【ADVANCE256MB ： X16移动SDRAM移动SDRAM特点温度补偿自刷新（ TCSR ）完】,IC型号MT48H16M16LFFG,MT48H16M16LFFG PDF资料,MT48H16M16LFFG经销商,ic,电子元器件-51电子网

ADVANCE

256MB ： X16

移动SDRAM

特点

温度补偿自刷新（ TCSR ）

完全同步;所有信号上注册

系统时钟的上升沿，

内部流水线操作;可以列地址

可以改变每个时钟周期

内部银行隐藏行存取/预充电

可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页

自动预充电，主要包括并发AUTO

预充电和自动刷新模式

自刷新模式

64毫秒， 8192周期刷新

LVTTL兼容的输入和输出

低电压电源供应器

深度掉电

部分阵列自刷新功率节省模式

工业温度（ -40

C至+ 85

MT48V16M16LFFG ， MT48H16M16LFFG-

4梅格×16× 4银行

对于最新的数据表的修改，请参考美光

网站：

www.micron.com/dramds

引脚配置（顶视图）

54球FBGA

DQ14

DQ12

DQ10

DQ8

UDQM

NC/A12

DQ15

DQ13

DQ11

DQ9

A11

CKE

CAS \\

BA0

DQ0

DQ2

DQ4

DQ6

LDQM

RAS \\

BA1

DQ1

DQ3

DQ5

DQ7

WE \\

CS \\

A10

VDD

选项

2.5V/1.8V

1.8V/1.8V

配置

梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）

写入恢复（

WR /

DPL ）

WR = 2 CLK

塑料封装 - OCPL

54球FBGA （采用8mm x 14毫米）

时间（周期时间）

8.0ns @ CL = 3 （ 125MHz的）

为10ns @ CL = 3 （ 100MHz时）

记号

16M16

-8

-10

CON组fi guration

刷新计数

行寻址

银行地址

列寻址

梅格16 ×16

4梅格×16× 4银行

8K （ A0 - A12 ）

4 （ BA0 ， BA1 ）

512 (A0–A8)

注意：

1.请参见第58页的FBGA封装器件标识表。

256MB SDRAM型号一览

产品型号

MT48V16M16LFFG

MT48H16M16LFFG

架构

梅格16 ×16

VDD

2.5V

1.8V

关键时序参数

速度

GRADE

-8

-10

-8

-10

-8

-10

时钟

频率

125兆赫

100兆赫

83兆赫

50兆赫

40 MHZ

存取时间

CL = 1 * CL = 2 * CL = 3 *

–

19ns

22ns

–

8ns

–

7ns

–

设置保持

TIME TIME

2.5ns

1.0ns

* CL = CAS （ READ ）延迟

256MB ： X16移动SDRAM

MobileRamY26L_A.p65 - 酒吧。 5/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

