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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第78页 > MT48LC16M8A2FC-7ELIT
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC100-和PC133兼容
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式;标准和低功耗
64毫秒， 4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
MT48LC32M4A2 - 8梅格×4× 4银行
MT48LC16M8A2 - 4梅格×8× 4银行
MT48LC8M16A2 - 2梅格×16× 4银行
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micron.com/dramds
引脚配置（顶视图）
54引脚TSOP
x4 x8 x16
-
-
NC
DQ0
NC
DQ0
V
DD
DQ0
-
V
DD
Q
NC
DQ1
DQ1 DQ2
-
VSSQ
NC
DQ3
DQ2 DQ4
-
V
DD
Q
NC
DQ5
DQ3 DQ6
-
VSSQ
NC
DQ7
V
DD
-
NC DQML
-
WE＃
-
CAS ＃
-
RAS ＃
CS ＃
-
BA0
-
BA1
-
A10
-
A0
-
A1
-
A2
-
A3
-
V
DD
-
x16 x8 x4
1
2
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40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
-
-
NC
NC
-
NC
DQ1
-
选项
配置
32梅格×4 （ 8梅格×4× 4银行）
梅格16 ×8（ 4梅格×8× 4组）
8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
写入恢复（
t
WR ）
t
WR = “ 2 CLK ”
1
封装/引脚
塑料包装 - OCPL
2
54针TSOP II （ 400万）
60球FBGA （采用8mm x 16mm）以
60球FBGA （ 11毫米X 13毫米）
时间（周期时间）
为10ns @ CL = 2 （ PC100 ）
7.5ns @ CL = 3 （ PC133 ）
7.5ns @ CL = 2 （ PC133 ）
自刷新
标准
低功耗
工作温度范围
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
产品编号举例：
记号
32M4
16M8
8M16
A2
NC
-
NC
TG
FB
3,6
FC
3,6
-8E
3,4,5
-75
-7E
无
L
无
IT
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VSS
DQ15 DQ7
VSSQ
-
DQ14
NC
DQ13 DQ6
V
DD
Q
-
DQ12
NC
DQ11 DQ5
VSSQ
-
DQ10
NC
DQ9 DQ4
V
DD
Q
-
DQ8
NC
-
VSS
-
NC
DQMH DQM
-
CLK
-
CKE
NC
-
A11
-
A9
-
A8
-
A7
-
A6
-
A5
-
A4
-
VSS
-
-
NC
-
NC
DQ3
-
NC
NC
-
NC
DQ2
-
NC
-
-
DQM
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
注意：
＃符号指示信号是低电平有效。破折号（ - ）
表明x8和x4的引脚功能相同X16引脚功能。
32梅格×4
梅格16 ×8
8梅格×16
8梅格×4× 4银行4梅格×8× 4银行2梅格×16× 4银行
4K
4K
4K
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
2K （ A0 -A9 ， A11 ）
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 -A9 ）
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
关键时序参数
速度
GRADE
-7E
-7E
-75
-8E
3,4,5
-75
-8E
3 ,4,5
时钟
使用时间调整
频率CL = 2 * CL = 3 *时间
143兆赫
133兆赫
133兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
–
5.4ns
–
–
6ns
6ns
5.4ns
–
5.4ns
6ns
–
–
1.5ns
1.5ns
1.5ns
2ns
1.5ns
2ns
HOLD
时间
0.8ns
0.8ns
0.8ns
1ns
0.8ns
1ns
MT48LC16M8A2TG-7E
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
请参考美光技术说明： TN- 48-05 。
偏离中心的分界线。
请参考美光的可用性。
不建议用于新设计。
如图所示为PC100兼容。
为FBGA器件标识表见第59页。
* CL = CAS （ READ ）延迟
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
球FBGA转让
（ TOP VIEW ）
32梅格×4
8× 16毫米和11× 13毫米
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
NC
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ3
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ0
NC
V
DD
Q
DQ1
NC
VDD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
NC
NC
VSSQ
NC
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
梅格16 ×8
8× 16毫米和11× 13毫米
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ7
NC
V
DD
Q
DQ5
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
NC
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ6
NC
VSSQ
DQ4
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ1
NC
V
DD
Q
DQ3
NC
V
DD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
过稀球
过稀球
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
128Mb的SDRAM型号一览
产品型号
MT48LC32M4A2TG
MT48LC32M4A2FC*
MT48LC32M4A2FB*
MT48LC16M8A2TG
MT48LC16M8A2FC*
MT48LC16M8A2FB*
MT48LC8M16A2TG
架构
32梅格×4
32梅格×4
32梅格×4
梅格16 ×8
梅格16 ×8
梅格16 ×8
8梅格×16
*为FBGA器件标识表见第59页。
概述
美光
128Mb的SDRAM是高速CMOS ，
含134217728动态随机存取存储器
位。它在内部配置为四银行DRAM
具有同步接口（所有信号被登记在
该时钟信号的上升沿时，CLK ） 。每X4的
33554432位银行的组织结构4096行由2048
列由4比特。每X8的33554432位的银行是
