【256MB / 512MB （ 64 ）168针SDRAM DIMM的同步DRAM模块特点 PC10】,IC型号MT16LSDT6464AG-133,MT16LSDT6464AG-133 PDF资料,MT16LSDT6464AG-133经销商,ic,电子元器件-51电子网

256MB / 512MB （ 64 ）

168针SDRAM DIMM的

同步

DRAM模块

特点

PC100-和PC133兼容

符合JEDEC标准的168针，双列直插式存储器

模块（DIMM）

无缓冲

256MB （梅格32 ×64 ）， 512MB （梅格64 ×64 ）

单+ 3.3V ± 0.3V电源

完全同步;所有注册的积极信号

系统时钟的边沿

内部流水线操作;可以列地址

可以改变每个时钟周期

内置SDRAM银行隐藏行存取/预充电

可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页

自动预充电，包括自动并行

预充电和自动刷新模式

64毫秒， 8192周期自动刷新周期

自刷新模式

LVTTL兼容的输入和输出

串行存在检测（ SPD ）

MT8LSDT3264A （Ⅰ） - 256MB

MT16LSDT6464A （Ⅰ） - 512MB

对于最新的数据资料，请参考美光网络

网站：

www.micron.com/moduleds

图1 ： 168针DIMM （ MO- 161 ）

标准

低调

选项

包

无缓冲

168针DIMM （金）

工作温度范围

商用（0 ° C至+ 70 ° C）

工业级（-40° C至+ 85°C ）

内存时钟/ CAS延迟

（ 133兆赫） / CL = 2

（ 133兆赫） / CL = 3

（100兆赫） / CL = 2

注意：

记号

无

-13E

-133

-10E

表2：

模块

标志

-13E

-133

-10E

时序参数

PC100

CL -

RCD -

2-2-2

PC133

CL -

RCD -

2-2-2

3-3-3

表3：

产品编号

系统

配置总线速度

梅格32 ×64

梅格64 ×64

133兆赫

100兆赫

133兆赫

100兆赫

部分号码

MT8LSDT3264AG-13E_

MT8LSDT3264AG(I)-133_

MT8LSDT3264AG-10E_

MT16LSDT6464AG-13E_

MT16LSDT6464AG(I)-133_

MT16LSDT6464AG-10E_

注意：

1.请微米的可用性;工业温度

TURE选项中只有-133速度可用。

表1：

地址表

256MB

模块

4 （ BA0 ， BA1 ）

32梅格×8

8K （ A0 - A12 ）

1K （ A0 -A9 ）

1 (S0,S2)

512MB

模块

4 （ BA0 ， BA1 ）

32梅格×8

8K （ A0 - A12 ）

1K （ A0 -A9 ）

2 (S0,S2; S1,S3)

刷新计数

银行设备

设备CON组fi guration

行寻址

列寻址

模块银行

1.代号为组件和PCB版本

各零件号码的最后两个字符。

对于当前版本的代码，请咨询工厂。例如：

MT8LSDT3264AG-133B1.

