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初步
256MB : X32
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC100的功能
完全同步;所有信号上注册
系统时钟的上升沿,
内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
自动预充电,主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式
64毫秒, 4096周期刷新(值为15.6μs /行)
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
支持1,2和3 CAS延迟
MT48LC8M32B2 - 2梅格×32× 4银行
对于最新的数据资料,请参考美光网络
网站:
www.micron.com/sdramds
引脚配置(顶视图)
86针TSOP
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE#
CAS #
RAS #
CS #
A11
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
DD
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
DD
Q
DQ23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
选项
配置
8梅格×32 ( 2梅格×32× 4组)
记号
8M32B2
TG
P
F5
1
B5
1
86针TSOP ( 400万)
86针TSOP ( 400万)无铅
90球FBGA (8毫米X 13毫米)
90球FBGA (采用8mm x 13毫米)无铅
时间(周期时间)
为6ns ( 166兆赫)
7ns的( 143兆赫)
工作温度范围
商用(0 °C至+ 70 ° C)
工业级(-40° C至+ 85°C )
注意:
1.可在-7只
产品编号举例:
-6
-7
IT
1
MT48LC8M32B2TG-7
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DD
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
DD
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
注意:
#符号指示信号是低电平有效。
关键时序参数
速度
GRADE
-6
-7
时钟
存取时间
频率
CL = 3 *
166兆赫
143兆赫
5.5ns
6.0ns
格局
时间
1.5ns
2ns
HOLD
时间
1ns
1ns
8梅格×32
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
2梅格×32× 4银行
4K
4K ( A0 -A11 )
4 ( BA0 , BA1 )
512 (A0–A8)
* CL = CAS ( READ )延迟
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256MbSDRAMx32.p65 - 版本B ;酒馆。 03/04
1
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2003美光科技公司
产品和规格此讨论评估和仅供参考,如有更改,美光,恕不另行通知。
仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。
初步
256MB : X32
SDRAM
90球FBGA分配
( TOP VIEW )
1
A
DQ26
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ24
V
SS
V
DD
DQ23
DQ21
B
DQ28
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ19
C
V
SS
Q
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
V
DD
Q
D
V
SS
Q
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
V
DD
Q
E
V
DD
Q
DQ31
NC
NC
DQ16
V
SS
Q
F
V
SS
DQM3
A3
A2
DQM2
V
DD
G
A4
A5
A6
A10
A0
A1
H
A7
A8
NC
NC
BA1
A11
J
CLK
CKE
A9
BA0
CS #
RAS #
K
DQM1
NC
NC
CAS #
WE#
DQM0
L
V
DD
Q
DQ8
V
SS
V
DD
DQ7
V
SS
Q
M
V
SS
Q
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
V
DD
Q
N
V
SS
Q
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
V
DD
Q
P
DQ11
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ4
R
DQ13
DQ15
V
SS
V
DD
DQ0
DQ2
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256MbSDRAMx32.p65 - 版本B ;酒馆。 03/04
2
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2003美光科技公司
初步
256MB : X32
SDRAM
256MB ( X32 ) SDRAM器件型号
产品型号
MT48LC8M32B2TG
架构
8梅格×32
概述
256MB的SDRAM是高速CMOS动态
随机存取存储器包含268435456位。
它在内部配置为四银行DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。每个
67108864位银行的组织结构4096行512
列由32位。
读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置和反对
tinue的位置在一个亲一个设定的号码
编程序列。访问开始与registra-
一个活跃的命令,然后后面的灰
读或写命令。地址位寄存器
羊羔暗合了ACTIVE命令使用
选择银行和行访问( BA0 , BA1
选择银行, A0 -A11选择行) 。地址
位注册暗合了读或写的COM
命令是用来选择起始列位置
对于突发的访问。
在SDRAM提供了可编程只读或
的1 ,2,4 ,或8个位置,或全写入脉冲串长度
页面上,一阵终止选项。自动预充电
功能可被使能,以提供一个自定时排
预充电是在脉冲结束时启动的SE-
quence 。
256MB的SDRAM采用内部管线AR-
构以实现高速操作。这AR-
民族形式与预取的2n个规则兼容
体系结构,但它也可以使列地址到
在每个时钟周期被改变,以实现高
速,完全随机访问。预充电一家银行
在访问其他三家银行的人会隐藏
预充电周期,并提供无缝的,高
速度,随机存取操作。
256MB的SDRAM设计为3.3V操作
内存系统。提供了一种自动刷新模式中,
随着节电,省电模式。所有IN-
看跌期权和输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展能操作
阿婷的性能,包括同步系统的能力
nously在高数据速率的自动突发数据
列地址的产生,对交织的能力
之间的内部银行隐藏预充电时间,
的能力,随意改变地址栏
关于在一个脉冲串存取的每个时钟周期。
09005aef80cd8e48
256MbSDRAMx32.p65 - 版本B ;酒馆。 03/04
3
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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初步
256MB : X32
SDRAM
目录
功能框图 - 8梅格×32 .................
