DRAM
奥斯汀半导体公司
1 MEG ×4的DRAM
快速页模式DRAM
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-90847
MIL -STD- 883
DQ1
DQ2
WE \\
RAS \\
A9
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20引脚DIP （C ， CN ）
MT4C4001J
引脚分配
（ TOP VIEW ）
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VSS
DQ4
DQ3
CAS \\
OE \\
A8
A7
A6
A5
A4
20引脚SOJ （ ECJ ）
20引脚LCC （ ECN ） ， &
20引脚鸥翼（ ECG）
DQ1
DQ2
WE \\
RAS \\
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
VSS
DQ4
DQ3
CAS \\
OE \\
特点
工业标准引脚排列X4 ，时间，功能和
套餐
高性能， CMOS硅栅工艺
单+ 5V ± 10 ％电源
低功耗，只有2.5mW备用; 300mW的活跃，典型的
所有的输入，输出和时钟是完全TTL和CMOS
兼容
1024周期刷新分布在16毫秒
刷新模式： RAS \\ - 只， CAS \\ -before - RAS \\
（CBR） ，及隐藏
快速页模式访问周期
CBR与WE \\高（ JEDEC测试模式能够通过
WCBR ）
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
20引脚DIP （ CZ ）
OE \\ 1
DQ3 3
VSS
5
2 CAS \\
4 DQ4
6 DQ1
8 WE \\
10 A9
12 A1
14 A3
16 A4
18 A6
20 A8
DQ2 7
RAS \\
9
A0 11
A2 13
VCC 15
A5 17
A7 19
选项
时机
为70ns存取
80ns的访问
100ns的访问
120ns的访问
包
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷DIP （ 400密耳）
陶瓷LCC *
陶瓷ZIP
陶瓷SOJ
陶瓷鸥翼型
记号
-7
-8
-10
-12
概述
该MT4C4001J是随机访问的固态
组织一个x4含4,194,304位内存
配置。在读或写周期的每个位
通过20位地址，这是唯一的解决
输入的10位（ A0- A9）的时间。 RAS \\用来锁存
前10个比特和CAS \\后面10位。读或写
周期被选择用在WE \\输入。在我们的逻辑高电平\\
决定READ模式，而逻辑低电平WE \\使然
写模式。在一个写周期，数据（D）中被锁存
通过或下降沿WE \\ CAS \\ ，以先到为准最后。如果
WE \\变低之前， CAS \\变低，输出引脚（S ）
保持开放（高阻） ，直到下一个CAS \\循环。如果我们去\\
低开后的数据到达输出引脚（S ） ，QS被激活，
保留所选择的小区的数据，只要CAS \\保持为低
（不管我们的\\或RAS \\ ） 。这么晚WE \\脉冲结果
读写周期。四个数据输入和四个数据
输出是通过4引脚使用通用I / O路由和
引脚方向控制的WE \\和OE \\ 。 FAST- PAGE-
模式操作允许更快的数据操作（读，
写或者读 - 修改 - 写）内的一个行地址
（ A0 - A9 ）定义的页面边界。快速页面方式
（续）
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
CN
C
ECN
CZ
ECJ
心电图
号
号
号
号
号
号
103
104
202
400
504
600
*注意：
如果浸焊和引线连接需要在LCC
包，引线片连接之前，必须在可焊完成
畅游操作。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT4C4001J
修订版1.5 10/02
1
DRAM
奥斯汀半导体公司
一般说明（续）
周期总是与一个行地址选通，在由RAS启动\\
接着是列地址选通，在按CAS \\ 。 CAS \\可
进行切换，通过举办RAS \\ LOW和频闪，在不同的
列地址，从而更快地执行存储周期。
返回RAS \\ HIGH终止快速页面方式
操作。
返回RAS \\和CAS \\ HIGH终止存储周期
并减小芯片的电流来降低待机水平。另外，
芯片被预处理为RAS在下一周期\\
高电平时间。存储器单元中的数据被保持在它的校正
通过保持权力和执行任何RAS \\周期说
（读，写， RAS \\ - 只， CAS \\ -before - RAS \\ ，或
隐藏刷新），使RAS的所有1024组合\\
地址（ A0 - A9）执行至少每16毫秒，
不管顺序。在CBR刷新周期将
调用用于自动的RAS \\内部刷新计数器
寻址。
MT4C4001J
功能框图
快速页模式
WE \\
CAS \\
*早期写
检测电路
DATA IN
卜FF器
数据输出
卜FF器
4
4
4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
第2时钟
发电机
OE \\
10
10
10
ROW
解码器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
COLUMN
地址
卜FF器
刷新
调节器
10
COLUMN
解码器
1024
4
VCC
VSS
感测放大器
I / O选通
1024 x 4
刷新
计数器
内存
ARRAY
行地址
缓冲器（ 10 ）
1024
10
RAS \\
第1时钟
发电机
注意：
WE \\ LOW之前CAS \\低， EW检测电路输出为高电平（早期写）
CAS \\低WE \\ LOW之前， EW检测电路输出为低电平（ LATE- WRITE ）
