测= 0V
输出高电压：
I
OUT
= -2mA
输出低电压：
I
OUT
= 2毫安
输出漏电流：
在V任何输出
OUT
(0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3V);
DQ被禁用，在高阻态
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
民
3
2
-0.3
-2
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
2
单位备注
V
V
V
A
26
26
V
OH
V
OL
I
OZ
2.4
–
-5
–
0.4
5
V
V
A
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I
CC
工作条件和最高限额
（注：1 ，2，3 ， 5,6）， （Ⅴ
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数/条件
（ RAS ＃ = CAS ＃ = V
IH
)
（ RAS ＃ = CAS ＃
V
CC
- 0.2V ，的DQ可能会留下开放，
其他输入： V
IN
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V)
工作电流：随机读/写
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
工作电流：快速页面模式
平均供电电流（ RAS ＃ = V
IL
,
CAS号，地址，骑自行车：
t
PC =
t
PC [ MIN ] ）
刷新电流： RAS ＃ - 只
平均供电电流
（ RAS ＃循环， CAS＃ = V
IH
:
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流： CBR
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流：扩展（仅限“S ”版）
平均供电电流： CAS ＃ = 0.2V或
CBR循环; RAS ＃ =
t
RAS （ MIN ） ; WE＃ = V
CC
- 0.2V;
A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
= V
CC
- 0.2V或0.2V
(D
IN
可以被保持开启）
刷新电流： SELF （仅限“S ”版）
平均供电电流： CBR与
RAS ＃
t
保持低电平RASS （ MIN）和CAS ＃ ;
WE＃ = V
CC
- 0.2V ; A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
=
V
CC
- 0.2V或0.2V （D
IN
可以被保持开启）
符号
I
CC
1
速度
所有
4K
8K
刷新刷新单位备注
1
1
mA
I
CC
2
I
CC
3
所有
-5
-6
-5
-6
-5
-6
-5
-6
500
170
160
100
90
170
160
170
160
500
130
120
100
90
130
120
130
120
A
mA
25
I
CC
4
mA
25
I
CC
5
mA
22
I
CC
6
mA
4, 7
I
CC
7
所有
400
400
A
4, 7
I
CC
8
所有
400
400
A
4, 7
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5
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