ADVANCE
2 MEG ×16的FLASH页
256K ×16的SRAM COMBO MEMORY
闪存和SRAM
COMBO MEMORY
特点
灵活的双存储架构
支持，没有真正的并行操作
潜伏期：
读行
b
在程序库
a
反之亦然
读行
b
在擦除银行
a
反之亦然
组织： 2,048K ×16 （闪存）
256K ×16 （ SRAM ）
基本配置：
FL灰
银行
a
（ 8MB闪存用于数据存储）
八4K字的参数块
- 十五32K字块
银行
b
（ 24MB闪存用于程序存储）
- 四十八32K字的主要模块
SRAM
4Mb的SRAM用于数据存储
- 256K字
= F_V
CC
, V
CC
Q， F_V
PP
，S = V
CC
电压
MT28C3224P20
1.80V （MIN） /2.20V （MAX）， F_V
CC
读取电压
1.80V （MIN） /2.20V （MAX）， S_V
CC
读取电压
1.80V （MIN） /2.20V （最大值）V
CC
Q
MT28C3224P18
1.70V （MIN） /1.90V （MAX）， F_V
CC
读取电压
1.70V （MIN） /1.90V （MAX）， S_V
CC
读取电压
1.70V （MIN） /1.90V （最大值）V
CC
Q
MT28C3224P20/P18
1.80V （典型值） F_V
PP
（在系统编程/擦除）
1.0V （ MIN ） S_V
CC
（ SRAM数据保留）
12V ±5％ （HV） F_V
PP
（生产编程
兼容性）
异步访问时间
Flash访问时间： 80ns的@ 1.80V F_V
CC
SRAM存取时间： 85ns @ 1.80V S_V
CC
页面模式读取访问权限
页间的读取访问： 80ns的@ 1.80V F_V
CC
页内读取访问权限：为30ns @ 1.80V F_V
CC
低功耗
增强的暂停选项
擦除暂停阅读的同一银行内
程序挂起阅读同一银行内
擦除挂起到程序的同一银行内
在对闪存编程/擦除读/写SRAM
双64位芯片的寄存器保护安全
施行
2梅格×16页256K闪存×16的SRAM内存组合
MT28C3224P20_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 7/02
MT28C3224P20
MT28C3224P18
低电压，扩展级温度
采用0.18μm工艺技术
BALL转让
66球FBGA （顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
2
NC
3
A20
4
A11
5
A15
6
A14
7
A13
8
A12
9
F = V
SS
10
V
cc
Q
11
NC
12
NC
A16
A8
A10
A9
DQ15
S_WE ＃
DQ14
DQ7
F_WE ＃
NC
DQ13
DQ6
DQ4
DQ5
S_V
SS
F_RP ＃
DQ12
S_CE2
S_V
CC
F = V
CC
F_WP ＃
F = V
PP
A19
DQ11
DQ10
DQ2
DQ3
S_LB ＃
S_UB ＃
S_OE ＃
DQ9
DQ8
DQ0
DQ1
A18
A17
A7
A6
A3
A2
A1
S_CE1#
NC
F = V
CC
A5
A4
A0
F_CE ＃
F = V
SS
F_OE ＃
NC
NC
NC
顶视图
（球下）
编程/擦除周期
每块100,000次写/擦除周期
跨兼容指令集的支持
扩展指令集
通用闪存接口（ CFI ）兼容
选项
时机
80ns
85ns
引导块配置
顶部
底部
工作电压范围
V
CC
= 1.70V–1.90V
V
CC
= 1.80V–2.20V
工作温度范围
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
扩展级（-40
o
C至+ 85
o
C)
包
66球FBGA （ 8 ×8格）
产品编号举例：
记号
-80
-85
T
B
18
20
无
ET
FL
MT28C3224P20FL -80 BET
1
2002年，美光科技公司
产品和规格此讨论评估和仅供参考， ARE
如有更改，美光，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的
生产数据表规格。
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256K ×16的SRAM COMBO MEMORY
概述
该MT28C3224P20和MT28C3224P18 combi-
国内闪存和SRAM存储器器件提供一个COM
协议，用于系统的低功耗解决方案，其中PCB空间
房地产是非常宝贵的。双组闪存设备