32,64梅格×64 SDRAM DIMM的

SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

256MB / 512MB （ 64 ）

168针SDRAM DIMM的

表4：

引脚分配，标准

印刷电路板（ 168针DIMM前）

S2#

46 DQMB2

47 DQMB3 68

WE＃

28 DQMB0 49

29 DQMB1 50

S0#

55 DQ16 76

56 DQ17 77

57 DQ18

58 DQ19

A10

BA1

60 DQ20

CK0

CKE1

DQ21

DQ22

DQ23

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

CK2

SDA

SCL

表5：

引脚分配，标准

印刷电路板（ 168针DIMM回）

106

127

148

107

128 CKE0

149

108

129

S3#

150

109

130 DQMB6

151

110

131 DQMB7 152

111 CAS ＃ 132

153

112 DQMB4 133

154

113 DQMB5 134

155

114

S1#

135

156

115 RAS ＃ 136

157

116

137

158

117

138

159

118

139 DQ48 160

119

140 DQ49 161

120

141 DQ50

162

121

142 DQ51

163

122

BA0

143

164

123

A11

144 DQ52

165

124

145

166

125

CK1

146

167

126

A12

147

168

DQ53

DQ54

DQ55

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

CK3

SA0

SA1

SA2

引脚符号引脚符号引脚符号引脚符号

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

引脚符号引脚符号引脚符号引脚符号

100

101

102

103

104

105

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

图2 ：引脚位置（ 168针DIMM ）

前视图

U10

销1

PIN码41

引脚84

后视图（仅适用于512MB模块填充的）

U11

U12

U13

U14

U16

U17

U18

U19

销168

表示V

针

PIN125

表示V

针

85针

参见图10 ， 256MB模块的尺寸，第23页图11 ， 512MB模块的尺寸，上

第24页的模块尺寸。

32,64梅格×64 SDRAM DIMM的

SD8_16C32_64x64AG_C.fm - 版本C 11/02

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256MB / 512MB （ 64 ）

168针SDRAM DIMM的

表6：

引脚说明

符号

RAS ＃， CAS ＃，

WE＃

CK0-CK3

TYPE

输入

描述

命令输入： RAS ＃， CAS ＃和WE＃（以及带有S ＃）

定义所输入的命令。

钟： CK是由系统时钟驱动。所有的SDRAM输入

信号进行采样的CK的上升沿。 CK也

递增内部突发计数器和控制输出

寄存器。

时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的

CK信号。停用时钟提供了预充电

掉电和自刷新操作（所有设备银行

空闲模式）或时钟暂停操作（突发存取

正在进行中）。 CKE是同步的，除了设备进入后，

关断和自刷新模式，在CKE变

异步直到退出同一模式之后。输入

在掉电模式下的缓冲区，包括CK ，被禁用，

自刷新模式，提供低待机功耗。

芯片选择：＃启用（注册LOW ）和禁用

（注册HIGH ）命令解码器。所有的命令都

当S ＃注册HIGH蒙面。 S ＃被认为是部分

的命令代码。

输入/输出面膜： DQMB是输入掩码信号写

访问和输出使能信号，用于读访问。输入

当DQMB是写在高采样数据被屏蔽

周期。输出缓冲器置于高阻抗状态（双

时钟延迟），当DQMB是一个读周期内采样为高电平

周期。

银行地址： BA0和BA1确定哪个设备银行

ACTIVE ， READ，WRITE或预充电命令正在

应用。

地址输入：提供行地址为ACTIVE

命令和列地址并自动prcharge位

（A10 ），用于读/写命令，以选择一个位置出

存储器的arrary在相应的设备组。 A10

取样在预充电命令决定是否

所述预充电适用于一个设备组（ A10 LOW时，设备

银行通过BA0 ， BA1选择）或所有设备银行（ A10 HIGH ）。

地址输入时也一个模式提供了操作码

寄存器设置命令。

串行时钟用于在线检测： SCL用于同步

的存在下，检测的数据传输和从模块。

在线检测地址输入：这些引脚用来

配置在线检测设备。

数据I / O ：数据总线。

引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表引脚数和符号信息。

PIN号码

27, 111, 115

42, 79, 125, 163

63, 128

CKE0 ， CKE1

输入

30, 45,114, 129

S0# -S3#

输入

28, 29, 46, 47, 112, 113, 130,

131

DQMB0-DQMB7

输入

39, 122

BA0 ， BA1

输入

33 - 38, 117 - 121, 123, 126

A0-A12

输入

165-167

2-5, 7-11, 13-17, 19-20, 55-58,

60, 65-67, 69-72, 74-77, 86-89,

91-95, 97-101, 103-104,

139-142, 144, 149-151,

153-156,158-161

SCL

SA0-SA2

DQ0-DQ63

输入

输入/

产量

SDA

输入/串行存在侦测数据： SDA是用于双向引脚

输出传送地址和数据移入和移出presence-的

检测模块的一部分。

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256MB / 512MB （ 64 ）

168针SDRAM DIMM的

表6：

引脚说明（续）

符号

TYPE

供应

描述

电源： + 3.3V ± 0.3V 。

引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表引脚数和符号信息。

PIN号码

6, 18, 26, 40, 41, 49, 59, 73,

84, 90, 102, 110, 124, 133,

143, 157, 168

1, 12, 23, 32, 43, 54, 64, 68,

78, 85, 96, 107, 116, 127, 138,

148, 152, 162

21-22, 24-25, 31, 44, 48,

50-53, 61-62, 80, 81, 105-106,

108-109, 132, 134-137,

145-147, 164

供应

地面上。

–

不接：这些引脚没有连接上这些

模块。

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图3 ：功能框图

单一的银行模块

S0#

DQMB0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQMB1

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

S2#

DQMB2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQMB3

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

RAS ＃

CAS ＃

CKE0

WE＃

A0-A11

BA0

BA1

DQM CS ＃

RAS ＃： SDRAM的

CAS ＃： SDRAM的

CKE0 ： SDRAM的

WE＃： SDRAM的

A0 - A11 ： SDRAM的

BA0 ： SDRAM的

BA1 ： SDRAM的

SDRAM的

SPD

U10

A0 A1 A2

SA0 SA1 SA2

注意事项：

所有的电阻值为10

除非另有规定ED 。

按行业标准，美光模块使用的各种组件的速度等级为

在模块部分编号导游引用：

www.micron.com/numberguide 。

SDRAM的= MT48LC32M8A2TG ，商用温度

SDRAM的= MT48LC32M8A2TG - 75的IT ，工业级温度

DQMB4

DQM CS ＃

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQMB5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

DQM CS ＃

DQMB6

DQM CS ＃

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

DQMB7

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

DQM CS ＃

CK0

CK2

3.3pF

CK1 ， CK3

SDA

SCL

10pF

32,64梅格×64 SDRAM DIMM的

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