128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
Q- FLASH
TM
内存
特点
X8 / X16组织
百28 128KB擦除块
(128Mb)
六十四128KB擦除块（ 64兆）
三十二个128KB擦除块（32 MB ）
V
CC
, V
CC
Q和V
笔
电压：
2.7V至3.6V V
CC
手术
2.7V至3.6V或4.5V至5.5V * V
CC
Q操作
2.7V至3.6V ， 5V或V
笔
应用程序编程
接口异步页模式阅读次数：
为150ns / 25ns的读取访问时间（ 128MB）
为120ns / 25ns的读取访问时间（ 64兆）
110ns的/ 25ns的读取访问时间（32 MB ）
采用V增强的数据保护功能
笔
= V
SS
灵活的部门锁定
扇区擦除/功率在程序锁定
过渡
安全OTP模块功能
永久锁定块（联系工厂
可用性）
业界标准引脚
输入和输出完全兼容TTL
通用闪存接口（ CFI ）和可扩展性
命令集
自动写入和擦除算法
4.7μs ，每字节编程有效使用时间
写缓冲器
128位保护寄存器
64位的唯一设备标识符
64位用户可编程OTP细胞
每座100,000次擦写循环
自动暂停选项：
块擦除挂起阅读
块擦除挂起到计划
程序挂起到读
注意：
MT28F128J3和MT28F320J3是初步的地位。
MT28F640J3的生产状态。
MT28F128J3
， MT28F640J3 ，
MT28F320J3
56引脚TSOP I型
64球FBGA
选项
时机
为150ns （ 128MB）
为120ns （ 64兆）
110ns的（32 MB ）
工作温度范围
商用温度（ 0°C至+ 85°C ）
扩展温度（ -40°C至+ 85°C ）
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
记号
-15
-12
-11
无
ET
V
CC
Q选项*
2.7V–3.6V
4.5V–5.5V
包
56引脚TSOP I型
64球FBGA （ 1.0mm间距）
产品编号举例：
无
F
RG
FS
MT28F640J3RG - 12 ET
*联系工厂的MT28F320J3的可用性和
MT28F640J3.
1
2002年，美光科技公司
产品和规格此讨论评估和仅供参考， ARE
如有更改，美光，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的
生产数据表规格。
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
概述
该MT28F128J3是非易失性，电性嵌段
可擦除（闪存） ，含可编程存储器
134217728位组织为16777218字节（8比特）
或者8388608个字（ 16位）。这个128Mb的器件是奥尔加
的发布为128 128KB擦除块。
该MT28F640J3包括举办67,108,864位
为8388608个字节（8位）或4194304字（ 16位）。
这64兆设备组织为64 128KB擦除
块。
类似地， MT28F320J3包含33554432位
组织为4194304个字节（8位）或2097152字
（16比特） 。这32Mb的设备被组织成32
128KB擦除块。
这三个器件具有在系统块锁相
ING 。他们也有共同的闪存接口（ CFI ）的
允许用于整个fami-软件算法
谎言设备。该软件是与设备无关的，
JEDEC的编号无关的前向和后向
兼容性。
另外，该可扩展的命令集（SCS） AL-
低点单一的，简单的软件驱动程序中的所有主机系统
与所有SCS兼容的闪存设备一起使用。
南海提供了最快的系统/设备的数据传输
FER率，减少了设备和系统级
实施成本。
以优化处理器的存储器接口，所述
设备可容纳V
笔
，这是在切换
块擦除，编程或锁定位配置，或
硬连接到V
CC
，这取决于应用。 V
笔
is
作为输入引脚，使擦除，编程
明和块锁定。当V
笔
小于下
V
CC
锁定电压（V
LKO
） ，所有的程序功能
禁用。块擦除挂起模式使用户
停止块擦除读取数据或程序数据
任何其他模块。同样，程序挂起模式
使用户能够暂停编程来读取数据
或从任何未暂停块执行代码。
V
笔
作为输入工作电压为2.7V ， 3.3V ， 5V或为
应用程序编程。 V
笔
在这个Q- Flash家庭
当连接到地可提供的数据保护。
该引脚还支持编程或擦除停摆期间
权力过渡。
美光的偶数扇形Q-闪存设备提供indi-
维杜阿尔块锁，可以锁定和解锁块
使用部门锁定位命令序列。
状态（STS）是一个逻辑信号的输出，给出了一个
内部状态机的附加指标（ ISM）的
通过提供两个状态的硬件信号活动
和状态掩码。这种状态指示灯最小化
中央处理单元（CPU）开销和系统
功耗。在默认模式下， STS的行为
一个RY / BY ＃引脚。当低， STS表明ISM
正在执行块擦除，编程或锁定位转换
成形。当HIGH ， STS表明ISM是
准备好一个新的指令。
三芯片使能（ CE）引脚用于使能和
通过激活该设备的控制禁用设备
逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。
BYTE ＃允许选择x8或x16读/写
到设备。字节＃处于逻辑低电平选择一个8位的模式
与低字节的地址A0选择
而高字节。 BYTE ＃为逻辑高电平使16位
操作。
RP ＃用来复位设备。当该装置是
残疾人和RP ＃是V
CC
中，待机模式是烯
体健。复位时间（
t
RWH ）后， RP ＃是必需的
交换机为高，直到输出是有效的。同样地，所述
设备具有唤醒时间（
t
RS ）从RP ＃为高电平，直到
写入命令的用户界面（ CUI）的市盈率
识别。当RP ＃为GND ，它提供写保护
化，重置ISM ，并清除状态寄存器。