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
DRAM
奥斯汀半导体公司
真值表
地址
功能
待机
读
早期写
读 - 写
快页模式
读
快页模式
早期写
快页模式
读 - 写
RAS \\ - 只刷新
隐藏刷新
RAS \\
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L H L
L H L
H L
CAS \\
H X将
L
L
L
H L
H L
H L
H L
H L
H L
H
L
L
L
IN / OUT数据
DQ1-DQ4
高-Z
数据输出
DATA IN
数据输出/数据输入
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出/数据输入
数据输出/数据输入
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
MT4C4001J
第一个周期
第二个周期
第一个周期
第二个周期
第一个周期
第二个周期
读
写
CAS \\ -before - RAS \\ REFRESH
WE \\
X
H
L
H L
H
H
L
L
H L
H L
X
H
L
H
OE \\
X
L
X
L H
L
L
X
X
L H
L H
X
L
X
X
R
X
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
ROW
ROW
X
t
C
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
COL
COL
X
t
MT4C4001J
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
DRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss .................- 1.0V至+ 7.0V的电压
储存温度.......................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ................. 1W
短路输出电流........................................... 50毫安
引线温度（焊接5秒） ..................... + 270
o
C
MT4C4001J
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
（注：1 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ） （ -55°C <牛逼
A
< 125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
参数/条件
电源电压
输入高电平（逻辑1 ）电压，所有输入
输入低电平（逻辑0 ）电压，所有输入
输入漏电流
任何输入0V < V
IN
< 5.5V VCC = 5.5V
（所有其他的品脱没有被测= 0V ）
输出漏电流
（ Q是残疾人， 0V < V
OUT
< 5.5V ） VCC = 5.5V
输出电平
输出高电压（I
OUT
= -5mA ）
输出低电压（I
OUT
= 4.2毫安）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
民
4.5
2.4
-0.5
-5
最大
5.5
V
CC
+0.5
0.8
5
单位
V
V
V
A
笔记
I
OZ
V
OH
V
OL
-5
2.4
5
A
V
0.4
最大
-8
-10
4
2
4
2
V
参数/条件
待机电流（ TTL ）
（ RAS \\ CAS = \\ = V
IH
)
待机电流（ CMOS ）
（ RAS \\ CAS = \\ = V
CC
-0.2V ;所有其它输入= V
CC
-0.2V)
工作电流：随机读/写
平均电源电流
（ RAS \\ CAS \\ ，解决循环：吨
RC
= t
RC
（MIN） ）
工作电流：快速页面模式
平均电源电流
（ RAS \\ = V
IL
中国科学院\\ ，地址单车：吨
PC
= t
PC
（MIN） ）
刷新电流： RAS \\ - 只
平均电源电流
（ RAS \\骑自行车， CAS \\ = V
IH
: t
RC
= t
RC
（MIN） ）
刷新电流： CAS \\ -before - RAS \\
平均电源电流
（ RAS \\ CAS \\ ，解决循环：吨
RC
= t
RC
（MIN） ）
符号
I
CC1
I
CC2
-7
4
2
-12
4
2
单位备注
mA
mA
I
CC3
85
75
65
70
mA
3, 4
I
CC4
60
50
45
40
mA
3, 4
I
CC5
85
75
65
70
mA
3
I
CC6
85
75
65
70
mA
3, 5
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
DRAM
奥斯汀半导体公司
电容
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容： RAS \\ CAS \\我们\\ OE \\
输入/输出电容： DQ
符号
C
I1
C
I2
C
IO
民
最大
7
7
8
单位
pF
pF
pF
笔记
2
2
2
MT4C4001J
电气特性和推荐AC工作条件
（注： 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 12 ， 13 ） （ -55°C <牛逼
C
< 125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
-7
参数
随机读或写周期时间
读 - 写周期时间
