【8MbSMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORYFL灰内存MT28F008B3M】,IC型号MT28F800B3,MT28F800B3 PDF资料,MT28F800B3经销商,ic,电子元器件-51电子网

8Mb

SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

FL灰内存

MT28F008B3

MT28F800B3

只有3V ，双电源（智能3 ）

特点

十一擦除块：

16KB / 8K字引导块（保护）

两个8KB / 4K字的参数块

八个主存块

智能3技术（ B3 ）：

3.3V ±0.3V V

CC

3.3V ±0.3V V

PP

应用程序编程

5V ±10% V

PP

应用/生产编程

1

兼容0.3微米的智能设备3

先进的0.18微米CMOS浮栅工艺

地址访问时间：为90ns

100,000次擦除周期

业界标准引脚

输入和输出完全兼容TTL

自动写入和擦除算法

双循环写/擦除序列

TSOP ， SOP及FBGA封装选项

字节或字宽READ和WRITE

（ MT28F800B3 ）：

1梅格×8 / 512K ×16

40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型

44引脚SOP

选项

时机

为90ns存取

配置

1梅格×8

512K X 16/1梅格×8

引导块起始字地址

顶（ 7FFFFH ）

底部（ 00000H ）

工作温度范围

商用（ 0℃至+ 70℃ ）

扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）

包

40引脚TSOP I型（ MT28F008B3 ）

48引脚TSOP I型（ MT28F800B3 ）

44引脚SOP （ MT28F800B3 ）

注意：

记号

-9

概述

MT28F008B3

MT28F800B3

T

B

无

ET

VG

WG

SG

该MT28F008B3的（x8）和MT28F800B3 （ X16 / X8 ）是

低电压，非易失性，电块擦除（闪光），

含8388608位可编程存储器件

组织为524288个字（ 16位）或1,048,576字节（8

位）。写入和擦除的设备与V完成

PP

电压3.3V或5V ，而所有的操作都

采用3.3V V进行

CC

。由于工艺技术

进步， 5V V

PP

是最佳的应用和生产

编程。这些设备均选用美光科技公司

先进的0.18微米CMOS浮栅工艺。

该MT28F008B3和MT28F800B3组织

到11分别可擦除块。以确保

关键的固件被意外删除或保护

覆盖，该器件具有硬件保护

引导块。该块可以被用来存储代码imple-

mented在低级别系统恢复。其余

块而变化的密度和写入和擦除

没有额外的安全措施。

请参考美光公司网站（ www.micron.com/flash ）

最新的数据表。

1.这一代的设备不支持12V V

PP

生产编程;然而， 5V V

PP

应用

生产编程可以在不损失可以使用

性能。

产品编号举例：

MT28F800B3WG - 9 BET

8MB 3智能引导块闪存

Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01

1

2001年，美光科技公司

产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。

8Mb

SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

引脚配置（顶视图）

48引脚TSOP I型

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

NC

WE＃

RP ＃

V

PP

WP ＃

NC

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

A16

BYTE ＃

V

SS

DQ15 / （ A - 1 ）

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

V

CC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

V

SS

CE＃

A0

V

PP

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

CE＃

V

SS

OE ＃

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44引脚SOP

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

RP ＃

WE＃

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

BYTE ＃

V

SS

DQ15 / （ A - 1 ）

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

V

CC

订单号码和最热

MT28F800B3WG - 9 B

MT28F800B3WG - 9吨

MT28F800B3WG - 9 BET

MT28F800B3WG - 9 TET

DQ3

DQ11

订单号码和最热

MT28F800B3SG - 9 B

MT28F800B3SG - 9吨

MT28F800B3SG - 9 BET

MT28F800B3SG - 9 TET

40引脚TSOP I型

A16

A15

A14

A13

A12

A11

A9

A8

WE＃

RP ＃

V

PP

WP ＃

A18

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

A17

V

SS

NC

A19

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

V

CC

V

CC

NC

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

OE ＃

V

SS

CE＃

A0

订单号码和最热

MT28F008B3VG - 9 B

MT28F008B3VG - 9吨

MT28F008B3VG - 9 BET

MT28F008B3VG - 9 TET

8MB 3智能引导块闪存

Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01

2

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2001年，美光科技公司

8MB 3智能引导块闪存

Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01

功能框图

8

输入

卜FF器

BYTE ＃

2

I / O

控制

逻辑

16KB的引导块

地址。

7

输入

卜FF器

A0–A18/(A19)

