【512MB ， 1GB （ 64位）200 -PIN DDR SODIMM小外形DDR SDRAM 】,IC型号MT16VDDF12864HG-262,MT16VDDF12864HG-262 PDF资料,MT16VDDF12864HG-262经销商,ic,电子元器件-51电子网

512MB ， 1GB （ 64位）

200 -PIN DDR SODIMM

小外形

DDR SDRAM DIMM

特点

200针，小外形，双列直插式存储器

模块（ SODIMM ）

快速数据传输率： PC1600 ， PC2100 ， PC2700和

采用200吨/秒， 266吨/秒，或333 MT / s的DDR

SDRAM组件

512MB （梅格64 ×64 ）， 1GB （ 128梅格×64 ）

V

DD

= V

DD

Q = + 2.5V

V

DDSPD

= + 2.3V至+ 3.6V

2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）

进入每个积极的CK边缘命令

DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

内部，流水线双倍数据速率（ DDR ）

体系结构;每个时钟周期2的数据访问

双向数据选通（ DQS ）发送/

有数据即，源同步数据接收

CAPTURE

差分时钟输入CK和CK ＃

四个内部器件银行的并发操作

可编程突发长度： 2 ， 4或8

自动预充电选项

自动刷新和自刷新模式

7.8125μs最大平均周期刷新间隔

串行存在检测（ SPD ）与EEPROM

可编程只读CAS延迟

黄金边缘接触

MT16VDDF6464H - 512MB

MT16VDDF12864H - 1GB

对于最新的数据资料，请参考美光

WEB

网站：

www.micron.com/moduleds

图1 ： 200针SODIMM （ MO- 224 ）

512MB模块

1GB模块

选项

记号

G

包

200针SODIMM （标准）

200针SODIMM （无铅）

1

频率/ CAS延迟

2

167兆赫（ 333 MT / s）的CL = 2.5

133兆赫（ 266 MT / s）的CL = 2

133兆赫（ 266 MT / s）的CL = 2.5

100兆赫（200吨/秒） CL = 2

注意：

Y

-335

-262

-26A

-265

-202

1.联系工厂无铅的精良可用性

UCTS 。

2，CL = CAS （ READ ）的延迟。

表1：

地址表

512MB

1GB

8K

8K （ A0 - A12 ）

4 （ BA0 ， BA1 ）

64梅格×8

2K （ A0 -A9 ， A11 ）

2 (S0#, S1#)

8K

8K （ A0 - A12 ）

4 （ BA0 ， BA1 ）

32梅格×8

1K （ A0 -A9 ）

2 (S0#, S1#)

