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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1003页 > MT49H8M32FM
ADVANCE
256MB ： X16 ， X32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q， RLDRAM
降低延迟
DRAM （ RLDRAM ）
特点
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q I / O
循环银行寻址的最大数据输出
带宽
非复用地址
非中断连续爆出两（ 2位
预取）和四（4位预取）的DDR
目标600万桶/ S / P数据速率
5-8 可编程读取延迟（ RL ）
数据有效信号（ DVLD ）激活，读取的数据
可用的
数据屏蔽信号（ DM0 / DM1 ）先屏蔽和
写数据脉冲串的第二部分
IEEE 1149.1标准的JTAG边界扫描
伪1.8V HSTL I / O电源
内部自动预充电
刷新要求： 32ms的100 ° C的结
温度（ 8K刷新每家银行， 64K刷新
必须在每个总要为32ms发出命令）
MT49H8M32 - 1兆欧×32× 8银行
MT49H16M16 - 2梅格×16× 8银行
对于最新的数据资料，请参考美光
网站：
www.micron.com/dramds
144球T- FBGA
选项
时钟周期时序
3.3ns （ 300兆赫）
为4ns （ 250兆赫）
为5ns （ 200兆赫）
配置
8梅格×32
（ 1梅格×32× 8银行）
梅格16 ×16
（ 2梅格×16× 8银行）
包
144球的11mm X 18.5毫米T- FBGA
记号
-3.3
-4
-5
MT49H8M32FM
MT49H16M16FM
行/列地址复用，并优化
快速的随机访问和高速带宽。
RLDRAM被设计用于通信的数据
像发送或货仓接收缓冲区中telecommuni-
阳离子的系统，以及数据或指令高速缓存
应用程序需要大量的内存。
FM
电初始化
由于RLDRAM不具有指定的复位
函数，下面的过程必须被执行
责令initalize内部状态机，稳压器，
并迫使DRAM是在就绪状态。
接通电源，然后再启动时钟
接通电源后，需要为200ps的初始暂停
2个时钟MRS命令，并设置标准模式
注册1个时钟（ 2假人加1有效刘健集）
8个更新周期（最小） ，一个在每家银行和
由2048个周期（分离
t
MRSC必须满足
MRS和第一个REF指令之间）
准备好正常运行（
t
在最后一个RC周期
refresh命令）
有效的部件号
产品型号
MT49H8M32FM-xx
MT49H16M16FM-xx
描述
8梅格×32
梅格16 ×16
概述
美光
256MB低延迟DRAM
（ RLDRAM ）包含内存可接近8家银行x32Mb
sible与32位或16位的I / O的双数据速率（ DDR ）
其中数据被提供，并与同步格式
差分回波时钟信号。 RLDRAM不需要
256 ： X16 ， X32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 6月2日
1
2002年，美光科技公司
制品
和规格此讨论评估和仅供参考，并有可能改变由
MICRON ，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。
ADVANCE
256MB ： X16 ， X32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q， RLDRAM
掉电
由于RLDRAM使用多个电源
电压时，按照以下顺序所需的加电
下来。
采取所有输入信号为V
SS
或High -Z
建议把肖特基二极管的
在2.5V和1.8V电源的电路板。
功能框图
8梅格×32
A0 - A18 ， B0 ， B1 ， B2
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新
计数器
行解码器
行解码器
行解码器
行解码器
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
存储阵列
存储阵列
存储阵列
2银行
感测放大器和数据总线
存储阵列
3银行
列解码器
列解码器
列解码器
BANK 0
银行1
行解码器
行解码器
行解码器
列解码器
行解码器
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
存储阵列
存储阵列
存储阵列
6银行
感测放大器和数据总线
存储阵列
7银行
列解码器
列解码器
列解码器
4银行
5银行
数据有效
数据的读选通
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑和时序发生器
K＃
AS ＃
WE＃
列解码器
CS ＃
楼盘编号
DM0
DM1
CK
DVLD
DQS [3： 0]， DQS ＃[ 3：0]
DQ0–DQ31
注意：
1.当BL4设置使用， A18是一个“不关心”。
256 ： X16 ， X32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 6月2日
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
V
REF
ADVANCE
256MB ： X16 ， X32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q， RLDRAM
功能框图
梅格16 ×16
A0 - A19 ， B0 ， B1 ， B2
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新
计数器
行解码器
行解码器
行解码器
行解码器
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
存储阵列
存储阵列
存储阵列
2银行
感测放大器和数据总线
存储阵列
3银行
列解码器
列解码器
列解码器
BANK 0
银行1
行解码器
行解码器
行解码器
列解码器
行解码器
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
感测放大器和数据总线
存储阵列
存储阵列
存储阵列
6银行
感测放大器和数据总线
存储阵列
7银行
列解码器
列解码器
列解码器
4银行
5银行
数据有效
数据的读选通
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑和时序发生器
CK
CK ＃
AS ＃
WE＃
列解码器
CS ＃
楼盘编号
DM0
DM1
DVLD
DQS [1： 0]， DQS ＃[ 1：0]
DQ0–DQ15
注意：
1.当BL4设置使用， A19是一个“不关心”。
2.在16兆欧×16的配置中，只有DQS [1：0 ]和DQS ＃[ 1：0]被使用。
256 ： X16 ， X32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 6月2日
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
V
REF
ADVANCE
256MB ： X16 ， X32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q， RLDRAM
目录
概述................................................ .......
上电初始化.............................................. .....
功能框图， 8梅格×32 ................