产品和规格此讨论进行评价和参考PUROPOSES ONLY ，并有可能改变由

MICRON ，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。

ADVANCE

256MB ： X16

移动SDRAM

256MB SDRAM型号一览

产品型号

MT48V16M16LFFG-10

MT48V16M16LFFG-8

MT48H16M16LFFG-10

MT48H16M16LFFG-8

2.5V / 1.8V

1.8V / 1.8V

架构

梅格16 ×16

包

54球FBGA

概述

256MB的SDRAM是高速CMOS ，

包含动态随机存取存储器

268435456位。它是在内部配置为四核

银行DRAM与同步接口（所有信号

被登记在时钟信号的上升沿，则

CLK ）。每一个X16的67,108,864位银行是奥尔加

认列之为8,192行512列16位。

读取和写入访问到SDRAM是迸发

导向;存取开始在一个选定的位置和反对

tinue的位置在一个亲一个设定的号码

编程序列。访问开始与registra-

一个活跃的命令，然后后面的灰

读或写命令。地址位寄存器

羊羔暗合了ACTIVE命令使用

选择银行和行访问（ BA0 ， BA1

选择银行; A0 - A12选择行）。地址

位注册暗合了读或写的COM

命令是用来选择起始列位置

对于突发的访问。

在SDRAM提供了可编程只读或

的1 ，2，4 ，或8个位置，或全写入脉冲串长度

页面上，一阵终止选项。自动预充电

功能可被使能，以提供一个自定时排

预充电是在脉冲结束时启动的SE-

quence 。

256MB的SDRAM采用内部管线AR-

构以实现高速操作。这AR-

民族形式与预取的2n个规则兼容

体系结构，但它也可以使列地址到

在每个时钟周期被改变，以实现高

速，完全随机访问。预充电一家银行

在访问其他三家银行的人会隐藏

预充电周期，并提供无缝的，高

速度，随机存取操作。

256MB的SDRAM设计为2.5V操作

和1.8V内存系统。自动刷新模式是

设置，以及一个省电，掉电

模式。所有输入和输出都是LVTTL兼容。

SDRAM的报价在DRAM重大进展能操作

阿婷的性能，包括同步系统的能力

nously在高数据速率的自动突发数据

列地址的产生，对交织的能力

之间的内部银行隐藏预充电时间，

的能力，随意改变地址栏

关于在一个脉冲串存取的每个时钟周期。

256MB ： X16移动SDRAM

MobileRamY26L_A.p65 - 酒吧。 5/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

ADVANCE

256MB ： X16

移动SDRAM

实用

框图 - 梅格16 ×16 ..................

54球FBGA封装引脚说明....................................

功能说明

...............................................

初始化................................................. ..........

寄存器定义................................................

模式寄存器................................................ ...

突发长度................................................

突发类型................................................ ...

CAS延迟................................................

操作模式..........................................

写突发模式........................................

扩展模式寄存器...........................

温度补偿自刷新

部分阵列自刷新...........................

深度掉电......................................

驱动力...........................................

COMMANDS

...................................................................

事实表1 （命令和DQM操作）

..............

命令禁止................................................ ..

无操作（ NOP ） ............................................. 。

负载模式寄存器............................................... 。

主动................................................. ......................

阅读................................................. ......................

写................................................. ......................

预充电................................................. ...............

自动预充电................................................ .......

自动刷新................................................ ...........

自刷新................................................ .............

手术

.....................................................................

银行/行激活.............................................

读................................................. ......................

写................................................. ......................

预充电................................................. ...............

掉电............................................... ............

深度掉电.............................................. ..

时钟暂停................................................ ........

突发读/写单.......................................

同时自动预充电.................................

绝对最大额定值....................................... 32

DC电气特性

与工作条件.....................................

电容................................................. ................. 33

AC电气特性

（时序表） ......... 33

规格和条件............................. 35

时序波形

初始化和加载模式寄存器........................

掉电模式.............................................. ..

时钟挂起模式............................................

自动刷新模式............................................... 。

自刷新模式............................................... ...

读和写

读 - 如果没有自动预充电.....................

阅读 - 使用自动预充电...........................

单读 - 如果没有自动预充电.........

单读 - 带自动预充电...............

交行读访问....................

阅读 - 全页突发....................................

阅读 - DQM操作...................................

写到

写 - 如果没有自动预充电.....................

写 - 使用自动预充电...........................

单写 - 如果没有自动预充电.........

交行写访问...................

写 - 全页突发....................................

写 - DQM操作...................................

包装尺寸

54引脚FBGA .............................................. ..............

真值表2 （ CKE ）

......................................................

事实表3 （目前的状态，同一家银行）

......................

事实表4 （目前的状态，不同的银行）

.................