是高性能，高密度，非易失性
内存具有革命性的架构，该架构可以显
着地提高系统的性能。
这种新的架构特性：
支持的双存储银行配置
双行操作;
高性能的总线接口，提供快速
页面数据传输;和
传统的异步总线接口。
该器件还提供了块软保护
通过配置软保护寄存器专用
命令序列。为了安全起见，双64
提供位芯片保护寄存器。
内嵌的字写和块擦除
功能由一个片上写状态完全自动化
机（ WSM ） 。在WSM可以简化这些操作
并减轻了次要任务的系统处理器。
一个片内的状态寄存器，一个用于每个存储体，可以是
用于监视WSM状态来确定
编程/擦除命令的进度。
擦除/编程挂起功能允许
与现有EEPROM仿真软的兼容性
洁具套餐。
该器件利用专用电源的优势
源闪存（ F_V
CC
）和一个专用
电源的SRAM存储器（ S_V
CC
） ，无论是在
1.70V - 2.20V ，以降低功耗和im-
已探明的抗干扰能力。专用I / O电源
(V
CC
Q），设置有一个扩展范围（ 1.70V-
2.20V ） ，允许直接接口最常见的逻辑
控制器，并确保提高抗噪声能力。
单独S_V
CC
脚为SRAM提供数据
在需要时保持能力。数据reten-
化S_V
CC
被指定为低至1.0V 。该
MT28C3224P20和MT28C3224P18设备的支持
两个V
PP
电压范围，在电路上的电压的0.9V-
2.2V和12V ±5％的制造兼容性电压。
在12V ± 5 ％V
PP
2
是否支持最多100个
周期累计10小时。
该MT28C3224P20和MT28C3224P18设备
包含组织为256K-异步SRAM的4Mb
字由16位。这些装置使用的制造
先进的CMOS工艺和高速/超低
电源电路技术。
该设备均采用66球FBGA封装
年龄0.80毫米间距。
结构和存储器
组织
Flash存储器包含两个独立的内存
银行（银行
a
和银行
b)
可同时读取和
WRITE操作。银行
a
为8MB深，包含8
X 4K字的参数块和15 32K字
块。银行
b
为24MB深，同样是扇形，并
包含48 32K字块。
图2和图3示出了顶部和底部存储器
组织。
器件标识
由于包的大小， Micron的标准
部件数量并不印在每个装置的顶部。
相反，一个简短的设备标志由一个
5位字母数字代码使用。缩写
设备标记相互参照美光部件号
别尔斯在表1中。
表1
交叉参考的缩写标记设备
产品型号
MT28C3224P20FL -80 BET
MT28C3224P20FL -80 TET
MT28C3224P18FL -85 BET
MT28C3224P18FL -85 TET
产品
记号
FW448
FW446
FW449
FW450
样品
记号
FX448
FX446
FX449
FX450
机械
打标
FY448
FY446
FY449
FY450
2梅格×16页256K闪存×16的SRAM内存组合
MT28C3224P20_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 7/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
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品名信息
Micron的低功耗器件具有sev-
的特征全部擦除不同的组合（见图1） 。
的功能及其相应的有效组合
荷兰国际集团的部件号列于表2 。
图1
产品型号表
MT 28C 322 4 P 20 FL - 80 T等
美光科技
快闪族
28C =双电源闪存/ SRAM组合
工作温度范围
无=商用（ 0°C至+ 70°C ）
ET =扩展级（ -40°C至+ 85°C ）
引导块起始地址
B =底部启动
T =顶部引导
密度/组织/银行
322 = 32Mb的（ 2,048K ×16 ）
银行
a
= 1/4 ;银行
b
= 3/4
存取时间
-80 = 80ns的
-85 = 85ns
SRAM密度
4 =的4Mb SRAM （ 256K ×16 ）
阅读模式操作
P =异步/页读
封装代码
FL = 66球FBGA （ 8 ×8格）
工作电压范围
20 = 1.80V–2.20V
18 = 1.70V–1.90V
表2
有效的部件号组合
ACCESS
时间（纳秒）
80
80
85
85
BOOT BLOCK
开始
地址
底部
顶部
底部
顶部
操作
温度
范围
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
产品型号
MT28C3224P20FL -80 BET
MT28C3224P20FL -80 TET
MT28C3224P18FL -85 BET
