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MT3S35FS
东芝三极管
NPN硅外延平面型
MT3S35FS
VCO振荡阶段
超高频低噪声放大器的应用
0.35±0.05
0.15±0.05
1.0±0.05
0.8±0.05
单位:mm
0.2±0.05
特点
高增益: | S21e |
2
= 13.0分贝( @ F = 2千兆赫)
0.6±0.05
低噪声系数: NF = 1.4分贝( @ F = 2千兆赫)
1
3
0.1±0.05
记号
0.1±0.05
2
3
20
2
1
+0.02
0.48 -0.04
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
0.1±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
FSM
JEDEC
-
JEITA
-
东芝
2-1E1A
重量: 0.0006克(典型值)。
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :设备安装在玻璃环氧印刷电路板( 1.0厘米
2
×0.8毫米( t))的
1
2007-11-01
MT3S35FS
微波特性
( TA = 25°C )
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
| S21e | (1)
| S21e | (2)
NF (1)
NF( 2)
2
2
测试条件
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 2毫安, F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 2毫安, F = 2 GHz的
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 1 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CB
= 1 V,I
E
= 0中,f = 1兆赫(注
1)
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.30
0.15
最大
1
1
140
0.50
0.28
单位
A
A
-
pF
pF
注1 :
注2 :
注意事项:
C
re
用三端法用电容电桥测量。
该产品是无铅的文章。
该器件对静电放电敏感。请务必提供所有的工具和设备
有足够的接地。
2
2007-11-01
MT3S35FS
20
插入增益| S21e |
2
( dB)的
|S21e|
2
-I
C
VCE=3V
15
插入增益| S21e |
2
( dB)的
15
|S21e|
2
-I
C
VCE=3V
1V
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25°C
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25°C
10
集电极电流I
C
(MA )
100
反向传输电容
华润创业(PF )
25
FT-我
C
0.45
0.40
输出电容科夫(PF )
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.1
CRE ,COB -V
CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25°C
跃迁频率
FT(千兆赫)
20
VCE=3V
15
1V
COB
10
5
f=2GHz
Ta=25°C
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
CRE
0
1
10
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
4.0
3.5
噪声系数NF ( dB)的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF
Ga
16
相关的增益嘎(分贝)
14
12
10
8
6
集电极耗散功率PC (MW )
NF ,嘎我
C
P
C
-Ta
150
125
100
75
50
25
设备
0
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度Ta (
)
设备安装在一个玻璃环氧印刷电路板
( 1.0平方厘米X为0.8mm( T) )
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25°C
4
2
0
10
100
集电极电流I
C
(MA )
3
2007-11-01
MT3S35FS
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2007-11-01
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    -
    -
    -
    -
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MT3S35FS
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99000
FSM
产品优势可售样板
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