在MT28F320J3的一个变种还支持新的
安全块锁定功能的额外代码的安全性。
此功能提供了OTP功能锁定
前两个街区，上下两区块，或整个
装置。 （可用性与工厂联系。 ）
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
器件标识
由于包的大小， Micron的标准
部件数量并不印在每个装置的顶部。
相反，一个简短的设备标志由一个
5位字母数字代码使用。缩写
设备标记相互参照美光部件号
别尔斯在表1中。
表1
交叉参考的缩写标记设备
产品型号
MT28F320J3FS-11
MT28F320J3FS - 11 ET
MT28F640J3FS-12
MT28F640J3FS - 12 ET
MT28F128J3FS-15
MT28F128J3FS - 15 ET
产品
记号
FW201
FW207
FW202
FW209
FW203
FW501
工程
样品
FX201
FX207
FX202
FX209
FX203
FX501
合格
样品
FQ201
FQ207
FQ202
FQ209
FQ203
FQ501
PIN / BALL分配（顶视图）
56引脚TSOP I型
A22
CE1
A21
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
A15
A14
A13
A12
CE0
V
笔
RP ＃
A11
A10
A9
A8
V
SS
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
WE＃
OE ＃
STS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
V
SS
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
Q
V
SS
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
V
CC
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
A0
BYTE ＃
A23
CE2
64球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A1
2
A6
3
A8
4
V
笔
5
A13
6
V
CC
7
A18
8
A22
A2
V
SS
A9
CE0
A14
DNU
A19
CE1
A3
A7
A10
A12
A15
DNU
A20
A21
A4
A5
A11
RP ＃
DNU
DNU
A16
A17
DQ8
DQ1
DQ9
DQ3
DQ4
DNU
DQ15
STS
BYTE ＃
DQ0
DQ10
DQ11
DQ12
DNU
DNU
OE ＃
A23
A0
DQ2
V
CC
Q
DQ5
DQ6
DQ14
WE＃
CE2
DNU
V
CC
V
SS
DQ13
V
SS
DQ7
NC
顶视图
（球下）
注意：
1. A22只存在于64兆和128兆的设备。在32MB，该引脚/球是一种无连接（ NC） 。
2. A23只存在128MB的设备上。在32Mb的和64MB ，该引脚/球是一种无连接（ NC） 。
3. ＃符号表示信号为低电平有效。
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
功能框图
(128Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A23
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 125 ）
128KB的内存块（ 126 ）
128KB的内存块（ 127 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
功能框图
(64Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A22
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 61 ）
128KB的内存块（ 62 ）
128KB的内存块（ 63 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
功能框图
(32Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A21
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 29 ）
128KB的内存块（ 30 ）
128KB的内存块（ 31 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
Q- FLASH
TM
内存
特点
X8 / X16组织
百28 128KB擦除块
(128Mb)
六十四128KB擦除块（ 64兆）
三十二个128KB擦除块（32 MB ）
V
CC
, V
CC
Q和V
笔
电压：
2.7V至3.6V V
CC
手术
2.7V至3.6V或4.5V至5.5V * V
CC
Q操作
2.7V至3.6V ， 5V或V
笔
应用程序编程
接口异步页模式阅读次数：
为150ns / 25ns的读取访问时间（ 128MB）
为120ns / 25ns的读取访问时间（ 64兆）
110ns的/ 25ns的读取访问时间（32 MB ）
采用V增强的数据保护功能
笔
= V
SS
灵活的部门锁定
扇区擦除/功率在程序锁定
过渡
安全OTP模块功能
永久锁定块（联系工厂
可用性）
业界标准引脚
输入和输出完全兼容TTL
通用闪存接口（ CFI ）和可扩展性
命令集
自动写入和擦除算法
4.7μs ，每字节编程有效使用时间
写缓冲器