A9

缓冲器/

LATCH

19 (20)

10

8KB参数块

96KB主座

128KB主座

16

输入数据

锁存器/多路复用器

A-1

输入

卜FF器

X - 解码器/块擦除控制

9

(10)

地址。

动力

（目前）

控制

计数器

DQ15 / （ A - 1 ）

2

DQ8–DQ14

2

WP ＃

1

CE＃

OE ＃

WE＃

RP ＃

V

CC

V

PP

V

PP

开关/

泵

命令

执行

逻辑

状态

8Mb

SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

机

Y-

解码器

7

- 盖茨选择

8

感测放大器

写/擦除位

比较和验证

DQ0–DQ7

3

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2001年，美光科技公司

产量

卜FF器

DQ15

状态

注册

鉴定

注册

7

产量

卜FF器

8

产量

卜FF器

MUX

8

注意：

1.不适用于MT28F800B3SG 。

2.不适用于MT28F008B3 。

8Mb

SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

引脚说明

44引脚SOP 40脚TSOP 48针TSOP

号码数字数字符号

43

9

11

WE＃

TYPE

输入

描述

写使能：确定是否一个给定的周期是一个写周期。如果

WE＃为低，周期可以是一个写命令

执行逻辑（ CEL）或以对存储器阵列。

写保护：解锁引导块，如果V HIGH的时候

PP

=

V

PPH

1

（ 3.3V ）或V

PPH

2

（ 5V ）和RP ＃ = V

IH

写操作期间或

抹去。不影响写入或擦除其他操作

块。

芯片启动：启动设备时低。当CE＃为

高，设备被禁用，并且进入待机功耗

模式。

复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态寄存器，

设置内部状态机（ISM）到该阵列中读取模式

而将器件置于深度掉电模式。所有输入，

包括CE ＃，是“不关心”，并且所有输出高阻。

RP ＃解锁引导块和覆盖的条件

WP ＃在V时

HH

（12V ），并且必须在V举行

IH

在所有

其他的操作模式。

输出使能：允许数据输出缓冲器低的时候。

当OE＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。

字节使能：如果BYTE ＃ =高，高字节是通过活跃

DQ8 - DQ15 。如果BYTE ＃ =低， DQ8 - DQ14是高阻，所有

数据通过DQ0 - DQ7的访问。 DQ15 / （ A - 1 ）成为

最显著的地址输入。

地址输入：选择一个唯一的16位字或8位字节。该

DQ15 / （ A - 1 ）输入变为最低阶地址时，

字节＃ =低（ MT28F800B3 ），以允许选择的8-

位字节从1,048,576可用。

–

12

14

WP ＃

输入

12

22

26

CE＃

输入

44

10

12

RP ＃

输入

14

33

24

–

28

47

OE ＃

BYTE ＃

输入

11, 10, 9, 8,

7, 6, 5, 4, 42,

41, 40, 39,

38, 37, 36,

35, 34, 3, 2

31

21, 20, 19, 18,

17, 16, 15, 14,

8, 7, 36, 6, 5,

4, 3, 2, 1, 40,

13, 37

–

25, 24, 23,

22, 21, 20,

19, 18, 8, 7,

6, 5, 4, 3, 2,

1, 48, 17, 16

45

A0–A18/

(A19)

输入

DQ15/

(A - 1)

