【MT3S15TU东芝三极管NPN硅外延平面型MT3S15TUVHF - UHF低噪声，低失真放大器的】,IC型号MT3S15TU,MT3S15TU PDF资料,MT3S15TU经销商,ic,电子元器件-51电子网

MT3S15TU

东芝三极管

NPN硅外延平面型

MT3S15TU

VHF - UHF低噪声，低失真放大器的应用

2.1±0.1

+0.1

0.3 -0.05

0.166±0.05

1.7±0.1

0.65±0.05

单位：mm

特点

高增益： | S

21e

| = 13.5分贝（典型值）（ @ F = 1千兆赫）

2.0±0.1

低噪声系数： NF = 1.6分贝（典型值）（ @ F = 1千兆赫）

1.基地

2.辐射源

3.收集

UFM

JEDEC

JEITA

东芝

2-2U1B

重量： 6.6毫克（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - BaseVoltage

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（注1 ）

英镑

等级

900

150

单位

°C

注1：该装置被安装在陶瓷基板（25.4毫米× 25.4毫米×0.8毫米（ t））的

注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致该产品的可靠性降低显著即使

工作条件（即工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

0.7±0.05

记号

2009-03-31

MT3S15TU

微波特性（Ta = 25°C ）

特征

跃迁频率

插入增益

噪声系数

3阶互调失真输出

截取点

符号

21e

| (1)

21e

| (2)

OIP

测试条件

= 5 V，I

-50毫安

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 500 MHz的

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 20 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 50 mA时， F = 500 MHz时，

⊿f=1

兆赫

民

9.5

11.5

28.5

典型值。

11.5

19.5

13.5

1.6

32.5

最大

单位

GHz的

dBmW

电气特性（Ta = 25 ° C）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

反向传输电容

符号

CBO

EBO

测试条件

= 6 V，I

=0 A

= 1 V，I

=0 A

= 5 V，I

-50毫安

= 5 V，I

= 0 ， F = 1兆赫

（注3）

民

100

典型值。

160

0.6

最大

100

250

0.85

单位

注3 ：C

使用3端子法与电容电桥测

注意事项：

该器件对静电放电敏感。

请工具和设备接地足够，当你处理。

2009-03-31

MT3S15TU

-I

1000

-V

100

共发射极

Ｖ

ＣＥ

＝５Ｖ

Ｔ½＝２５℃

集电极电流I

（MA ）

共发射极

Ｖ

ＣＥ

＝５Ｖ

Ｔ½＝２５℃

0.1

0.01

0.001

直流电流增益

100

0.2

0.4

0.6

0.8

集电极电流I

（MA ）

基极 - 发射极电压V

(V)

-V

100

ＣＯＭＭＯＮＥＭＩＴＴＥＲ

Ｔ½＝２５℃

IB=800μA

720μA

640μA

560μA

480μA

400μA

320μA

240μA

-I

ＶＣＥ＝５Ｖ

Ｔ½＝２５℃

过渡频率f

（千兆赫）

集电极电流I

（MA ）

160μA

80μA

100

集电极 - 发射极电压V

(V)

21e

-I

ＶＣＥ＝５Ｖ

Ｔ½＝２５℃

集电极电流I

（MA ）

NF ，嘎-I

ＶＣＥ＝５Ｖ

½＝１ＧＨ½

Ｔ½＝２５℃

插入增益| S

21e

（ dB）的

100

f=1000MHz

噪声系数NF （ dB）的

2.5

1.5

0.5

Ｇ½

ＮＦ

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

2009-03-31

相关的增益嘎（分贝）

f=500MHz

3.5

MT3S15TU

-V

反向传输电容C

（PF ）

1.8

ＩＥ＝０

½＝１ＭＨ½

Ｔ½＝２５℃

OIP

-I

三阶互调失真

输出截取点OIP

（ dBmW ）

100

Ｐ½½＝－１５½Ｂ½Ｗ

½＝５００ＭＨ½

（⊿１ＭＨ½）

Ｔ½＝２５℃

输出电容C

（PF ）

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

VCE=5V

VCE=4V

COB

CRE

集电极 - 基极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

-T

集电极耗散功率P

（ mW）的

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

该装置被安装在一个陶瓷 -

board(25.4mm×25.4mm×0.8mm(t))

设备只

100

125

150

环境温度T

(

°C

)

2009-03-31

MT3S15TU

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2009-03-31