ADVANCE
2 MEG ×8
SMART 5 EVEN -扇形FLASH MEMORY
FL灰内存
特点
三十个64KB的块擦除
深度掉电模式：
最大10μA
智能5技术：
5V ±10% V
CC
5V ±10% V
PP
应用/生产
程序设计
12V V
PP
宽容的相容性生产
程序设计
地址访问时间：为90ns
业界标准引脚
输入和输出完全兼容TTL
自动写入和擦除算法
双循环写/擦除序列
MT28F016S5
只有5V ，双电源（智能5 ）
引脚配置（顶视图）
40引脚TSOP I型
选项
时机
为90ns存取
记号
-9
包
塑料40针TSOP 1型（ 10毫米x10 20毫米） VG
产品编号举例：
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE＃
V
CC
V
PP
RP ＃
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A20
NC
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
MT28F016S5VG-9
概述
该MT28F016S5是非易失性，电性嵌段
可擦（闪光），可编程只读存储器CON-
泰宁2,097,152个字节（8位） 。写入或擦除
器件采用5V V做
PP
电压，而所有操作
系统蒸发散与5V的V进行
CC
。由于工艺
技术的进步， 5V V
PP
是最佳的应用
生产编程。为了向后相容
ibility与SmartVoltage技术， 12V V
PP
被抑制
移植最长为100个周期，并且可以是
连接长达100小时的累计。该装置
被制造与美光先进的CMOS浮点
栅工艺。
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该MT28F016S5分别组织成32
可擦除块。擦除可能会中断允许
与擦除等操作暂停命令。
在擦除后挂起发出命令，读
操作可被执行。
操作与从命令执行
行业标准的命令集。除了状态
登记投票时， MT28F016S5提供了一个现成的/
忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出，以指示写入和擦除
完成。
请参考美光公司的网站（ www.micron.com/
闪存/ HTMLS / datasheets.html ）最新的数据表。
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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功能框图
输入
8
卜FF器
I / O
控制
逻辑
64KB的内存块（ 0 ）
64KB的内存块（ 1 ）
64KB的内存块（ 2 ）
地址。
A0-A20
缓冲器/
LATCH
21
10
8
X - 解码器/块擦除控制
11
动力
（目前）
控制
地址。
计数器
输入
数据
LATCH
DQ0-DQ7
CE＃
OE ＃
WE＃
RP ＃
V
CC
RY / BY ＃
V
PP
命令
执行
逻辑
状态
机
Y-
解码器
64KB的内存块（ 29 ）
64KB的内存块（ 30 ）
64KB的内存块（ 31 ）
8
- 盖茨选择
8
感测放大器
写/擦除位
比较和验证
V
PP
开关/
泵
状态
注册
鉴定
注册
产量
卜FF器
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引脚说明
引脚TSOP
号码
38
符号
WE＃
TYPE
输入
描述
写使能：确定是否一个给定的周期是一个写周期。如果WE＃为低，
周期可以是一个写命令执行逻辑（ CEL ） ，或在
存储器阵列。
芯片启动：启动设备时低。当CE ＃为高电平时，
设备被禁用，并且进入待机电源模式。
复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态寄存器，设置
内部状态机（ISM）的阵列读取模式，并将该设备
在深度掉电模式。所有的输入，包括CE ＃ ，是“不关心”
和所有输出高阻。 RP ＃必须在V举行
IH
在所有其他模式
的操作。
输出使能：允许数据输出缓冲器低的时候。当OE ＃为
高电平时，输出缓冲器被禁止。
地址输入：选择一个独特的， 8位字节出的2,097,152
可用。
9
12
CE＃
RP ＃
输入
输入
37
24, 23, 22, 21,
20, 19, 18, 17,
16, 15, 14, 13,
8, 7, 6, 5, 4, 3,
2, 1, 40
25-28,
32-35
36
OE ＃
A0-A20
输入
输入
DQ0-DQ7
RY / BY ＃
输入/
产量
产量
数据的I / O ：任何读操作或数据输入过程中的数据输出引脚
在写入期间引脚。用于输入命令来对CEL 。
就绪/忙：显示ISM的状态。当RY / BY ＃ = V
OL
， ISM是
忙于处理一个命令。如果RY / BY ＃ = V
OH
中， ISM已经准备好接受
新的命令。在深度掉电，设备配置读取或
擦除挂起， RY / BY ＃ = V
OH
。输出始终处于活动状态。
写/擦除电源电压：从写入或擦除CONFIRM直到
在操作中， Ⅴ的完成
PP
必须是在V
PPH
(5V) (V
PP
V
CC
). V
PP
=
在所有其他操作“无关” 。
电源： + 5V ± 10 ％ 。
地面上。
无连接：该引脚可被驱动或悬空。
11
V
PP
供应
10, 31
29, 30
39
V
CC
V
SS
NC
供应
供应
–
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真值表
1
功能
待机
深度掉电/ RESET
读
读
输出禁用
写/擦除
2, 3
删除设置
擦除确认
4
写设置
写
5
读阵列
6
设备CON组fi guration
制造商的兼容性ID
器件ID
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
RP ＃
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
WE＃
X
X
H
H
L
L
L
L
L
H
H
地址
X
X
X
X
X
BA
X
WA
X
000000H
000001H
V
PP
X
X
X
X
X
V
PPH
X
V
PPH
X
X
X
DQ0-DQ7
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
20H
D0H
10H/40H
数据在
FFH
89H
A0H
RY / BY ＃
V
OH
V
OH
V
OH
V
OH
V
OH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OH
V
OH
L = V
IL
（低） ，H = V
IH
（高）中，X = V
IL
或V
IH
（ “无关” ） 。
V
PPH
= 5V.
