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MT3S113
东芝三极管
硅锗NPN外延平面型
MT3S113
VHF - UHF频段低噪声,低失真放大器的应用
单位:mm
特点
低噪声系数: NF = 1.15分贝(典型值) ( @ F = 1GHz的)
高增益: | S21e |
2
= 11.8分贝(典型值) ( @ F = 1GHz的)
记号
R7
1.
2.
3.
BASE
辐射源
集热器
S-迷你
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(Note1)
T
j
T
英镑
等级
13
5.3
0.6
100
10
800
150
55
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
TO-236
JEITA
SC-59
东芝
2-3F1A
重0.012克(典型值)
JEDEC
注1 :该装置被安装在陶瓷基板(25.4毫米× 25.4毫米×0.8毫米( t))的
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和显著的应用
温度变化等),可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
工作条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2009-12-01
MT3S113
微波特性(Ta = 25°C )
特征
跃迁频率
插入增益
符号
f
T
| S21e | (1)
| S21e | (2)
NF(1)
NF(2)
OIP3
2
2
测试条件
V
CE
=5V,I
C
=50mA
V
CE
=5V,I
C
=50mA,f=500MHz
V
CE
=5V,I
C
=50mA,f=1GHz
V
CE
=5V,I
C
=50mA,f=500MHz
V
CE
=5V,I
C
=50mA,f=1GHz
V
CE
=5V,I
C
=50mA,f=500MHz,
⊿f=1MHz
10.5
9.5
32
典型值
12.5
17.5
11.8
0.91
1.15
35.9
最大
1.45
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dBmW
噪声系数
3阶互调失真输出
截取点
rd
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向传输电容
符号
I
CBO
h
FE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
=5V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=30mA
V
CB
=5V,I
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
=5V,I
E
= 0 , F = 1MHz的(注3 )
200
典型值
1.49
0.94
最大
0.1
400
1.25
单位
μA
pF
pF
注3 :C
re
使用3端子法与电容电桥测
注意事项:
此设备是静电放电敏感由于所施加的高频晶体管过程
f
T
= 60GHz的类用于该产品。
请赚到足够的工具和设备接地,当你处理。
2
2009-12-01
MT3S113
h
FE
-I
C
1000
VCE=5V
I
C
-V
BE
100
VCE=3V
集电极电流I
C
(MA )
10
共发射极
VCE=5V
Ta=25°C
直流电流增益hFE
1
100
0.1
0.01
10
共发射极
Ta=25°C
1
10
100
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
集电极电流I
C
(MA )
I
C
-V
CE
100
90
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
f
T
-I
C
18
440μA
共发射极
Ta=25°C
IB=520uA
VCE=5V
16 TA = 25℃
过渡频率f
T
(千兆赫)
6
集电极电流I
C
(MA )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
360μA
280μA
200μA
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
120μA
40μA
5
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
C
re
,C
ob
-V
CB
反向传输电容C
re
(PF )
2.8
IE=0
f=1MHz
Ta=25°C
集电极电流I
C
(MA )
|S
21e
|
2
-f
40
IC=50mA
Ta=25°C
输出电容C
ob
(PF )
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.1
1
COB
CRE
插入增益| S
21e
|
2
( dB)的
30
20
10
3V
5V
10
0
0.1
1
10
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
频率f( GHz)的
3
2009-12-01
MT3S113
|S
21e
|
2
-I
C
20
16
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
F = 1GHz的
VCE=3V
18 TA = 25℃
NF-1
C
2.5
VCE=3V
Ta=25°C
F = 1GHz的
1.5
1
0.5
0
1
10
100
F = 500MHz的
插入增益| S
21e
|
2
( dB)的
2
噪声系数NF ( dB)的
14
F = 500MHz的
集电极电流I
C
(MA )
|S
21e
|
2
-I
C
20
16
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
F = 1GHz的
VCE=4V
18 TA = 25℃
集电极电流I
C
(MA )
NF-1
C
2.5
VCE=4V
Ta=25°C
F = 1GHz的
1.5
1
0.5
0
1
10
100
F = 500MHz的
插入增益| S
21e
|
2
( dB)的
2
噪声系数NF ( dB)的
14
F = 500MHz的
集电极电流I
C
(MA )
|S
21e
|
2
-I
C
20
16
VCE=5V
18 TA = 25℃
2.5
集电极电流I
C
(MA )
NF-1
C
VCE=5V
Ta=25°C
F = 1GHz的
1.5
1
0.5
0
F = 500MHz的
2
插入增益| S
21e
|
2
( dB)的
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
F = 1GHz的
噪声系数NF ( dB)的
14
F = 500MHz的
1
10
100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
2009-12-01
MT3S113
IM3/P
OUT
-P
in
三阶交调IM3失真( dBmW )
OIP
3
-I
C
三阶互调失真
40
20
10
输出截取点OIP
3
( dBmW )
输出电平P
OUT
( dBmW )
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
f1=500MHz
f2=501MHz
VCE=3V
IC=50mA
Ta=25°C
35
30
25
20
15
10
f1=500MHz
f2=501MHz
Pin=-15dBmW
VCE=3V
Ta=25°C
IM3
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
1
10
100
输入电平P
in
( dBmW )
IM3/P
OUT
-P
in
三阶交调IM3失真( dBmW )
集电极电流I
C
(MA )
OIP
3
-I
C
三阶互调失真
40
20
10
输出截取点OIP
3
( dBmW )
输出电平P
OUT
( dBmW )
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
f1=500MHz
f2=501MHz
VCE=4V
IC=50mA
Ta=25°C
35
30
25
20
15
10
f1=500MHz
f2=501MHz
Pin=-15dBmW
VCE=4V
Ta=25°C
IM3
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
1
10
100
输入电平P
in
( dBmW )
IM3/P
OUT
-P
in
三阶交调IM3失真( dBmW )
集电极电流I
C
(MA )
OIP
3
-I
C
三阶互调失真
40
20
10
输出截取点OIP
3
( dBmW )
输出电平P
OUT
( dBmW )
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
f1=500MHz
f2=501MHz
VCE=5V
IC=50mA
Ta=25°C
35
30
25
20
15
10
f1=500MHz
f2=501MHz
Pin=-15dBmW
VCE=5V
Ta=25°C
IM3
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
1
10
100
输入电平P
in
( dBmW )
集电极电流I
C
(MA )
5
2009-12-01
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    -
    -
    -
    -
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MT3S113
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