MT3S03AFS
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S03AFS
0.6±0.05
0.35±0.05
0.2±0.05
1
3
2
0.8±0.05
1.0±0.05
0.1±0.05
0.1±0.05
1.Base
2.Emitter
3.Collector
VHF UHF频段振荡器/缓冲器应用
在振荡器和缓冲优异的效能表现
卓越的噪声特性
: NF = 1.7 dB时, | S
21e
| = 5.5分贝( F = 2千兆赫)
2
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
10
5
2
40
10
85
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
FSM
JEDEC
JEITA
东芝
0.48
-0.04
+0.02
0.15±0.05
VHF UHF波段低噪声放大器的应用
单位:mm
―
―
2-1E1A
重量: 0.0006克(典型值)。
存储温度范围
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加和显著变化
在温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/
电压
等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告,并估计
故障率等)。
2
注1 :
10 mm
×
1.0毫米(t)的,安装在一
玻璃
- 环氧印刷电路板。
记号
3
00
2
1
1
2007-11-01
MT3S03AFS
微波特性
(大
=
25°C)
特征
跃迁频率
插入增益
噪声系数
符号
f
T
S
21e
(1)
S
21e
(2)
NF (1)
2
2
条件
V
CE
=
3 V,I
C
=
10毫安
V
CE
=
1 V,I
C
=
5毫安,女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V,I
C
=
20毫安,女
=
2 GHz的
V
CE
=
1 V,I
C
=
5毫安,女
=
2 GHz的
民
7
6
典型值。
10
5.5
8.5
1.7
最大
3
单位
GHz的
dB
dB
电气特性
(大
=
25°C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
re
条件
V
CB
=
5 V,I
E
=
0
V
EB
=
3.5 V,I
C
=
0
V
CE
=
1 V,I
C
=
5毫安
V
CB
=
1 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫(注)
民
80
典型值。
0.75
最大
0.1
10
160
1
pF
单位
μA
μA
注:C
re
测量使用一个电容电桥的三端法。
小心
该器件对静电放电敏感。确保工具和设备之前,充分接地
处理。当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保
环境进行保护,防止静电放电。操作人员应穿防静电的衣服和容器
而且接触到的设备直接接触其他物体应防静电材料。
2
2007-11-01
MT3S03AFS
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
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制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
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2007-11-01