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MT3S41T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S41T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位:mm
特点
低噪声系数: NF = 1.2分贝( @ F = 2GHz的)
高增益: | S21e |
2
= 10分贝( @ F = 2GHz的)
记号
3
Q7
1
2
TESM
JEDEC
JEITA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
80
40
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
2-1B1A
东芝
重量: 0.0022克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01
MT3S41T
微波特性
( TA = 25°C )
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
| S21e | (1)
| S21e | (2)
NF(1)
NF(2)
2
2
测试条件
V
CE
= 3V ,我
C
= 20mA时, F = 2GHz的
V
CE
= 3V ,我
C
= 20mA时, F = 1GHz的
V
CE
= 3V ,我
C
= 20mA时, F = 2GHz的
V
CE
= 3V ,我
C
= 5毫安中,f = 1GHz的
V
CE
= 3V ,我
C
= 5毫安, F = 2GHz的
11
13.5
8
-
-
典型值。
15
15.5
10
0.8
1.2
最大
-
-
-
-
1.8
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ,我
E
=0
V
EB
= 1V ,我
C
=0
V
CE
= 3V ,我
C
=20mA
V
CB
= 1V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= 1V ,我
E
= 0 , F = 1MHz的(注1 )
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.9
0.55
最大
1
1
140
1.4
0.9
单位
A
A
-
pF
pF
注1 :
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项:
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地,当你处理。
2
2007-11-01
MT3S41T
|S21e|
2
-I
VCE=3V
15
2V
1V
10
插入增益| S21e | (分贝)
|S21e|
2
-I
20
插入增益| S21e | (分贝)
15
2
2
VCE=3V
10
2V
1V
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流I C (毫安)
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C (毫安)
100
反向传输电容Cre重组酶(PF )
输出电容科夫(PF )
20
跃迁频率英尺(千兆赫)
FT- I C
VCE=3V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
CRE ,COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
15
2V
10
1V
CRE
5
f=2GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流I C (毫安)
100
0
1
10
集电极 - 基极电压V CB ( V)
3.5
3.0
噪声系数NF ( dB)的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
14
12
Ga
NF
10
8
6
4
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
2
相关的增益嘎(分贝)
集电极耗散功率PC (MW )
120
100
80
60
40
20
0
0
P·C -Ta
10
集电极电流I C (毫安)
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta( ℃ )
175
3
2007-11-01
MT3S41T
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2007-11-01
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    联系人:杨小姐
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