128位保护寄存器
64位的唯一设备标识符
64位用户可编程OTP细胞
每座100,000次擦写循环
自动暂停选项：
块擦除挂起阅读
块擦除挂起到计划
程序挂起到读
注意：
MT28F128J3和MT28F320J3是初步的地位。
MT28F640J3的生产状态。
MT28F128J3
， MT28F640J3 ，
MT28F320J3
56引脚TSOP I型
64球FBGA
选项
时机
为150ns （ 128MB）
为120ns （ 64兆）
110ns的（32 MB ）
工作温度范围
商用温度（ 0°C至+ 85°C ）
扩展温度（ -40°C至+ 85°C ）
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
记号
-15
-12
-11
无
ET
V
CC
Q选项*
2.7V–3.6V
4.5V–5.5V
包
56引脚TSOP I型
64球FBGA （ 1.0mm间距）
产品编号举例：
无
F
RG
FS
MT28F640J3RG - 12 ET
*联系工厂的MT28F320J3的可用性和
MT28F640J3.
1
2002年，美光科技公司
产品和规格此讨论评估和仅供参考， ARE
如有更改，美光，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的
生产数据表规格。
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
概述
该MT28F128J3是非易失性，电性嵌段
可擦除（闪存） ，含可编程存储器
134217728位组织为16777218字节（8比特）
或者8388608个字（ 16位）。这个128Mb的器件是奥尔加
的发布为128 128KB擦除块。
该MT28F640J3包括举办67,108,864位
为8388608个字节（8位）或4194304字（ 16位）。
这64兆设备组织为64 128KB擦除
块。
类似地， MT28F320J3包含33554432位
组织为4194304个字节（8位）或2097152字
（16比特） 。这32Mb的设备被组织成32
128KB擦除块。
这三个器件具有在系统块锁相
ING 。他们也有共同的闪存接口（ CFI ）的
允许用于整个fami-软件算法
谎言设备。该软件是与设备无关的，
JEDEC的编号无关的前向和后向
兼容性。
另外，该可扩展的命令集（SCS） AL-
低点单一的，简单的软件驱动程序中的所有主机系统
与所有SCS兼容的闪存设备一起使用。
南海提供了最快的系统/设备的数据传输
FER率，减少了设备和系统级
实施成本。
以优化处理器的存储器接口，所述
设备可容纳V
笔
，这是在切换
块擦除，编程或锁定位配置，或
硬连接到V
CC
，这取决于应用。 V
笔
is
作为输入引脚，使擦除，编程
明和块锁定。当V
笔
小于下
V
CC
锁定电压（V
LKO
） ，所有的程序功能
禁用。块擦除挂起模式使用户
停止块擦除读取数据或程序数据
任何其他模块。同样，程序挂起模式
使用户能够暂停编程来读取数据
或从任何未暂停块执行代码。
V
笔
作为输入工作电压为2.7V ， 3.3V ， 5V或为
应用程序编程。 V
笔
在这个Q- Flash家庭
当连接到地可提供的数据保护。
该引脚还支持编程或擦除停摆期间
权力过渡。
美光的偶数扇形Q-闪存设备提供indi-
维杜阿尔块锁，可以锁定和解锁块
使用部门锁定位命令序列。
状态（STS）是一个逻辑信号的输出，给出了一个
内部状态机的附加指标（ ISM）的
通过提供两个状态的硬件信号活动
和状态掩码。这种状态指示灯最小化
中央处理单元（CPU）开销和系统
功耗。在默认模式下， STS的行为
一个RY / BY ＃引脚。当低， STS表明ISM
正在执行块擦除，编程或锁定位转换
成形。当HIGH ， STS表明ISM是
准备好一个新的指令。
三芯片使能（ CE）引脚用于使能和
通过激活该设备的控制禁用设备
逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。
BYTE ＃允许选择x8或x16读/写
到设备。字节＃处于逻辑低电平选择一个8位的模式
与低字节的地址A0选择
而高字节。 BYTE ＃为逻辑高电平使16位
操作。
RP ＃用来复位设备。当该装置是
残疾人和RP ＃是V
CC
中，待机模式是烯
体健。复位时间（
t
RWH ）后， RP ＃是必需的
交换机为高，直到输出是有效的。同样地，所述
设备具有唤醒时间（
t
RS ）从RP ＃为高电平，直到
写入命令的用户界面（ CUI）的市盈率
识别。当RP ＃为GND ，它提供写保护
化，重置ISM ，并清除状态寄存器。
在MT28F320J3的一个变种还支持新的
安全块锁定功能的额外代码的安全性。
此功能提供了OTP功能锁定
前两个街区，上下两区块，或整个
装置。 （可用性与工厂联系。 ）
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
器件标识
由于包的大小， Micron的标准
部件数量并不印在每个装置的顶部。
相反，一个简短的设备标志由一个
5位字母数字代码使用。缩写
设备标记相互参照美光部件号
别尔斯在表1中。
表1
交叉参考的缩写标记设备
产品型号
MT28F320J3FS-11
MT28F320J3FS - 11 ET
MT28F640J3FS-12
MT28F640J3FS - 12 ET
MT28F128J3FS-15
MT28F128J3FS - 15 ET
产品
记号
FW201
FW207
FW202
FW209
FW203
FW501
工程
样品
FX201
FX207
FX202
FX209
FX203
FX501
合格
样品
FQ201
FQ207
FQ202
FQ209
FQ203
FQ501
