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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2447页 > MT46V128M4TG-8L
ADVANCE
512MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
双倍数据速率
（ DDR ） SDRAM
特点
V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V
双向数据选通（ DQS ）发送/
用数据，即，源同步数据接收
捕捉（ X16有两个 - 每个字节1 ）
内部，流水线双倍数据速率（DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
进入每个积极的CK边缘命令
DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
四个内部银行的并发操作
数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据（ X16有
2 - 每个字节1 ）
可编程突发长度： 2 ， 4或8
X16具有可编程IOL / IOV 。
支持并发自动预充电选项
自动刷新和自刷新模式
更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
MT46V128M4 - 梅格32 ×4× 4银行
MT46V64M8 - 梅格16 ×8× 4银行
MT46V32M16 - 8梅格×16× 4银行
对于最新的数据表的修改，请参考美光
网站：
www.micron.com/datasheets
引脚配置（顶视图）
66针TSOP
x4
x8
x16
V
DD
V
DD
V
DD
NC
DQ0
DQ0
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
NC
DQ1
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
Q
V
SS
Q
VSSQ
NC
NC
DQ3
NC
DQ2
DQ4
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
NC
DQ5
DQ1
DQ3
DQ6
V
SS
Q
V
SS
Q
VSSQ
NC
NC
DQ7
NC
NC
NC
V
DD
Q V
DD
Q
V
DD
Q
NC
NC
LDQS
NC
NC
NC
V
DD
V
DD
V
DD
DNU
DNU
DNU
NC
NC
LDM
WE＃
WE＃
WE＃
CAS ＃ CAS ＃
CAS ＃
RAS ＃ RAS ＃
RAS ＃
CS ＃
CS ＃
CS ＃
NC
NC
NC
BA0
BA0
BA0
BA1
BA1
BA1
A10 / A10 AP / AP A10 / AP
A0
A0
A0
A1
A1
A1
A2
A2
A2
A3
A3
A3
V
DD
V
DD
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
选项
记号
配置
128梅格×4 （ 32兆×4× 4组）
128M4
64梅格×8
（梅格16 ×8× 4组）
64M8
梅格32 ×16
（ 8梅格×16× 4组）
32M16
塑料包装 - OCPL
66针TSOP （标准22.3毫米长度） TG
（ 400密耳的宽度， 0.65毫米引脚间距）
时间 - 周期时间
7.5ns @ CL = 2（ DDR266B ）
1
-75Z
2
7.5ns @ CL = 2.5 （ DDR266B ）
-75
2
为10ns @ CL = 2 （ DDR200 ）
-8
自刷新
标准
无
低功耗
L
注意：
1.支持PC2100模块时序2-3-3
2.支持PC2100模块2.5-3-3时机
3.支持PC1600模块时序2-2-2
x16
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
Q
UDQS
DNU
V
REF
V
SS
UDM
CK ＃
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
x8
V
SS
DQ7
V
SS
Q
NC
DQ6
V
DD
Q
NC
DQ5
V
SS
Q
NC
DQ4
V
DD
Q
NC
NC
V
SS
Q
的DQ
DNU
V
REF
V
SS
DM
CK ＃
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
x4
V
SS
NC
V
SS
Q
NC
DQ3
V
DD
Q
NC
NC
V
SS
Q
NC
DQ2
V
DD
Q
NC
NC
V
SS
Q
的DQ
DNU
V
REF
V
SS
DM
CK ＃
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
BankAddressing
列寻址
128梅格×4
梅格32 ×4× 4银行
8K
8K(A0–A12)
4 （ BA0 ， BA1 ）
4K(A0–A9,A11,A12)
64梅格×8
梅格32 ×16
梅格16 ×8× 4银行8梅格×16× 4银行
8K
8K(A0–A12)
4 （ BA0 ， BA1 ）
2K （ A0 -A9 ， A11 ）
8K
8K(A0–A12)
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K(A0–A9)
关键时序参数
速度
GRADE
-75
-75
-8
时钟速率
CL = 2 **
133兆赫
100兆赫
100兆赫
CL = 2.5 **
133兆赫
133兆赫
125兆赫
数据输出
2.5ns
2.5ns
3.4ns
ACCESS
±0.75ns
±0.75ns
±0.8ns
DQS -DQ
SKEW
+0.5ns
+0.5ns
+0.6ns
WINDOW *窗口
*最小时钟速率@ CL = 2 （ -8）和CL = 2.5 （ -75 ）
** CL = CAS （ READ ）延迟
512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65 - 版本B ;酒吧4/01
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
产品和规格此讨论评估和仅供参考， ARE
如有更改，美光，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的
生产数据表规格。
ADVANCE
512MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
512MB DDR SDRAM型号一览
（注： XX = -75 ， -75Z ，或-8 ）
产品型号
MT46V128M4TG-xx
MT46V128M4TG-xxL
MT46V64M8TG-xx
MT46V64M8TG-xxL
MT46V32M16TG-xx
MT46V32M16TG-xxL
CON组fi guration
128梅格×4
128梅格×4
64梅格×8
64梅格×8
梅格32 ×16
梅格32 ×16
I / O驱动电平
全驱动
全驱动
全驱动
全驱动
可编程驱动
可编程驱动
刷新选项
标准
低功耗
标准
低功耗
标准
低功耗
概述
512MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，
包含动态随机存取存储器
536,870,912位。它是在内部配置为四核
银行的DRAM 。
512MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是一个2 N-
预取结构与设计的接口
传送每个时钟周期两个数据字的I / O引脚。
为512MB DDR SDRAM的单个读或写访问
有效地由一个单一的2n位的宽，一个顺时针
在内部DRAM芯和两个周期的数据传输
相应
n位
宽，一个半时钟周期的数据
传输的I / O引脚。
双向数据选通（ DQS ）发送EX-
ternally ，与数据一起，用于在所述数据采集使用
接收器。 DQS是DDR的传输频闪
SDRAM中读出并通过存储器控制器
中写道。 DQS是边沿对齐与数据
读取和中心对齐与写入数据。该
x16的产品有两个数据选通信号，一个用于低字节
和一个用于高字节。
512MB的DDR SDRAM从differen-工作
TiAl金属时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的路口去HIGH
和CK ＃变低将被称为正
CK的边缘。命令（地址和控制信号）
注册在CK的每个上升沿。输入数据
被登记在DQS的两个边缘，和输出数据是
参考DQS的两个边缘，以及两者
CK的边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是
爆导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始的寄存器
积极的命令，这是随后的tration
通过读或写命令。地址位寄存器
羊羔暗合了ACTIVE命令使用
选择银行和行进行访问。地址
位注册暗合了读或写的COM
命令用于选择银行和同事开始
UMN地点为突发访问。
在DDR SDRAM提供了可编程只读
或写突发的2 ，4或8个位置的长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电时的结尾开始了
突发存取。
与标准的SDR SDRAM芯片，所述流水线式
DDR SDRAM芯片的多组结构允许用于信号
当前的操作，从而提供高有效
带宽隐藏行预充电和激活
时间。
自动刷新模式设置，以及一个
节能省电模式。所有的输入都是的COM
兼容与JEDEC标准SSTL_2 。全部爆满
驱动力输出是SSTL_2 ， II类相容
IBLE 。
注意：
1.功能性和时序规范
本数据手册介绍了与启用DLL ，
操作模式。
2.在整个数据表，各种人物和
文本指的DQ为“ DQ ”的DQ项被
解释为任何和所有的DQ的统称，除非
特别说明，否则。此外，该x16的是
分成两个字节，低位字节和上
字节。对于低字节（ DQ0通过DQ7 ） DM
指的是LDM和DQS是指LDQS ;而对于
高字节（通过DQ15 DQ8 ） DM是指UDM
和DQS是指UDQS 。
512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65 - 版本B ;酒吧4/01
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
ADVANCE
512MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
目录
功能框图 - 128梅格×4 .............
功能框图 - 64梅格×8 ...............
功能框图 - 梅格32 ×16 .............
引脚说明................................................ ......
功能说明
.........................................
初始化................................................. .....
寄存器定义.............................................
模式寄存器...............................................
突发长度............................................
突发类型................................................
读取延迟...........................................
操作模式......................................
扩展模式寄存器...............................
DLL使能/禁用.................................
COMMANDS
............................................................
事实表1 （命令）
.......................................
事实表1A （ DM操作）
.................................
取消................................................. .............
无操作（ NOP ） ..........................................
加载模式寄存器...........................................
主动................................................. ...............
阅读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
自动预充电................................................ ..
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ ......
自刷新................................................ .........
手术
..............................................................
银行/行激活.......................................
读................................................. ...............
读突发................................................ ....
连续读取突发..............................
非连续阅读阵阵.......................
随机读访问................................
终止读突发............................
读到写...............................................
读预充电.........................................
