E2D0095-19-22
半导体
MSM9894AL
半导体
8M位串行语音闪存
这个版本: 1999年2月
MSM9894AL
概述
该MSM9894AL是8MB闪存存储器,工作在2.7 V至3.6 V.由于备份不
需要时,管脚数是小的,并且芯片被包含在一个小包装32引脚的TSOP ,
该MSM9894AL适合的应用,如手持终端闪速存储器。在
与OKI的记录/回放IC ( MSM9888L / MSM9889L ) ,固态记录/组合
重放系统能够容易地构成。
特点
小页面大小
(一次性写入单元)
配置
=电源电压
工作电流
:每页2112位
: 4096页
2112位
:单2.7至3.6 V
:供电电流:高达35毫安
: STANBY电流:高达10
mA
工作温度: -10 + 70°C
写周期
:每页10,000次
??包装:
32引脚塑料TSOP ( TSOPI32 -P - 820-0.50 -K ) (产品名称: MSM9894ALTS - KT )
引脚配置(顶视图)
TEST
RESET
PRT
NC
NC
NC
V
DD
GND
NC
NC
NC
NC
CS
SCK
DI
DO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC :无连接
28引脚塑料TSOP
NC :无连接
32引脚塑料TSOP
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半导体
MSM9894AL
编程/擦除特性
参数
擦除/编程周期
数据保存时间
写打扰* 1)
符号
C
EP
T
DR
C
PD
条件
—
—
比特错误:非
比特错误:1位
误码: 3比特
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
马克斯。
10,000
10
20,000
50,000
100,000
单位
周期
岁月
周期
周期
周期
*1)
"Write Disturb"指一种现象,即频繁的写周期中执行,以页
闪速存储器可以在另一页面引起数据错误向其中写操作是不
进行。
例如, 20,001至50,000的写操作进行比"n"网页的其他网页
在"n"页面可能会导致一个1位的错误。
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半导体
MSM9894AL
写入干扰
"Write Distrub"意味着从数字"0"到"1"的变化,可能会出现在一个动画的现象
存储器页到哪个数据几乎不写入。
上述变化,可避免通过刷新闪存数据与DTRW命令
和WEND的MSM9888L / MSM9889L的命令。
q
DTRW命令
此命令将一些闪存
页面数据到缓冲区。
卜FF器
FL灰
页面"n"
w
WEND命令
该命令程序缓冲区中的数据来
FL灰的记忆。
卜FF器
FL灰
页面"n"
时序上电时
请参阅MSM9888L / MSM9889L数据表。如果descrided在该时序图
MSM9888L / MSM9889L数据表不满意,错误,比如"Recording是disabled"或
"Recorded消息是可能发生erased" 。
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