刷新计数

设备寻址的行

设备寻址银行

设备CON组fi guration

设备列寻址

模块寻址排名

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN

1

2003美光科技公司

产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。

512MB ， 1GB （ 64位）

200 -PIN DDR SODIMM

表2：

部件号和时序参数

模块

密度

512MB

1GB

CON组fi guration

梅格64 ×64

梅格128 ×64

转让

率

2.7 GB / s的

2.1 GB / s的

1.6 GB / s的

2.7 GB / s的

2.1 GB / s的

1.6 GB / s的

内存时钟/

数据比特率

为6ns / 333 MT / s的

7.5ns / 266 MT / s的

为10ns / 200 MT / s的

为6ns / 333 MT / s的

7.5ns / 266 MT / s的

为10ns / 200 MT / s的

潜伏期

（ CL -

t

RCD -

t

RP ）

2.5-3-3

2-2-2

2-3-3

2.5-3-3

2-2-2

2.5-3-3

2-2-2

2-3-3

2.5-3-3

2-2-2

产品型号

MT16VDDF6464HG-335__

MT16VDDF6464HY-335__

MT16VDDF6464HG-262__

MT16VDDF6464HY-262__

MT16VDDF6464HG-26A__

MT16VDDF6464HY-26A__

MT16VDDF6464HG-265__

MT16VDDF6464HY-265__

MT16VDDF6464HG-202__

MT16VDDF6464HY-202__

MT16VDDF12864HG-335__

MT16VDDF12864HY-335__

MT16VDDF12864HG-262__

MT16VDDF12864HY-262__

MT16VDDF12864HG-26A__

MT16VDDF12864HY-26A__

MT16VDDF12864HG-265__

MT16VDDF12864HY-265__

MT16VDDF12864HG-202__

MT16VDDF12864HY-202__

注意：

所有的零件号结束与一个两位置的代码（未示出），指定组件和印刷电路板的修订版。为向厂家咨询

当前版本的代码。例如： MT16VDDF6464HG - 265A1 。

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN

2

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2003美光科技公司

512MB ， 1GB （ 64位）

200 -PIN DDR SODIMM

表3：

引脚分配

（ 200针SODIMM前）

51

53

55

57

59

61

63

65

67

69

71

73

75

77

79

81

83

85

87

89

91

93

95

97

99

V

SS

DQ19

DQ24

V

DD

DQ25

DQS3

V

SS

DQ26

DQ27

V

DD

DNU

V

SS

DNU

V

DD

DNU

NC

V

SS

DNU

V

DD

CKE1

NC

A12

101

103

105

107

109

111

113

115

117

119

121

123

125

127

129

131

133

135

137

139

141

143

145

147

149

A9

V

SS

A7

A5

A3

A1

V

DD

A10

BA0

WE＃

S0#

NC

V

SS

DQ32

DQ33

V

DD

DQS4

DQ34

V

SS

DQ35

DQ40

V

DD

DQ41

DQS5

V

SS

151

153

155

157

159

161

163

165

167

169

171

173

175

177

179

181

183

185

187

189

191

193

195

197

199

DQ42

DQ43

V

DD

V

DD

V

SS

V

SS

DQ48

DQ49

V

DD

DQS6

DQ50

V

SS

DQ51

DQ56

V

DD

DQ57

DQS7

V

SS

DQ58

DQ59

V

DD

SDA

SCL

V

DDSPD

NC

表4：

引脚分配

（ 200针SODIMM回）

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

74

76

78

80

82

84

86

88

90

92

94

96

98

100

V

SS

DQ23

DQ28

V

DD

DQ29

DM3

V

SS

DQ30

DQ31

V

DD

DNU

V

SS

DNU

V

DD

DNU

V

SS

V

SS

V

DD

V

DD

CKE0

NC

A11

102

104

106

108

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

130

132

134

136

138

140

142

144

146

148

150

A8

V

SS

A6

A4

A2

A0

V

DD

BA1

RAS ＃

CAS ＃

S1#

NC

V

SS

DQ36

DQ37

V

DD

DM4

DQ38

V

SS

DQ39

DQ44

V

DD

DQ45

DM5

V

SS

152

154

156

158

160

162

164

166

168

170

172

174

176

178

180

182

184

186

188

190

192

194

196

198

200

DQ46

DQ47

V

DD

CK1#

CK1

V

SS

DQ52

DQ53

V

DD

DM6

DQ54

V

SS

DQ55

DQ60

V

DD

DQ61

DM7

V

SS

DQ62

DQ63

V

DD

SA0

SA1

SA2

V

SS

针

符号

针

符号

针

符号

针

符号

1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

47

49

V

REF

V

SS

DQ0

DQ1

V

DD

DQS0

DQ2

V

SS

DQ3

DQ8

V

DD

DQ9

DQS1

V

SS

DQ10

DQ11

V

DD

CK0

CK0#

V

SS

DQ16

DQ17

V

DD

DQS2

DQ18

针

符号

针

符号

针

符号

针

符号

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

V

REF

V

SS

DQ4

DQ5

V

DD

DM0

DQ6

V

SS

DQ7

DQ12

V

DD

DQ13

DM1

