添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3025页 > MT48LC2M8A2
16 MEG ： X4，X8
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC100兼容;主要包括并发AUTO
预充电
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式
64毫秒， 4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL * ）
一个和两个时钟写恢复（
t
WR ）版本
MT48LC4M4A1 / A2的S - 2梅格×4× 2银行
MT48LC2M8A1 / A2的S - 1兆×8× 2银行
为最新的数据表中的修订，请参考
美光科技公司的网站：
www.micron.com/datasheets 。
引脚配置（顶视图）
44针TSOP
x4
-
NC
x8
V
DD
DQ0
VSSQ
DQ1
V
DD
Q
DQ2
VSSQ
DQ3
V
DD
Q
NC
NC
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CS ＃
BA
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
x8
VSS
DQ7
VSSQ
DQ6
V
DD
Q
DQ5
VSSQ
DQ4
V
DD
Q
NC
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
x4
-
NC
-
DQ0
-
DQ3
-
NC
-
NC
-
DQ1
-
DQ2
选项
配置
4梅格×4 （ 2梅格×4 ×2组）
2梅格×8 （ 1兆×8 ×2组）
记号
4M4
2M8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
写入恢复（
t
WR /
t
DPL ）
t
WR = 1 CLK
A1
t
WR = 2 CLK （联系工厂。 ） A2
塑料包装 - OCPL *
44针TSOP （ 400万）
时间（周期时间）
8ns;
t
AC = 6ns的@ CL = 3
10ns;
t
AC = 9ns @ CL = 2
注意：
＃符号指示信号是低电平有效。破折号
（ - ）表示X4引脚的功能是一样的X8引脚
功能。
TG
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
4 MEG ×4
2 MEG ×8
梅格2 ×4 ×2组1兆×8× 2银行
4K
4K
2K （ A0 - A10 ）
2K （ A0 - A10 ）
2 （ BA）
1 （ BA ）
1K （ A0 -A9 ）
512 (A0-A8)
-8B
-10
注意：
16MB的SDRAM基数的区别
产品在两个地方： MT48LC2M8A1 S.第四
现场区分架构产品： 4M4
指定4梅格×4 ，和2M8指定2梅格×8 。
第五个字段区分的写入回复
产品： A1指定1 CLK和A2指定2
CLKS 。
产品编号举例：
关键时序参数
速度
GRADE
-8B
-10
-8B
-10
时钟
存取时间
格局
频率CL = 2 ** CL = 3 **时间
125兆赫
100兆赫
83兆赫
66兆赫
–
–
9ns
9ns
6ns
7.5ns
–
–
2ns
3ns
2ns
3ns
HOLD
时间
1ns
1ns
1ns
1ns
MT48LC2M8A1TG - 10] S
16MB （ X4 / X8 ）SDRAM型号一览
产品型号
MT48LC4M4A1TG S
MT48LC2M8A1TG S
16梅格： X4，X8 SDRAM
16MSDRAMx4x8_B.p65 - 修订版5/98
架构
4梅格×4 （
t
WR = 1 CLK ）
2梅格×8 （
t
WR = 1 CLK ）
*关中心的分型线
** CL = CAS （ READ ）延迟
1
1998年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
16 MEG ： X4，X8
SDRAM
概述
美光16MB SDRAM是高速CMOS ，
含有16777216动态随机存取存储器
位。它是在内部配置为双存储器阵列
（ 4兆×4是双2兆×4和2梅格×8是一个双
1兆×8） ，具有同步接口（所有信号都
登记在时钟信号CLK ）的上升沿。
每两个内部银行的组织结构与2048
由4位（4兆×4）或512行和任1024列
列由8位（ 2梅格×8 ） 。
读取和写入访问到SDRAM被爆ori-
ented ;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册AC-
TIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位注册coinci-
凹痕与ACTIVE命令用于选择
银行和行访问（BA选择银行， A0 -A10
选择行） 。地址位重合注册
用READ或WRITE命令被用来选择
开始为突发访问列位置。
在SDRAM提供了可编程只读或
的1 ，2，4 ，或8个位置，或全写入脉冲串长度
页面上，一阵终止选项。自动预充电
功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电在脉冲串的末端被启动，它将
序列。
美光16MB SDRAM采用内部管线
体系结构来实现高速操作。这AR-
民族形式与预取的2n个规则兼容
体系结构，但它也可以使列地址是
改变在每个时钟周期，实现了高速，
完全随机访问。预充电一家银行，而访问 -
荷兰国际集团备用银行将隐藏预充电的周期
并提供无缝，高速，随机存取OP-
累加器。
美光16MB SDRAM的设计工作中
3.3V ，低功耗存储器系统。自动刷新模式
设置，以及一个省电，掉电
模式。所有输入和输出都是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展operat-
水性能，包括能够同步
在高数据速率的自动柱分离突发数据
地址生成，会期之间交错的能力
为了ternal银行隐藏的预充电时间，而
能力随意改变每一列上的地址
在一个脉冲串存取的时钟周期。
16梅格： X4，X8 SDRAM
16MSDRAMx4x8_B.p65 - 修订版5/98
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
16 MEG ： X4，X8
SDRAM
目录
功能框图 - 梅格4 ×4 ........................