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS访问时间\\
中国科学院\\访问时间
从列地址访问时间
中国科学院\\预充电时间访问
RAS \\脉冲宽度
RAS \\脉冲宽度（快速页面模式）
RAS \\保持时间
RAS \\预充电时间
CAS \\脉冲宽度
CAS \\保持时间
CAS \\预充电时间
CAS \\预充电时间（快速页面模式）
RAS \\到CAS \\延迟时间
CAS \\到RAS \\预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS \\到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考RAS \\ ）
列地址到RAS \\交货时间
READ命令设置时间
READ命令保持时间（参考CAS \\ ）
READ命令保持时间（参考RAS \\ ）
CAS \\输出在低Z
输出缓冲关断延迟
WE \\命令设置时间
符号
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CPN
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
关闭
t
WCS
70
70
20
50
20
70
10
10
20
5
0
10
15
0
15
50
35
0
0
0
0
0
0
20
35
50
10,000
民
130
180
40
90
70
20
35
35
10,000
100,000
80
80
20
60
20
80
10
10
20
5
0
10
15
0
15
60
40
0
0
0
0
0
0
20
40
60
10,000
最大
民
150
200
45
90
80
20
40
40
10,000
100,000
100
100
25
70
25
100
12
12
25
5
0
15
20
0
20
70
50
0
0
0
0
0
0
20
50
75
10,000
-8
最大
民
190
240
55
110
90
25
45
45
10,000
100,000
120
120
30
90
30
120
15
15
25
10
0
15
20
0
25
85
60
0
0
0
0
0
0
20
60
90
-10
最大
民
220
255
70
140
120
30
60
60
100,000
100,000
-12
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
21, 27
19
19
18
17
16
14
15
笔记
MT4C4001J
修订版1.5 10/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
DRAM
奥斯汀半导体公司
1 MEG ×4的DRAM
快速页模式DRAM
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-90847
MIL -STD- 883
DQ1
DQ2
WE \\
RAS \\
A9
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20引脚DIP （C ， CN ）
MT4C4001J
（ TOP VIEW ）
引脚分配
20引脚SOJ
（ ECJ ， ECJA ）
20引脚LCC （ ECN ） ， &
20引脚鸥翼（ ECG）
DQ1
DQ2
WE \\
RAS \\
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
VSS
DQ4
DQ3
CAS \\
OE \\
特点
工业标准引脚排列X4 ，时间，功能和
套餐
高性能， CMOS硅栅工艺
单+ 5V ± 10 ％电源
低功耗，只有2.5mW备用; 300mW的活跃，典型的
所有的输入，输出和时钟是完全TTL和CMOS
兼容
1024周期刷新分布在16毫秒
刷新模式： RAS \\ - 只， CAS \\ -before - RAS \\
（CBR） ，及隐藏
快速页模式访问周期
CBR与WE \\高（ JEDEC测试模式能够通过
WCBR ）
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VSS
DQ4
DQ3
CAS \\
OE \\
A8
A7
A6
A5
A4
20引脚DIP （ CZ ）
OE \\ 1
DQ3 3
VSS
5
2 CAS \\
4 DQ4
6 DQ1
8 WE \\
10 A9
12 A1
14 A3
16 A4
18 A6
20 A8
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
DQ2 7
RAS \\
9
A0 11
A2 13
VCC 15
A5 17
A7 19
选项
时机
为70ns存取
80ns的访问
100ns的访问
120ns的访问
包
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷DIP （ 400密耳）
陶瓷LCC *
陶瓷ZIP
陶瓷SOJ
陶瓷SOJ钨/铜J形引脚
陶瓷鸥翼型
记号
-7
-8
-10
-12
概述
该MT4C4001J是随机访问的固态
组织一个x4含4,194,304位内存
配置。在读或写周期的每个位
通过20位地址，这是唯一的解决
输入的10位（ A0- A9）的时间。 RAS \\用来锁存
前10个比特和CAS \\后面10位。读或写
周期被选择用在WE \\输入。在我们的逻辑高电平\\
决定READ模式，而逻辑低电平WE \\使然
写模式。在一个写周期，数据（D）中被锁存
通过或下降沿WE \\ CAS \\ ，以先到为准最后。如果
WE \\变低之前， CAS \\变低，输出引脚（S ）
保持开放（高阻） ，直到下一个CAS \\循环。如果我们去\\