组织为4096行通过1024列由8位。每
在X16的33554432位银行的组织结构4096
行了512列16位。
读取和写入访问到SDRAM被爆ori-
ented ;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册AC-
TIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位注册coinci-
凹痕与ACTIVE命令用于选择
银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行;
A0 -A11选择行） 。地址位注册
暗合了读或写命令使用
选择用于脉冲串的起始列位置
访问。
在SDRAM提供了可编程只读
或写突发的长度1 ， 2 ，4或8的位置，或
整页，带有一阵终止选项。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电时的结尾开始了
爆序列。
128MB的SDRAM采用内部管线
体系结构来实现高速操作。这
体系结构是与预取的2n个规则兼容
体系结构，但它也可以使列地址是
改变在每个时钟周期，实现了高速，
完全随机访问。预充电一家银行，而访问 -
荷兰国际集团的其他三个银行之一，将隐藏预充电
周期并提供无缝高速，随机存取
操作。
128MB的SDRAM设计为3.3V操作
内存系统。自动刷新模式设置，沿
以节电，省电模式。所有的输入和
输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展operat-
水性能，包括能够同步
在高数据速率的自动柱分离突发数据
地址生成，会期之间交错的能力
为了隐藏预充电时间和ternal银行
能力随意改变每一列上的地址
在一个脉冲串存取的时钟周期。
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
目录
功能框图 - 32兆欧×4 ................
功能框图 - 16梅格×8 ................
功能框图 - 8梅格×16 ................
引脚说明................................................ .....
功能说明
.........................................
初始化................................................. .....
寄存器定义............................................
模式寄存器................................................
突发长度............................................
突发型...............................................
CAS延迟............................................
操作模式......................................
写突发模式....................................
命令................................................. ............
事实表1 （命令和DQM操作）
............
命令禁止.............................................
无操作（ NOP ） ..........................................
加载模式寄存器............................................
主动................................................. ...............
阅读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
自动预充电................................................ ..
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ ......
自刷新................................................ ........
操作................................................. ...............
银行/行激活........................................
读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
掉电............................................... .......
时钟暂停................................................ ...
突发读/写单....................................
5
6
7
8
9
9
9
9
9
10
11
11
11
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
14
14
15
15
16
22
24
24
25
25
同时自动预充电..............................
真值表2 （ CKE ）
................................................
事实表3 （目前的状态，同一家银行）
.....................
事实表4 （目前的状态，不同的银行）
.................
绝对最大额定值...................................
DC电气特性
与工作条件...................................
I
DD
规格和条件.........................
电容................................................. ...........
26
28
29
31
33
33
33
34
AC电气特性和建议
工作条件
（时序表） ............. 34
时序波形
初始化和加载模式寄存器......................
掉电模式............................................
时钟挂起模式.........................................
自动刷新模式............................................
自刷新模式..............................................
读和写
读 - 如果没有自动预充电...................
阅读 - 使用自动预充电........................
单读 - 如果没有自动预充电........
单读 - 带自动预充电.............
交行读访问...................
阅读 - 全页突发..................................
阅读 - DQM操作................................
写到
写 - 如果没有自动预充电.................
写 - 使用自动预充电.......................
单写 - 如果没有自动预充电.......
单写 - 带自动预充电............
交行写访问.................
写 - 全页突发.................................
写 - DQM操作..............................