PIN / BALL分配（顶视图）
56引脚TSOP I型
A22
CE1
A21
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
A15
A14
A13
A12
CE0
V
笔
RP ＃
A11
A10
A9
A8
V
SS
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
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56
55
54
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37
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35
34
33
32
31
30
29
NC
WE＃
OE ＃
STS
DQ15
DQ7
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DQ6
V
SS
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V
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Q
V
SS
DQ11
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DQ2
V
CC
DQ9
DQ1
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DQ0
A0
BYTE ＃
A23
CE2
64球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A1
2
A6
3
A8
4
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笔
5
A13
6
V
CC
7
A18
8
A22
A2
V
SS
A9
CE0
A14
DNU
A19
CE1
A3
A7
A10
A12
A15
DNU
A20
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A11
RP ＃
DNU
DNU
A16
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DQ9
DQ3
DQ4
DNU
DQ15
STS
BYTE ＃
DQ0
DQ10
DQ11
DQ12
DNU
DNU
OE ＃
A23
A0
DQ2
V
CC
Q
DQ5
DQ6
DQ14
WE＃
CE2
DNU
V
CC
V
SS
DQ13
V
SS
DQ7
NC
顶视图
（球下）
注意：
1. A22只存在于64兆和128兆的设备。在32MB，该引脚/球是一种无连接（ NC） 。
2. A23只存在128MB的设备上。在32Mb的和64MB ，该引脚/球是一种无连接（ NC） 。
3. ＃符号表示信号为低电平有效。
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
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美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
功能框图
(128Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A23
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 125 ）
128KB的内存块（ 126 ）
128KB的内存块（ 127 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
功能框图
(64Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A22
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 61 ）
128KB的内存块（ 62 ）
128KB的内存块（ 63 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
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2002年，美光科技公司
128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
功能框图
(32Mb)
输入
卜FF器
I / O
控制
逻辑
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0–A21
缓冲器/
LATCH
X - 解码器/块擦除控制
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
写
卜FF器
DQ0–DQ15
128KB的内存块（ 29 ）
128KB的内存块（ 30 ）
128KB的内存块（ 31 ）
CE0
CE1
CE2
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
STS
V
笔
CE逻辑
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
- 盖茨选择
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
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