掉电............................................... ....................
功能框图，梅格16 ×16 .............
8梅格×32球分配（顶视图）
144球T- FBGA ............................................ ...
梅格16 ×16引脚分配（顶视图）
144球T- FBGA ............................................ ...
球说明................................................ ....
球说明（续） ................................
真值表1 ............................................... ...........
编程说明..............................................
RLDRAM编程表..............................
模式寄存器说明............................................
模式寄存器命令表...........................
IEEE 1149.1串行边界扫描（ JTAG ） ................
禁用JTAG特性..........................................
图1 ， TAP控制器状态图..............
测试访问端口（ TAP ） ............................................ ......
测试时钟（ TCK ） ............................................. ...........
测试模式选择（ TMS ） ......................................
测试数据输入（ TDI ） ........................................... ...........
测试数据输出（ TDO ） ........................................... ......
执行TAP复位...........................................
TAP寄存器................................................ ............
指令寄存器................................................ ....
图2中， TAP控制器框图.............
旁路寄存器................................................ .........
边界扫描寄存器...........................................
标识（ID ）注册........................................
TAP指令集............................................... .........
概述................................................. ....................
EXTEST ................................................. .........................
IDCODE ................................................. ........................
样本Z ................................................ ....................
采样/预加载............................................... ..........
绕道................................................. .......................
TAP时序................................................ .............
TAP AC电气特性........................
保留................................................. ...................
TAP直流电气特性和
工作条件........................................
识别寄存器定义........................
扫描寄存器大小..............................................
指令代码................................................ ...
边界扫描（退出）令.................................
1
1
2
2
3
5
5
6
7
8
9
9
10
10
11
11
11
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
14
14
14
14
15
16
16
16
17
绝对最大额定值..........................................
建议的直流工作范围........................
直流电气特性和
工作条件........................................
直流电气特性和
工作条件........................................
I
DD
电特性和
工作条件........................................
电容................................................. ..........
AC电气特性和
工作条件........................................
AC电气特性................................
时序波形
一般概述和定义定时
（ BL2 / WL2 ） ............................................. .............
读时序（ BL = 2 ） ...........................................
读时序（ BL = 4 ） ...........................................
写时序（ BL = 2 ， RL = 6） ...........................
写时序（ BL = 4 ， RL = 6） ...........................
读到写时序（ BL = 2 ， WL = 2 ） ..........
写读时序（ BL = 2 ， WL = 2 ） ..........
刷新时间................................................ .......
刷新实施示例
（环行突发刷新） .............................
写数据面膜时序（ BL = 2 ， WL = 2 ） .......
写数据时序面膜（ BL = 4 ， WL = 1 ） .......
写/读和读/写时序，循环
银行存取（ RL = 6 ， BL = 2 ， WL = 3 ） ...........