37
38
39
40
41
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48
49
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53
54
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128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
功能框图
32梅格×4 SDRAM
CKE
CLK
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
命令
解码
模式寄存器
REFRESH 12
计数器
12
12
行向
地址
MUX
12
BANK0
行向
地址
LATCH
＆放大器;
解码器
4096
BANK0
内存
ARRAY
(4,096 x 2,048 x 4)
1
1
DQM
感测放大器
4
4096
数据
产量
注册
2
A0-A11,
BA0 ， BA1
地址
注册
银行
控制
逻辑
14
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
4
2048
(x4)
4
DQ0-
DQ3
2
数据
输入
注册
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
11
11
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC100-和PC133兼容
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式;标准和低功耗
64毫秒， 4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
MT48LC32M4A2 - 8梅格×4× 4银行
MT48LC16M8A2 - 4梅格×8× 4银行
MT48LC8M16A2 - 2梅格×16× 4银行
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micron.com/dramds
引脚配置（顶视图）
54引脚TSOP
x4 x8 x16
-
-
NC
DQ0
NC
DQ0
V
DD
DQ0
-
V
DD
Q
NC
DQ1
DQ1 DQ2
-
VSSQ
NC
DQ3
DQ2 DQ4
-
V
DD
Q
NC
DQ5
DQ3 DQ6
-
VSSQ
NC
DQ7
V
DD
-
NC DQML
-
WE＃
-
CAS ＃
-
RAS ＃
CS ＃
-
BA0
-
BA1
-
A10
-
A0
-
A1
-
A2
-
A3
-
V
DD
-
x16 x8 x4
1
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31
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-
-
NC
NC
-
NC
DQ1
-
选项
配置
32梅格×4 （ 8梅格×4× 4银行）
梅格16 ×8（ 4梅格×8× 4组）
8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
写入恢复（
t
WR ）
t
WR = “ 2 CLK ”
1
封装/引脚
塑料包装 - OCPL
2
54针TSOP II （ 400万）
60球FBGA （采用8mm x 16mm）以
60球FBGA （ 11毫米X 13毫米）
时间（周期时间）
为10ns @ CL = 2 （ PC100 ）
7.5ns @ CL = 3 （ PC133 ）
7.5ns @ CL = 2 （ PC133 ）
自刷新
标准
低功耗
工作温度范围
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
产品编号举例：
记号
32M4
16M8
8M16
A2
NC
-
NC
TG
FB
3,6
FC
3,6
-8E
3,4,5
-75
-7E
无
L
无
IT
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VSS
DQ15 DQ7
VSSQ
-
DQ14
NC
DQ13 DQ6
V
DD
Q
-
DQ12
NC
DQ11 DQ5
VSSQ
-
DQ10
NC
DQ9 DQ4
V
DD
Q
-
DQ8
NC
-
VSS
-
NC
DQMH DQM
-
CLK
-
CKE
NC
-
A11
-
A9
-
A8
-
A7
-
A6
-
A5
-
A4
-
VSS
-
-
NC
-
NC
DQ3
-
NC
NC
-
NC
DQ2
-
NC
-
-
DQM
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
注意：
＃符号指示信号是低电平有效。破折号（ - ）
表明x8和x4的引脚功能相同X16引脚功能。
32梅格×4
梅格16 ×8
8梅格×16
8梅格×4× 4银行4梅格×8× 4银行2梅格×16× 4银行
4K
4K
4K
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
2K （ A0 -A9 ， A11 ）
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 -A9 ）
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
关键时序参数
速度
GRADE
-7E
-7E
-75
-8E
3,4,5
-75
-8E
3 ,4,5
时钟
使用时间调整
频率CL = 2 * CL = 3 *时间
143兆赫
133兆赫
133兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
–
5.4ns
–
–
6ns
6ns
5.4ns
–
5.4ns
6ns
–
–
1.5ns
1.5ns
1.5ns
2ns
1.5ns
2ns
HOLD
时间
0.8ns
0.8ns
0.8ns
1ns
0.8ns
1ns
MT48LC16M8A2TG-7E
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
请参考美光技术说明： TN- 48-05 。
偏离中心的分界线。
请参考美光的可用性。
不建议用于新设计。
如图所示为PC100兼容。
为FBGA器件标识表见第59页。
* CL = CAS （ READ ）延迟
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
球FBGA转让
（ TOP VIEW ）
32梅格×4
8× 16毫米和11× 13毫米
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
NC
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ3
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ0
NC
V
DD
Q
DQ1
NC
VDD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
NC
NC
VSSQ
NC
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
梅格16 ×8
8× 16毫米和11× 13毫米
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ7
NC
V
DD
Q
DQ5
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
NC
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ6
NC
VSSQ
DQ4
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ1
NC
V
DD
Q
DQ3
NC
V
DD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
过稀球
过稀球
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
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2001年，美光科技公司
128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
128Mb的SDRAM型号一览
产品型号
MT48LC32M4A2TG
MT48LC32M4A2FC*
MT48LC32M4A2FB*
MT48LC16M8A2TG
MT48LC16M8A2FC*
MT48LC16M8A2FB*
MT48LC8M16A2TG
架构
32梅格×4
32梅格×4
32梅格×4
梅格16 ×8
梅格16 ×8
梅格16 ×8
8梅格×16
*为FBGA器件标识表见第59页。
概述
美光
128Mb的SDRAM是高速CMOS ，
含134217728动态随机存取存储器
位。它在内部配置为四银行DRAM
具有同步接口（所有信号被登记在
该时钟信号的上升沿时，CLK ） 。每X4的
33554432位银行的组织结构4096行由2048
列由4比特。每X8的33554432位的银行是
组织为4096行通过1024列由8位。每
在X16的33554432位银行的组织结构4096
行了512列16位。