低开后的数据到达输出引脚（S ） ，QS被激活，
保留所选择的小区的数据，只要CAS \\保持为低
（不管我们的\\或RAS \\ ） 。这么晚WE \\脉冲结果
读写周期。四个数据输入和四个数据
输出是通过4引脚使用通用I / O路由和
引脚方向控制的WE \\和OE \\ 。 FAST- PAGE-
模式操作允许更快的数据操作（读，
写或者读 - 修改 - 写）内的一个行地址
（ A0 - A9 ）定义的页面边界。快速页面方式
（续）
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
CN
C
ECN
CZ
ECJ
ECJA
心电图
第103号
第104号
202号
400号
504号
第504A
600号
*注意：
如果浸焊和引线连接需要在LCC
包，引线片连接之前，必须在可焊完成
畅游操作。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
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DRAM
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一般说明（续）
周期总是与一个行地址选通，在由RAS启动\\
接着是列地址选通，在按CAS \\ 。 CAS \\可
进行切换，通过举办RAS \\ LOW和频闪，在不同的
列地址，从而更快地执行存储周期。
返回RAS \\ HIGH终止快速页面方式
操作。
返回RAS \\和CAS \\ HIGH终止存储周期
并减小芯片的电流来降低待机水平。另外，
芯片被预处理为RAS在下一周期\\
高电平时间。存储器单元中的数据被保持在它的校正
通过保持权力和执行任何RAS \\周期说
（读，写， RAS \\ - 只， CAS \\ -before - RAS \\ ，或
隐藏刷新），使RAS的所有1024组合\\
地址（ A0 - A9）执行至少每16毫秒，
不管顺序。在CBR刷新周期将
调用用于自动的RAS \\内部刷新计数器
寻址。
MT4C4001J
功能框图
快速页模式
WE \\
CAS \\
*早期写
检测电路
DATA IN
卜FF器
数据输出
卜FF器
4
4
4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
第2时钟
发电机
OE \\
10
10
10
ROW
解码器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
COLUMN
地址
卜FF器
刷新
调节器
10
COLUMN
解码器
1024
4
VCC
VSS
感测放大器
I / O选通
1024 x 4
刷新
计数器
内存
ARRAY
行地址
缓冲器（ 10 ）
1024
10
RAS \\
第1时钟
发电机
注意：
WE \\ LOW之前CAS \\低， EW检测电路输出为高电平（早期写）
CAS \\低WE \\ LOW之前， EW检测电路输出为低电平（ LATE- WRITE ）
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真值表
地址
功能
待机
读
早期写
读 - 写
快页模式
读
快页模式
早期写
快页模式
读 - 写
RAS \\ - 只刷新
隐藏刷新
RAS \\
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L H L
L H L
H L
CAS \\
H X将
L
L
L
H L
H L
H L
H L
H L
H L
H
L
L
L
IN / OUT数据
DQ1-DQ4
高-Z
数据输出
DATA IN
数据输出/数据输入
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出/数据输入
数据输出/数据输入
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
MT4C4001J
第一个周期
第二个周期
第一个周期
第二个周期
第一个周期
第二个周期
读
写
CAS \\ -before - RAS \\ REFRESH
WE \\
X
H
L
H L
H
H
L
L
H L
H L
X
H
L
H
OE \\
X
L
X
L H
L
L
X
X
L H
L H
X
L
X
X
R
X
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
ROW
ROW
X
t
C
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
COL
COL
X
t
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DRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
任何引脚相对于Vss .................- 1.0V至+ 7.0V的电压
储存温度.......................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ................. 1W
短路输出电流........................................... 50毫安
引线温度（焊接5秒） ..................... + 270
o
C
MT4C4001J
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
（注：1 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ） （ -55°C <牛逼
A
< 125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
