【新产品MSS1P2U ， MSS1P3U威世通用半导体超低VF表面贴装肖特基二极管特点ESMP系列非】,IC型号MSS1P3U,MSS1P3U PDF资料,MSS1P3U经销商,ic,电子元器件-51电子网

新产品

MSS1P2U ， MSS1P3U

威世通用半导体

超低V

表面贴装肖特基二极管

特点

ESMP

系列

非常低调 - 为0.65mm典型的高度

适合自动放置

低正向压降，低功率损耗

注意：高的反向漏

顶视图

底部视图

符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大

260℃峰值

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

MicroSMP

超低V

肖特基正向压降优化

具有很高的反向电流权衡。

主要特征

F（ AV ）

RRM

FSM

在我

= 1.5 A

马克斯。

1.0 A

20 V, 30 V

30 A

0.30 V

125 °C

机械数据

案例：

MicroSMP

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

终端：

雾锡电镀引脚，焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验

极性：

色环表示阴极结束

每

应用

应用程序设计和合格的硬盘驱动器

其中， V

性能和尺寸是必需的。 HTIR不

一个关注的问题。

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

器件标识代码

最大重复峰值反向电压

最大正向平均整流电流（图1）

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷

工作结温范围

存储温度范围

RRM

F（ AV ）

FSM

英镑

符号

MSS1P2U

12U

1.0

- 55至+ 125

- 55至+ 150

MSS1P3U

13U

°C

单位

文档编号： 89095

修订： 19 -APR- 11

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

www.vishay.com

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

本文如有更改，恕不另行通知。

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新产品

MSS1P2U ， MSS1P3U

威世通用半导体

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

= 0.5 A

= 1.0 A

最大瞬时

正向电压

= 1.5 A

= 0.5 A

= 1.0 A

= 1.5 A

最大反向电流

典型结电容

为V

4.0 V， 1 MHz的

= 25 °C

= 125 °C

R (2)

= 85 °C

= 25 °C

F (1)

符号

典型值。

0.23

0.30

0.35

0.16

0.24

0.30

0.4

马克斯。

0.40

0.35

1.2

μA

单位

笔记

相反的功耗和热失控的可能性，必须在任何反向电压操作本设备时，应考虑

条件。的T计算

因此，必须包括正向和反向功率的效果。

(1)

脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

(2)

脉冲测试：脉冲宽度

40毫秒

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

典型热阻

符号

θJA

(1)

θJM

(1)

MSS1P3U

170

单位

° C / W

记

(1)

自由的空气，安装在推荐的铜焊盘面积。热阻R

θJA

- 结到环境，R

θJM

- 结安装。

订购信息

（例）

首选的P / N

MSS1P3U-M3/89A

单位重量（g ）

0.006

首选包装代码

89A

基地数量

4500

配送方式

直径7"塑料带和卷轴

额定值和特性曲线

= 25 ° C除非另有说明）

1.2

负载电阻或电感

0.5

D = 0.3

D = 0.5

D = 0.8

平均正向电流（ A）

1.0

0.8

平均功耗（ W）

0.4

D = 0.1

0.3

D = 0.2

0.6

D = 1.0

0.2

0.1

D =吨

1.0

1.2

0.4

测

在阴极频带终端

0.2

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

- 安装温度（ ℃）

平均正向电流（ A）

图。 1 - 最大正向电流降额曲线

图。 2 - 正向功率损耗特性

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威世通用半导体

1000

正向电流（A ）

= 100 °C

= 25 °C

0.1

= 85 °C

结电容（pF ）

0.8

1.0

100

0.01

0.2

0.4

0.6

0.1

100

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

- 降低的工作温度（ ℃）

100

125

瞬时反向电流（mA ）

= 100 °C

= 85 °C

115

105

0.1

= 25 °C

0.01

1999额定峰值反向电压百分比（％）

- 直流反向电压（ V）

图。 4 - 典型的反向特性

图。 6 - 典型工作温度降额

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

MicroSMP

阴极带

0.059 (1.50)

0.043 (1.10)

0.030 (0.75)

0.022 (0.55)

0.055 (1.40)

0.047 (1.20)

0.039 (0.98)

0.031 (0.78)

0.030 (0.75)

0.022 (0.55)

0.091 (2.30)

0.083 (2.10)

0.106 (2.70)

0.091 (2.30)

贴装焊盘布局

0.079

(2.00)

0.032

(0.80)

0.029 (0.73)

0.025 (0.63)

0.011 (0.27)

0.005 (0.12)

0.043

(1.10)

0.032

(0.80)

0.020 (0.50)

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放弃

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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11