写................................................. ...............
写突发................................................ ....
连续写来写.........................
非连续写入到写..................
4
5
6
7
9
9
9
9
9
10
11
11
12
12
13
13
13
14
14
14
14
14
14
14
14
14
15
15
16
16
17
18
19
20
21
23
24
25
26
27
28
29
随机写入............................................
写阅读 - Uninterrupting ..................
写阅读 - 中断.......................
写阅读 - 奇，中断.............
写入预充电 - Uninterrupting ..........
写入预充电 - 中断...............
写入预充电 - 奇，打断......
预充电................................................. ..........
掉电............................................... ......
真值表2 （ CKE ）
.................................................
事实表3 （目前的状态，同一家银行）
.....................
事实表4 （目前的状态，不同的银行）
.................
工作条件
绝对最大额定值....................................
直流电气和工作条件.....................
AC输入工作条件...........................
时钟输入工作条件.......................
电容 - X4，X8 ............................................. 。
I
DD
规范和条件 - X4，X8 ...........
电容 - X16 ............................................... ...
I
DD
规范和条件 - X16 ...............
AC电气特性（时序表） ..........
压摆率降额表.......................................
数据有效窗口降级...............................
电压和时序波形
额定输出驱动曲线.........................
降低输出驱动曲线（仅X16 ） ........
输出时序 -
t
DQSQ和
t
QH - X4，X8 ......
输出时序 -
t
DQSQ和
t
QH - X16 ..........
输出时序 -
t
交
t
DQSCK .................
输入时序................................................ .....
输入电压................................................ ....
初始化和加载模式寄存器..................
掉电模式..........................................
自动刷新模式...........................................
自刷新模式.............................................
读和写
银行读 - 如果没有自动预充电........
银行读 - 带自动预充电..............
写到
银行写 - 如果没有自动预充电.......
银行写 - 带自动预充电.............
写 - DM操作................................
66针TSOP （ TG ）尺寸...............................
30
31
32
33
34
35
36
37
37
38
39
41
43
43
43
44
45
45
46
46
47
48
52
53
54
55
56
57
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65 - 版本B ;酒吧4/01
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
ADVANCE
512MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
功能框图
128梅格×4
CKE
CK ＃
CK
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
命令
解码
模式寄存器
刷新13
计数器
13
13
行向
地址
MUX
13
BANK0
行向
地址
LATCH
＆放大器;
解码器
8192
BANK0
内存
ARRAY
(8,192 x 2,048 x 8)
4
8
读
LATCH
MUX
4
的DQ
发电机
COL0
4
CK
数据
DLL
感测放大器
16,384
DRVRS
1
DQ0 -
DQ3 ， DM
的DQ
的DQ
1
1
1
2
4
8
4
数据
4
4
4
RCVRS
1
2
I / O选通
DM面膜逻辑
银行
控制
逻辑
8
1
面膜
写
FIFO
＆放大器;
DRIVERS
ck
OUT
ck
in
输入
注册
A0-A12,
BA0 ， BA1
15
地址
注册
2
2048
(x8)
8
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
11
12
CK
COL0
1
1
512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65 - 版本B ;酒吧4/01
4
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ADVANCE
512MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
功能框图
64梅格×8
CKE
CK ＃
CK
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
命令
解码
模式寄存器
刷新13
计数器
13
13
行向
地址
MUX
13
BANK0
行向
地址
LATCH
＆放大器;
解码器
8192
BANK0
内存
ARRAY
(8192 x 1024 x 16)
8
16
读
LATCH
MUX
8
的DQ
发电机
COL0
8
CK
数据
DLL
感测放大器
16,384
DRVRS
1
DQ0 -
DQ7 ， DM
的DQ
的DQ
1
1
1
2
8
16
8
数据
8
8
8
RCVRS
1
2
I / O选通
DM面膜逻辑
银行
控制
逻辑
16
1
面膜
写
FIFO
＆放大器;
DRIVERS
ck
OUT
ck
in
输入
注册
A0-A12,
BA0 ， BA1
15
地址
注册
2
1024
(x16)
16
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
10
11
CK
COL0
1
1
512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65 - 版本B ;酒吧4/01
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M24C08-DS3T/G
MDT10P55B3S
MX480
MAX6706AZKA-T
MP03XXX360
MHV5IC1810NR2
MC28U064HCFB-0QC00
MI-PC623-IW
M38227EADXXXFP
MX27C1100MC-85
MC78M09CDTRK
MC10EP58DG
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