V

SS

DQ14

DQ15

V

DD

V

DD

V

SS

V

SS

DQ20

DQ21

V

DD

DM2

DQ22

图2 ：模块布局

前视图

U1

U2

U3

U4

U5

U6

前视图

U17

U1

U2

U3

U4

U7

U17

U8

U5

U6

U7

U8

销1

（所有奇数引脚）

199针

销1

（所有奇数引脚）

199针

后视图

U9

U10

U11

U12

U13

U14

后视图

U9

U10

U11

U12

U15

U16

U13

U14

U15

U16

200针

（甚至全部引脚）

销2

200针

（甚至全部引脚）

销2

表示V

DD

或V

DDQ

针

表示V

SS

针

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN

3

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512MB ， 1GB （ 64位）

200 -PIN DDR SODIMM

表5：

引脚说明

符号

WE＃，

CAS ＃， RAS ＃

CK0 ， CK0 ＃

CK1 ， CK1 ＃

TYPE

输入

描述

命令输入： RAS ＃， CAS ＃和WE＃（以及带有S ＃）定义

所输入的命令。

钟： CK ， CK ＃是差分时钟输入。所有的地址和

控制输入信号进行采样上的交叉

CK的上升沿，和CK ＃下降沿。输出数据

（DQS和DQS ）是参照CK和CK ＃的交叉点。

时钟使能： CKE高激活和CKE低停用

内部时钟，输入缓冲器和输出驱动器。以CKE

LOW提供了预充电断电和自刷新

操作（所有设备闲置的银行），或ACTIVE POWER- DOWN

（行活跃于任何设备的银行）。 CKE是同步的

省电模式的进入和退出，以及自刷新条目。 CKE

是异步的自刷新退出和禁用

输出。 CKE必须保持高通量和读

写访问。输入缓冲器（不包括CK，CK ＃和CKE ）是

在断电期间禁用。输入缓冲器（不包括CKE ）

在自刷新被禁用。 CKE是SSTL_2输入，但

将检测到的LVCMOS电平低VDD应用后

直到CKE先拉高。后CKE拉高，这

只变成一个SSTL_2输入。

芯片选择：＃启用（注册LOW ）和禁用

（注册HIGH ）命令解码器。所有的命令都

当S ＃注册HIGH蒙面。 S ＃被认为是部分

的命令代码。

银行地址： BA0和BA1确定到设备的银行

ACTIVE ， READ，WRITE或预充电命令正在

应用。

地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，

及列地址和自动预充电位（ A10 ），用于

读/写命令，以选择一个位置出来的

在相应的设备组存储器阵列。 A10采样

在预充电命令决定是否

预充电适用于一台设备银行（ A10低，设备库

由BA0 ， BA1 ）或所有设备银行（ A10 HIGH ）选择。该

地址输入也是一个模式中提供了操作码

寄存器设置命令。 BA0和BA1确定哪种模式

寄存器（模式寄存器或扩展模式寄存器）加载

在加载模式寄存器命令。

SSTL_2参考电压。

串行时钟用于在线检测： SCL用于同步的

存在检测的数据传输和从模块。

在线检测地址输入：这些引脚用来

配置在线检测设备。

串行存在侦测数据： SDA是用于双向引脚

传送地址和数据移入和移出presence-的

检测模块的一部分。

数据写面膜。 DM LOW允许写操作。 DM高

块写操作。 DM线不影响阅读

操作。

引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表3页的详细信息

PIN号码

118, 119, 120

35, 37, 158, 160

95, 96

CKE0 ， CKE1

输入

121, 122

S0#, S1#

输入

116, 117

BA0 ， BA1

输入

99, 100, 101, 102, 105,106,

107, 108, 109, 110, 111, 112,

115

A0-A12

输入

1, 2

195

194, 196, 198

193

V

REF

SCL

SA0-SA2

SDA

输入

输入/

产量

输入

12, 26, 48, 62, 134, 148, 170,

184

DM0-DM7

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN

4

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512MB ， 1GB （ 64位）

200 -PIN DDR SODIMM

表5：

引脚说明（续）

符号

DQS0-DQS7

TYPE

输入/

产量

输入/

产量

描述

数据选通：输出与读取数据，输入与写入数据。

DQS是边沿对齐与读取数据，集中在写入数据。

用于捕获数据。

数据的I / O ：数据总线。

引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表3页的详细信息

PIN号码

11, 25, 47, 61, 133, 147, 169,

183

5, 6, 7, 8, 13, 14, 17, 18, 19,

20, 23, 24, 29, 30, 31, 32, 41,

42, 43, 44, 49, 50, 53, 54, 55,

56, 59, 60, 65, 66, 67, 68, 127,

128, 129, 130, 135, 136, 139,

140, 141, 142, 145, 146, 151,

152, 153, 154, 163, 164, 165,

166, 171, 172, 175, 176, 177,

178, 181, 182, 187, 188, 189,

190

9, 10, 21, 22, 33, 34, 36, 45,

46, 57, 58, 69, 70, 81, 82, 92,

93, 94, 113, 114, 131, 132,

143, 144, 155, 156, 157, 167,

168, 179, 180, 191, 192

3, 4, 15, 16, 27, 28, 38, 39, 40,

51, 52, 63, 64, 75, 76, 87, 88,

90, 103, 104, 125, 126, 137,

138, 149, 150, 159, 161, 162,

173, 174, 185, 186, 200

197

85, 97, 98, 123, 124, 199

71, 72, 73, 74, 77, 78, 79, 80,

83, 84, 86, 89, 91

DQ0-DQ63

V

DD

供应

电源： + 2.5V ± 0.2V 。

V

SS

供应

地面上。

V

DDSPD

NC

DNU

供应

—

串行EEPROM正电源： + 2.3V至+ 3.6V

无连接：这些引脚悬空。

不要使用：这些引脚没有连接该模块，但

都在该产品系列的其他模块的引脚分配。

09005aef80a646bc

DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN

5

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