写/读和读/写时序，循环
银行存取（ RL = 5 ， BL = 2 ， WL = 2 ） ...........
写/读和读/写时序，循环
银行存取（ RL = 6 ， BL = 4 ， WL = 2 ） ...........
写/读和读/写时序，循环
银行存取（ RL = 5 ， BL = 4 ， WL = 1 ） ...........
随机访问，单个银行
（RL = 6， BL = 2， WL = 3） ...................................
随机访问，单个银行
（RL = 5， BL = 2， WL = 2，
t
RC = 6） ....................
随机访问，单个银行
（RL = 6， BL = 4， WL = 2） ...................................
随机访问，单个银行
（RL = 5， BL = 4， WL = 1，
t
RC = 6） ....................
18
18
18
19
20
21
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
封装图
144球T- FBGA ............................................ ........ 42
256 ： X16 ， X32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 6月2日
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
ADVANCE
256MB ： X16 ， X32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q， RLDRAM
8梅格×32球分配（顶视图）
144球T- FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DM0
A5
A8
AS ＃
WE＃
A18
A15
DM1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
TCK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DVLD
A0
A3
CK
CK ＃
A13
A10
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDI
V
EXT
V
REF
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
Q
DQ10 DQ11
V
DD
Q
DQS1 DQS1 ＃ V
SS
Q
DQ12 DQ13
V
DD
Q
DQ14 DQ15
V
SS
Q
A6
A7
V
DD
A9
V
SS
V
SS
B2
V
DD
V
DD
楼盘编号
V
DD
V
DD
CS ＃
V
SS
V
SS
A16
A17
V
DD
DQ22 DQ23
V
SS
Q
DQ20 DQ21
V
DD
Q
DQS2 DQS2 ＃ V
SS
Q
DQ18 DQ19
V
DD
Q
DQ16 DQ17
V
SS
Q
V
EXT
V
REF
V
SS
V
SS
V
EXT
TMS
V
SS
Q
DQ1
DQ0
V
DD
Q
DQ3
DQ2
V
SS
Q DQS0 ＃ DQS0
V
DD
Q
DQ5
DQ4
V
SS
Q
DQ7
DQ6
V
DD
A2
A1
V
SS
V
SS
A4
V
DD
V
DD
B0
V
DD
V
DD
B1
V
SS
V
SS
A14
V
DD
A12
A11
V
SS
Q
DQ31 DQ30
V
DD
Q
DQ29 DQ28
V
SS
Q DQS3 ＃ DQS3
V
DD
Q
DQ27 DQ26
V
SS
Q
DQ25 DQ24
V
SS
V
EXT
TDO
16 MEG ×16球分配（顶视图）
144球T- FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DM0
A5
A8
AS ＃
WE＃
A19
A15
DM1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
2
V
EXT
NC
NC
NC
NC
NC
A6
A9
B2
楼盘编号
CS ＃
A16
NC
NC
NC
NC
NC
V
EXT
3
V
REF
NC
NC
NC
NC
NC
A7
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
A17
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
4
V
SS
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
SS
5
6
7
8
9
10
11
12
TCK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DVLD
A0
A3
CK
CK ＃
A13
A10
A18
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDI
V
SS
V
EXT
TMS
V
SS
Q
DQ1
DQ0
V
DD
Q
DQ3
DQ2
V
SS
Q DQS0 ＃ DQS0
V
DD
Q
DQ5
DQ4
V
SS
Q
DQ7
DQ6
V
DD
A2
A1
V
SS
V
SS
A4
V
DD
V
DD
B0
V
DD
V
DD
B1
V
SS
V
SS
A14
V
DD
A12
A11
V
SS
Q
DQ15 DQ14
V
DD
Q
DQ13 DQ12
V
SS
Q DQS1 ＃ DQS1
V
DD
Q
DQ11 DQ10
V
SS
Q
DQ9
DQ8
V
SS
V
EXT
TDO
256 ： X16 ， X32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 6月2日
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MI-QC2RN-IYY
MX29LV320ATXBC-90
MAX6735
MA3D750A
MV67539.MP6
MB90352PFM
M5LV-128/68-10AI
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