MT3S41FS
东芝三极管
NPN硅外延平面型
MT3S41FS
VCO振荡阶段
超高频低噪声放大器的应用
0.35±0.05
0.15±0.05
1.0±0.05
0.8±0.05
单位：mm
0.2±0.05
特点
高增益： | S21e |
2
值为10.0分贝（ @ F = 2千兆赫）
0.6±0.05
低噪声系数： NF = 1.2分贝（ @ F = 2千兆赫）
1
3
0.1±0.05
记号
0.1±0.05
2
3
26
2
1
+0.02
0.48 -0.04
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
80
40
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
0.1±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
FSM
JEDEC
-
JEITA
-
东芝
2-1E1A
重量： 0.0006克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：设备安装在玻璃环氧印刷电路板（ 1.0厘米
2
×0.8毫米（ t））的
1
2007-11-01
MT3S41FS
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
| S21e | （1）
| S21e | （2）
NF （1）
NF（ 2）
2
2
测试条件
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
民
11
13.5
8
-
-
典型值。
15
15.5
10
0.8
1.2
最大
-
-
-
-
1.8
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1兆赫（注
1)
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.72
0.46
最大
1
1
140
1.10
0.85
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
注2 ：
C
re
用三端法用电容电桥测量。
该产品是无铅的文章。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。请务必提供所有的工具和设备，
充足的接地。
2
2007-11-01
MT3S41FS
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
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2007-11-01
MT3S41FS
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S41FS
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
0.35±0.05
0.15±0.05
1.0±0.05
0.8±0.05
单位：mm
0.2±0.05
特点
·
高增益： | S21e | = 10.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
0.6±0.05
·
低噪声系数： NF = 1.2分贝（ @ F = 2GHz的）
1
3
0.1±0.05
记号
2
3
0.1±0.05
2
26
1
+0.02
0.48 -0.04
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
80
40
100
150
55~150
2
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.1±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
FSM
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.0006克
-
-
2-1E1A
注：设备安装在玻璃环氧印刷电路板（ 0.88厘米
×0.7
毫米（ t））的
1
2003-02-14
MT3S41FS
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2003-02-14
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