读取和写入访问到SDRAM被爆ori-
ented ;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册AC-
TIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位注册coinci-
凹痕与ACTIVE命令用于选择
银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行;
A0 -A11选择行） 。地址位注册
暗合了读或写命令使用
选择用于脉冲串的起始列位置
访问。
在SDRAM提供了可编程只读
或写突发的长度1 ， 2 ，4或8的位置，或
整页，带有一阵终止选项。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电时的结尾开始了
爆序列。
128MB的SDRAM采用内部管线
体系结构来实现高速操作。这
体系结构是与预取的2n个规则兼容
体系结构，但它也可以使列地址是
改变在每个时钟周期，实现了高速，
完全随机访问。预充电一家银行，而访问 -
荷兰国际集团的其他三个银行之一，将隐藏预充电
周期并提供无缝高速，随机存取
操作。
128MB的SDRAM设计为3.3V操作
内存系统。自动刷新模式设置，沿
以节电，省电模式。所有的输入和
输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展operat-
水性能，包括能够同步
在高数据速率的自动柱分离突发数据
地址生成，会期之间交错的能力
为了隐藏预充电时间和ternal银行
能力随意改变每一列上的地址
在一个脉冲串存取的时钟周期。
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
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SDRAM
目录
功能框图 - 32兆欧×4 ................
功能框图 - 16梅格×8 ................
功能框图 - 8梅格×16 ................
引脚说明................................................ .....
功能说明
.........................................
初始化................................................. .....
寄存器定义............................................
模式寄存器................................................
突发长度............................................
突发型...............................................
CAS延迟............................................
操作模式......................................
写突发模式....................................
命令................................................. ............
事实表1 （命令和DQM操作）
............
命令禁止.............................................
无操作（ NOP ） ..........................................
加载模式寄存器............................................
主动................................................. ...............
阅读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
自动预充电................................................ ..
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ ......
自刷新................................................ ........
操作................................................. ...............
银行/行激活........................................
读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
掉电............................................... .......
时钟暂停................................................ ...
突发读/写单....................................
5
6
7
8
9
9
9
9
9
10
11
11
11
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
14
14
15
15
16
22
24
24
25
25
同时自动预充电..............................
真值表2 （ CKE ）
................................................
事实表3 （目前的状态，同一家银行）
.....................
事实表4 （目前的状态，不同的银行）
.................
绝对最大额定值...................................
DC电气特性
与工作条件...................................
I
DD
规格和条件.........................
电容................................................. ...........
26
28
29
31
33
33
33
34
AC电气特性和建议
工作条件
（时序表） ............. 34
时序波形
初始化和加载模式寄存器......................
掉电模式............................................
时钟挂起模式.........................................
自动刷新模式............................................
自刷新模式..............................................
读和写
读 - 如果没有自动预充电...................
阅读 - 使用自动预充电........................
单读 - 如果没有自动预充电........
单读 - 带自动预充电.............
交行读访问...................
阅读 - 全页突发..................................
阅读 - DQM操作................................
写到
写 - 如果没有自动预充电.................
写 - 使用自动预充电.......................
单写 - 如果没有自动预充电.......
单写 - 带自动预充电............
交行写访问.................
写 - 全页突发.................................
写 - DQM操作..............................
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
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48
49
50
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128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
功能框图
32梅格×4 SDRAM
CKE
CLK
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
命令
解码
模式寄存器
REFRESH 12
计数器
12
12
行向
地址
MUX
12
BANK0
行向
地址
LATCH
＆放大器;
解码器
4096
BANK0
内存
ARRAY
(4,096 x 2,048 x 4)
1
1
DQM
感测放大器
4
4096
数据
产量
注册
2
A0-A11,
BA0 ， BA1
地址
注册
银行
控制
逻辑
14
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
4
2048
(x4)
4
DQ0-
DQ3
2
数据
输入
注册
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
11
11
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