功能框图 - 梅格2 ×8 ........................
引脚说明................................................ ............
功能说明
................................................
初始化................................................. ............
寄存器定义................................................ 。
模式寄存器................................................ .....
突发长度................................................ ..
突发类型................................................ .....
CAS延迟................................................ ..
操作模式............................................
写突发模式.........................................
COMMANDS
.....................................................................
事实表1 （命令和DQM操作）
.......
命令禁止..............................................
无操作（ NOP ） ..........................................
加载模式寄存器...........................................
主动................................................. ..................
阅读................................................. ....................
写................................................. ...................
预充电................................................. ...........
自动预充电................................................ ...
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ .......
自刷新................................................ .........
手术
.......................................................................
银行/行激活.........................................
读................................................. ..................
写................................................. .................
预充电................................................. ...........
掉电............................................... ........
4
5
6
7
7
7
7
7
7
9
9
9
10
10
11
11
11
11
11
11
11
11
11
12
12
13
13
14
20
22
22
时钟暂停................................................ ....
突发读/写单....................................
同时自动预充电..............................
真值表2 （ CKE ）
.................................................
事实表3 （现状）
....................................
事实表4 （现状）
....................................
绝对最大额定值.........................................
DC电气特性和操作条件。
I
CC
工作条件和最大限制........
电容................................................. ...................
时序波形
初始化和加载模式寄存器.........................
掉电模式.............................................. ....
时钟挂起模式...............................................
自动刷新模式............................................... ...
自刷新模式............................................... .....
读和写
读 - 如果没有自动预充电........................
阅读 - 使用自动预充电..............................
交行读访问.......................
阅读 - 全页突发.......................................
阅读 - DQM操作......................................
写到
写 - 如果没有自动预充电.......................
写 - 使用自动预充电.............................
交行写访问......................
写 - 全页突发......................................
写 - DQM操作.....................................
23
23
24
26
27
29
31
31
31
32
AC电气特性（时序表）
............ 32
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
16梅格： X4，X8 SDRAM
16MSDRAMx4x8_B.p65 - 修订版5/98
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
16 MEG ： X4，X8
SDRAM
功能框图
梅格4 ×4 SDRAM
ROW
解码器
11
行向
地址
LATCH
11
2,048
BANK 0
内存
ARRAY
(2,048 x 1,024 x 4)
CKE
CLK
命令
解码
DQM
控制
逻辑
1,024 (x4)
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
感测放大器
I / O选通
DQM MASK逻辑
模式寄存器
1,024
柱分离
地址缓冲器
串计数器
4
数据
产量
注册
12
10
柱分离
地址锁存
10
COLUMN
解码器
4
4
数据
输入
8
注册
DQ0 -
DQ3
1,024
A0 - A10 ， BA
12
地址
注册
刷新
调节器
感测放大器
I / O选通
DQM MASK逻辑
11
行向
地址
MUX
刷新
计数器
1,024 (x4)
11
ROW
解码器
11
行向
地址
LATCH
11
2,048
银行1
内存
ARRAY
(2,048 x 1,024 x 4)
16梅格： X4，X8 SDRAM
16MSDRAMx4x8_B.p65 - 修订版5/98
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
16 MEG ： X4，X8
SDRAM
功能框图
2梅格×8 SDRAM
ROW
解码器
11
行向
地址
LATCH
11
2,048
BANK 0
内存
ARRAY
(2,048 x 512 x 8)
CKE
CLK
命令
解码
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
512 (x8)
DQM
感测放大器
I / O选通
DQM MASK逻辑
模式寄存器
512
柱分离
地址缓冲器
串计数器
8
数据
产量
注册
12
9
柱分离
地址锁存
9
COLUMN
解码器
8
8
数据
输入
8
注册
DQ0 -
DQ7
512
A0 - A10 ， BA
12
地址
注册
刷新
调节器
感测放大器
I / O选通
DQM MASK逻辑
11
行向
地址
MUX
刷新
计数器
512 (x8)
11
ROW
解码器
11
行向
地址
LATCH
11
2,048
银行1
内存
ARRAY
(2,048 x 512 x 8)
16梅格： X4，X8 SDRAM
16MSDRAMx4x8_B.p65 - 修订版5/98
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
查看更多MT48LC2M8A2PDF信息
推荐型号
MRSB-1-4SKG
MI-P2NT-MYY
MAX212EAG
MI-L63-IA
MI-P5P0-MYW
MI-PC6JP-IV
M38020E7DXXXFS
MAX3087CPA
MSK5046-1.7ERH
M27C801-150K1X
MBRB2090-1TRRP
MECL20M
MXB-1501-13H
MSC250V108
MAX414MJD
MVS22A12S
M27W401-100N6TR
MB15F72SPPV
MI-QC6V4-MVY
MI-P6YJ-IXX
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MT48LC2M8A2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
MT48LC2M8A2
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8363
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多MT48LC2M8A2供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！