参数/条件
电源电压
输入高电平（逻辑1 ）电压，所有输入
输入低电平（逻辑0 ）电压，所有输入
输入漏电流
任何输入0V < V
IN
< 5.5V VCC = 5.5V
（所有其他的品脱没有被测= 0V ）
输出漏电流
（ Q是残疾人， 0V < V
OUT
< 5.5V ） VCC = 5.5V
输出电平
输出高电压（I
OUT
= -5mA ）
输出低电压（I
OUT
= 4.2毫安）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
民
4.5
2.4
-0.5
-5
最大
5.5
V
CC
+0.5
0.8
5
单位
V
V
V
A
笔记
I
OZ
V
OH
V
OL
-5
2.4
5
A
V
0.4
最大
-8
-10
4
2
4
2
V
参数/条件
待机电流（ TTL ）
（ RAS \\ CAS = \\ = V
IH
)
待机电流（ CMOS ）
（ RAS \\ CAS = \\ = V
CC
-0.2V ;所有其它输入= V
CC
-0.2V)
工作电流：随机读/写
平均电源电流
（ RAS \\ CAS \\ ，解决循环：吨
RC
= t
RC
（MIN） ）
工作电流：快速页面模式
平均电源电流
（ RAS \\ = V
IL
中国科学院\\ ，地址单车：吨
PC
= t
PC
（MIN） ）
刷新电流： RAS \\ - 只
平均电源电流
（ RAS \\骑自行车， CAS \\ = V
IH
: t
RC
= t
RC
（MIN） ）
刷新电流： CAS \\ -before - RAS \\
平均电源电流
（ RAS \\ CAS \\ ，解决循环：吨
RC
= t
RC
（MIN） ）
符号
I
CC1
I
CC2
-7
4
2
-12
4
2
单位备注
mA
mA
I
CC3
85
75
65
70
mA
3, 4
I
CC4
60
50
45
40
mA
3, 4
I
CC5
85
75
65
70
mA
3
I
CC6
85
75
65
70
mA
3, 5
MT4C4001J
2.2版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
DRAM
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电容
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容： RAS \\ CAS \\我们\\ OE \\
输入/输出电容： DQ
符号
C
I1
C
I2
C
IO
民
最大
7
7
8
单位
pF
pF
pF
笔记
2
2
2
MT4C4001J
电气特性和推荐AC工作条件
（注： 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 12 ， 13 ） （ -55°C <牛逼
C
< 125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
-7
参数
随机读或写周期时间
读 - 写周期时间
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS访问时间\\
中国科学院\\访问时间
从列地址访问时间
中国科学院\\预充电时间访问
RAS \\脉冲宽度
RAS \\脉冲宽度（快速页面模式）
RAS \\保持时间
RAS \\预充电时间
CAS \\脉冲宽度
CAS \\保持时间
CAS \\预充电时间
CAS \\预充电时间（快速页面模式）
RAS \\到CAS \\延迟时间
CAS \\到RAS \\预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS \\到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考RAS \\ ）
列地址到RAS \\交货时间
READ命令设置时间
READ命令保持时间（参考CAS \\ ）
READ命令保持时间（参考RAS \\ ）
CAS \\输出在低Z
输出缓冲关断延迟
WE \\命令设置时间
符号
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CPN
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
关闭
t
WCS
70
70
20
50
20
70
10
10
20
5
0
10
15
0
15
50
35
0
0
0
0
0
0
20
35
50
10,000
民
130
180
40
90
70
20
35
35
10,000
100,000
80
80
20
60
20
80
10
10
20
5
0
10
15
0
15
60
40
0
0
0
0
0
0
20
40
60
10,000
最大
民
150
200
45
90
80
20
40
40
10,000
100,000
100
100
25
70
25
100
12
12
25
5
0
15
20
0
20
70
50
0
0
0
0
0
0
20
50
75
10,000
-8
最大
民
190
240
55
110
90
25
45
45
10,000
100,000
120
120
30
90
30
120
15
15
25
10
0
15
20
0
25
85
60
0
0
0
0
0
0
20
60
90
-10
最大
民
220
255
70
140
120
30
60
60
100,000
100,000
-12
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
21, 27
19
19
18
17
16
14
15
笔记
MT4C4001J
2.2版06/05
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