DQ0–

DQ7

DQ8–

DQ14

V

PP

输入/数据I / O：数据的MSB时， BYTE ＃ = HIGH 。地址输入： LSB

地址输入时， BYTE ＃ =低在读或写输出

操作。

输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或

输出数据在写入期间输入引脚。这些引脚用于输入

命令来对CEL 。

输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或

写操作期间的输出数据输入引脚时， BYTE ＃ = HIGH 。这些

引脚为高阻时， BYTE ＃为低。

供应写/擦除电源电压：从写入或擦除CONFIRM

直到写或擦除，V完成

PP

必须是在V

PPH

1

（ 3.3V ）或V

PPH

2

(5V). V

PP

=在所有其他“无关”

操作。

供电电源： + 3.3V ± 0.3V 。

供应地。

–

无连接：这些引脚可被驱动或悬空。

15, 17, 19,

21, 24, 26,

28, 30

16, 18, 20,

22, 25, 27,

29

1

25, 26, 27,

28, 32, 33,

34, 35

–

29, 31, 33,

35, 38, 40,

42, 44

30, 32, 34,

36, 39, 41,

43

13

11

23

13, 32

–

30, 31

23, 39

29, 38

37

27, 46

9, 10, 15

V

CC

V

SS

NC

8MB 3智能引导块闪存

Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01

4

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2001年，美光科技公司

8Mb

SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

真值表（ MT28F800B3 ）

1

功能

待机

RESET

读

READ （字模式）

READ （字节模式）

输出禁用

删除设置

擦除确认

3

写设置

写（字模式）

4

WRITE （字节模式）

4

读阵列

5

写/擦除（ BOOT BLOCK ）

2, 7

删除设置

擦除确认

3

擦除确认

3, 6

写设置

写（字模式）

4

写（字模式）

4, 6

WRITE （字节模式）

4

WRITE （字节模式）

4, 6

读阵列

5

设备Identi科幻阳离子

8, 9

制造商的兼容性

（字模式）

10

制造商的兼容性

（字节模式）

设备（字模式，顶部引导）

10

设备（字节模式，顶部引导）

设备（字模式，底部启动）

10

设备（字节模式，底部启动）

注意：

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

RP ＃

H

L

H

V

HH

H

V

HH

H

V

HH

H

CE＃

H

X

L

OE ＃

X

L

H

L

WE＃ WP ＃ BYTE ＃ A0

X

H

L

H

X

H

X

H

X

H

X

H

L

X

H

L

X

H

L

X

H

L

H

L

H

L

X

L

H

A9

X

V

ID

V

ID

V

ID

V

ID

V

ID

V

ID

V

PP

X

V

PPH

X

V

PPH

V

PPH

X

V

PPH

V

PPH

X

V

PPH

V

PPH

V

PPH

V

PPH

X

DQ0 - DQ7 DQ8 - DQ14 DQ15 / A - 1

高-Z

数据输出数据输出数据输出

数据输出高阻

高-Z

20h

D0h

10h/40h

数据在

FFH

20h

D0h

10h/40h

数据在

FFH

89h

9Ch

9Dh

高-Z

X

数据在

X

数据在

X

00h

高-Z

88h

高-Z

88h

高-Z

A-1

高-Z

X

数据在

A-1

X

数据在

A-1

X

–

X

–

X

–

X

写/擦除（除引导块）

2

L = V

IL

（低），H = V

IH

（高）中，X = V

IL

或V

IH

（ “无关” ）。

V

PPH

= V

PPH1

= 3.3V或V

PPH2

= 5V.

操作之前必须先擦除设置命令。

操作之前必须先写SETUP命令。

读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。

当WP ＃ = V

IH

， RP ＃可能是在V

IH

或V

HH

.

V

HH

= 12V.

V

ID

= 12V ;也可以通过发出IDENTIFY DEVICE命令读取。

A1 -A8 ， A10 ， A18 = V

IL

.

值反映DQ8 - DQ15 。

8MB 3智能引导块闪存

Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01

5

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2001年，美光科技公司