引脚说明................................................ ...........
功能说明
..........................................
初始化................................................. ..........
寄存器定义................................................ 。
模式寄存器................................................ ...
突发长度................................................
突发类型................................................ ....
CAS延迟................................................
操作模式.........................................
写突发模式.......................................
COMMANDS
..................................................................
事实表1 (命令和DQM操作)
...........
命令禁止................................................ 。
无操作( NOP ) ............................................
加载模式寄存器...............................................
主动................................................. ......................
阅读................................................. ......................
写................................................. ......................
预充电................................................. ................
自动预充电................................................ .......
突发终止................................................ ......
自动刷新................................................ ...........
自刷新................................................ ..............
手术
....................................................................
银行/行激活...........................................
读................................................. ......................
写................................................. ......................
预充电................................................. ................
掉电............................................... ...........
时钟暂停................................................ ........
突发读/单写........................................
同时自动预充电.................................
写带自动预充电.................................
5
6
9
9
9
9
9
10
11
11
11
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
14
14
14
15
15
16
22
24
24
25
25
26
27
28
29
31
绝对最大额定值...................................... 33
DC电气特性
与工作条件......................................... 33
I
DD
规格和条件........................... 33
电容................................................. ................. 34
AC电气特性
(时序表) ..... 34
AC功能特点............................
35
时序波形
初始化和加载模式寄存器......................
掉电模式.............................................. 。
时钟挂起模式............................................
自动刷新模式...............................................
自刷新模式............................................... ...
读和写
阅读 - 单读...........................................
读 - 如果没有自动预充电...................
阅读 - 使用自动预充电..........................
交行读访问.....................
阅读 - 全页突发.....................................
阅读 - DQM操作.................................
写到
写 - 单写.........................................
写 - 如果没有自动预充电..................
写 - 使用自动预充电........................
交行写访问...................
写 - 全页突发....................................
写 - DQM操作................................
86引脚TSOP .............................................. ........
90球FBGA .............................................. ......
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
真值表2 ( CKE )
.....................................................
事实表3 (目前的状态,同一家银行)
......................
事实表4 (目前的状态,不同的银行)
.................
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初步
256MB : X32
SDRAM
功能框图
8梅格×32 SDRAM
CKE
CLK
CS #
WE#
CAS #
RAS #
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
BANK0
命令
解码
模式寄存器
REFRESH 12
计数器
12
12
行向
地址
MUX
12
BANK0
行向
地址
LATCH
&放大器;
解码器
4096
BANK0
内存
ARRAY
(4,096 x 512 x 32)
4
4
DQM0–
DQM3
感测放大器
32
4,096
数据
产量
注册
2
A0–A11,
BA0 , BA1
14
地址
注册
2
银行
控制
逻辑
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
32
512
(x32)
数据
输入
注册
32
DQ0–
DQ31
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
9
89
09005aef80cd8e48
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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