MT28C3224P18FL -85 TET
2梅格×16页256K闪存×16的SRAM内存组合
MT28C3224P20_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 7/02
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
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框图
F_WE ＃
F_OE ＃
F_CE ＃
F_RP ＃
A18
–
A20
F = V
CC
FL灰
F = V
PP
银行
a
F_WP ＃
F = V
SS
2,048K ×16
银行
b
V
CC
Q
DQ0
–
DQ15
SRAM
256K ×16
S_V
CC
A0
–
A17
S_CE1#
S_CE2
S_OE ＃
S_WE ＃
S_V
SS
S_UB ＃
S_LB ＃
FLASH功能框图
PR锁
PR锁
询问
查询/ OTP
OTP
DQ0-DQ15
X月
数据输入
卜FF器
数据
注册
F_RST ＃
F_CE ＃
F_WE ＃
F_OE ＃
Y / Z DEC
银行1块
Y / Z选通/传感
制造商ID
器件ID
锁座
RCR
ID注册。
CSM
状态
注册。
WSM
计划/
抹去
泵压
发电机
产量
多路复用器
DQ0–DQ15
I / O逻辑
产量
卜FF器
A0–A20
地址
输入
卜FF器
地址
CNT / WSM
地址
多路复用器
Y / Z DEC
X月
Y / Z选通/传感
银行2块
地址锁存
2梅格×16页256K闪存×16的SRAM内存组合
MT28C3224P20_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 7/02
4
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球说明
66球FBGA
号码
H6,
H5,
B4,
A8,
B3,
G9, G8, G7,
H4 ， G6 ， G5 ，
B6 ，B5 ，A4
A7, A6, A5,
G 4 ，G 3， E5，
A3
H7
H9
C3
D4
符号
A0–A20
TYPE
输入
描述
地址输入：输入的地址读取和写入时
操作。地址读取和写入过程中被内部锁存
周期。快讯： A0 -A20 ; SRAM ： A0 - A17 。
F_CE ＃
F_OE ＃
F_WE ＃
F_RP ＃
输入
输入
输入
输入
闪存芯片使能：开启设备时低。当CE ＃为高电平，
该设备被禁用，并且进入待机电源模式。
闪光输出使能：开启闪光输出缓冲器低的时候。当
F_OE ＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。
Flash写使能：确定一个给定的周期是一个Flash写周期。
F_WE ＃为低电平有效。
复位。当F_RP ＃为逻辑低电平时，器件处于复位状态，从而驱动
输出为高阻并重置WSM 。当F_RP ＃是逻辑高电平时，
设备处于标准操作。当从逻辑F_RP ＃转换
低到逻辑高，设备重置所有块锁定，默认为
读阵列模式。
Flash写保护。控制灵活的锁断功能
锁定功能。
的SRAM芯片ENABLE1 ：激活的SRAM时，它是低电平。高电平
取消选择该SRAM和降低功耗待机状态
的水平。
SRAM芯片使能2 ：激活SRAM时，实在是高。低电平
取消选择该SRAM和降低功耗待机状态
的水平。
SRAM输出使能：使SRAM的输出缓冲器低的时候。当
S_OE ＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。
SRAM写使能：确定一个给定的周期是一个SRAM写入周期。
S_WE ＃为低电平有效。
SRAM的低字节：当低电平时，它选择SRAM地址低字节
(DQ0–DQ7).
SRAM高字节：低时，它选择的SRAM地址高字节
(DQ8–DQ15).
数据输入/输出：在第二CE＃输入数组的数据和WE ＃
程序命令中循环。输入命令的命令
当CE＃和WE ＃信号有效的用户界面。输出数据时， CE＃
和OE ＃有效。
E3
G10
F_WP ＃
S_CE1#
输入
输入
D8
S_CE2
输入
F5
B8
F3
F4
S_OE ＃
S_WE ＃
S_LB ＃
S_UB ＃
输入
输入
输入
输入
F9 ， F10 ， E9 ， DQ0 - DQ15
输入/
E10 ，C9，C10 ，
产量
8 ，B10 ，F8，
F7 ， E8 ， E6 ， D7 ，
C7 ，B9， B7
（接下页）
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