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MT6L57AE
東芝トランジスタ シリコン
NPN
エピタキシャルプレーナ½
MT6L57AE
○
VHF UHF
帯½雑音増幅用/½電圧動½·½½相雑音タ
イプ
·
超小型·薄型エクストリームスーパーミニ
(6
ピン)
ES6
パッケージに
2
素
子を内蔵しています。
単½:
mm
搭載チップ
Q1 ： SSM （ TESM ）
相½する
3
ピン
（ SSM / TESM ）
モールド½品
MT3S06S
(MT3S06T)
Q2 ： SSM （ TESM ）
MT3S04AS
(MT3S04AT)
最大定格
（大
=
25°C)
項
目
記 号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(注 1)
T
j
T
英镑
Q1
10
5
1.5
15
7
100
125
-55~125
Q2
10
5
2
40
10
単½
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
コ レ ク タ ½ ベ ー ス 間 電 圧
コ レ ク タ ½ エ ミ ッ タ 間 電 圧
エ ミ ッ タ ½ ベ ー ス 間 電 圧
コ
ベ
コ
接
保
レ
ー
レ
合
存
ク
ク
ス
タ
温
温
タ
電
電
損
流
流
失
度
度
JEDEC
JEITA
東
芝
―
―
2-2N1C
質量:
0.003 g (標準)
注
1:
Q1、Q2
トータルの許容損失
現品表示
内部接続
1
2003-03-28
MT6L57AE
電気的特性
Q1
（大
=
25°C)
項
コ
エ
直
レ ク
ミ ッ
流
タ し
タ し
電
流
目
ゃ 断 電 流
ゃ 断 電 流
増
幅
率
記 号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
S
21e
2
(1)
S
21e
2
(2)
NF （1）
NF（ 2）
C
re
測 定 条 件
V
CB
=
5 V，I
E
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
7毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
1 V，I
C
=
3毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
3毫安，女
=
2 GHz的
V
CB
=
1 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
(注 2)
最小
70
7
4.5
標準
10
7.5
8
1.7
1.6
0.35
最大
0.1
1
140
3
3
0.75
GHz的
dB
単½
mA
mA
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
挿
入
電
力
利
得
雑
帰
音
還
指
容
数
量
dB
pF
注
2:
C
re
は
3
端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
電気的特性
Q2
（大
=
25°C)
項
コ
エ
直
レ ク
ミ ッ
流
タ し
タ し
電
流
目
ゃ 断 電 流
ゃ 断 電 流
増
幅
率
記 号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
(1)
f
T
(2)
S
21e
2
(1)
S
21e
2
(2)
NF （1）
NF（ 2）
C
re
測 定 条 件
V
CB
=
5 V，I
E
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
7毫安
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
20毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
1 V，I
C
=
5毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
7毫安，女
=
1 GHz的
V
CB
=
1 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
(注 2)
最小
80
2
5
7.5
標準
4.5
7
8.5
11
1.3
1.2
0.9
最大
0.1
1
160
2.2
2
1.25
GHz的
単½
mA
mA
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
挿
入
電
力
利
得
dB
雑
帰
音
還
指
容
数
量
dB
pF
注
2:
C
re
は
3
端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
取り扱い上の注意
この½品は構造上静電気に弱いため½品を取り扱う際、
½業台½人½はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ
い。
2
2003-03-28
查看更多MT3S04ASPDF信息
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