256MB ： X16移动SDRAM

MobileRamY26L_A.p65 - 酒吧。 5/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

ADVANCE

256MB ： X16

移动SDRAM

功能框图

梅格16 ×16 SDRAM

CKE

CLK

CS ＃

WE＃

CAS ＃

RAS ＃

控制

逻辑

BANK3

BANK2

BANK1

命令

解码

模式寄存器

刷新13

计数器

行向

地址

MUX

BANK0

行向

地址

LATCH

＆放大器;

解码器

8192

BANK0

内存

ARRAY

(8,192 x 512 x 16)

DQML ，

DQMH

感测放大器

8192

数据

产量

A0-A12,

BA0 ， BA1

地址

银行

控制

逻辑

I / O选通

DQM MASK逻辑

读数据锁存器

编写驱动程序

512

(x16)

DQ0-

DQ15

数据

输入

COLUMN

解码器

柱分离

地址

计数器/

LATCH

256MB ： X16移动SDRAM

MobileRamY26L_A.p65 - 酒吧。 5/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

ADVANCE

256MB ： X16

移动SDRAM

球说明

54球FBGA

符号

CLK

TYPE

输入

描述

时钟： CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样

在CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器

与控制输出寄存器。

时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。

停用时钟提供了预充电断电和自刷新

操作（所有银行闲置）， ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行）或

时钟挂起操作（正在进行中突发/接入）。 CKE是同步的，除了

进入设备后，断电和自刷新模式，在CKE

变为异步直到退出同一模式之后。输入缓冲器，

包括CLK ，是在断电和自刷新模式禁用，

提供低待机功耗。 CKE可连接到高电平。

芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）的

命令解码器。当CS ＃注册HIGH的所有命令被屏蔽。 CS ＃

提供了在与多家银行系统外的银行选择。 CS ＃为

的命令代码组成部分。

输入命令： CAS ＃， RAS ＃和WE ＃（连同CS ＃）定义

所输入的命令。

输入/输出面膜： DQM采样为高，是一个输入掩码信号

写存取和输出使能信号，用于读访问。输入数据是

在写周期所掩盖。输出缓冲器置于高阻抗状态

（ 2时钟延迟）当在一个读周期。 LDQM对应DQ0 - DQ7 ，

UDQM对应DQ8 - DQ15 。 LDQM和UDQM被认为是相同的

作为DQM状态时参考。

银行地址输入（ S）： BA0和BA1定义到银行ACTIVE ， READ ，

写或预充电命令被应用。这些引脚还提供

一个加载模式寄存器命令在操作码

地址输入： A0 - A12的ACTIVE命令（行过程中采样

地址A0 - A12）和读/写命令（列地址A0 -A8 ， A10带

定义自动预充电）选择一个位置在所述存储器阵列的

各银行。预充电命令，以确定是否在A10采样

所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择BA0 ， BA1 （ LOW ）的银行。

地址输入时也一个加载模式寄存器提供的操作码

命令。

数据输入/输出：数据总线

CKE

输入

CS ＃

输入

F7, F8, F9

E8 ， F1

CAS ＃， RAS ＃，

WE＃

LDQM ，

UDQM

输入

G7, G8

BA0 ， BA1

输入

H7 ， H8 ， J8 ， J7 ， J3 ， J2 ，

H 3 ，H 2， H 1 ，G 3， H9 ，G2， G1

A0–A12

输入

A8， B9 ，B8， C 9 ， C 8 ，D9，

D8 ， E9 ，E1， D2，D1 ，C2

C1， B2，B1和A2的

E2,

A7 ，B3， C 7 ，D 3

A3， B7 ，C 3， D 7 ，

A9 ， E7 ， J9

A 1 ，E3， J1

DQ0–DQ15

I / O

–

供应

无连接：该引脚悬空。

DQ电源：提供隔离电源的DQ ，以提高抗噪声能力。

DQ地：提供隔离地面的DQ ，以提高抗噪声能力。

电源：电压依赖的选择。

地面上。

256MB ： X16移动SDRAM

MobileRamY26L_A.p65 - 酒吧。 5/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司