BA =块地址; WA =写地址。
操作之前必须先擦除设置命令。
操作之前必须先写SETUP命令。
读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。
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功能说明
该MT28F016S5闪存采用了num-
功能误码率，使得它非常适合于系统
固件或数据存储。存储器阵列是段
mented成单独的擦除块。每个块可以被
擦除不影响存储在其它块中的数据。
读，写和擦除这些内存块
发出命令到命令执行逻辑
（ CEL ） 。对CEL控制内部的操作
状态机（ ISM），它完全控制所有
写入，块擦除和验证操作。供应管理协会
从过擦除保护每个存储位置和
优化用于最大数据中的每个存储单元
滞留。此外，在ISM极大地简化了
控制所必需的写入设备在系统或在
外部编程。
功能描述提供了详细的Infor公司
息上的MT28F016S5和操作是
分为以下几个部分：
概观
内存架构
输出（读取）操作
投入运营
命令集
ISM状态寄存器
设备配置寄存器
命令执行
错误处理
写/擦除周期耐力
电源使用
上电
内部状态机（ ISM ）
块擦除和写入时序简化
与ISM控制所有擦除和写入算法
在存储器阵列。在ISM确保防护
过擦除和优化写余量给每个小区。
在写操作时，会自动ISM
增量和显示器WRITE尝试，验证写
缘上的每个存储单元和更新在ISM状态
注册。当块擦除完成时， ISM
自动覆盖整个寻址块
（避免过度擦除） ，增量和显示器
ERASE的尝试，并在ISM状态寄存器组中的位。
ISM状态寄存器
在ISM状态寄存器允许外部处理器
写在监视ISM的状态和
擦除操作。二位8位状态寄存器的
被设置并且完全由ISM清零。这两个位
表明ISM是否忙与擦除或
写任务，当ERASE已经暂停。
其他错误信息被设置在其他三位：
V
PP
状态，擦除状态和写状态。这三个位
必须由主机系统来清除。
READY / BUSY ＃ （ RY / BY ＃ ）输出
除状态寄存器轮询， MT28F016S5
提供了一个异步RY / BY ＃输出指示
在ISM的状态。 RY / BY ＃为V
OH
当国家
机器处于非活动状态和V
OL
一个写入或擦除过程中
操作。这个输出始终是活动的。
命令执行逻辑（ CEL ）
对CEL接收并解释命令到
装置。这些命令控制的操作
ISM和读出的路径（即，存储器阵列，装置
配置和状态寄存器） 。命令可能
颁发给对CEL ，而在ISM是活动的。不过，
有什么命令允许的限制
此条件。见的命令执行部
更多的细节。
深度掉电模式
为了实现最大的节能的
MT28F016S5具有非常低的电流，深加电
关断模式。进入该模式下，RP ＃引脚取为
V
SS
± 0.2V 。在这种模式下，电流消耗是一个最大
的10μA 。进入深度掉电也清除
状态寄存器，并设置在ISM到读阵列模式。
概观
SMART技术5
5智能技术允许最大的灵活性
在系统读，写和擦除操作。对于5V
只有系统写入和擦除操作可能
与V执行
PP
电压为5V 。由于工艺
技术的进步， 5V V
PP
是最佳的应用
生产编程。为了向后相容
ibility与SmartVoltage技术， 12V V
PP
被抑制
移植最长为100个周期，并且可以是
连接长达100小时的累计。不过，
没有业绩增长的实现。对于任何运算，
V
CC
为5V 。
三十二个独立的可擦
内存块
该MT28F016S5分为32 indepen-
dently可擦除存储器模块，允许部分
在不影响其余部分要被擦除的存储器
在内存中的数据。
2梅格×8的智能5偶扇形闪存
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