E2O0012-27-X2
半导体
MSM82C84A-2RS/GS/JS
半导体
时钟发生器和驱动程序
这个版本： 1998年1月
MSM82C84A-2RS/GS/JS
上一版本： 1996年8月
概述
该MSM82C84A -2RS / GS是时钟发生器设计成产生MSM80C86A -10和
为8MHz MSM80C88A -10系统时钟。
由于使用的硅栅CMOS技术，待机电流仅为40
mA
（最大） ，而
功率消耗非常低， 16毫安（最大）时，产生一个8 MHz的时钟。
特点
6至24兆赫（ CLK输出2到8 MHz ）的工作频率
3
m
硅栅CMOS技术的低功耗
内置晶体振荡器电路
3 V至6 V单电源供电
内置同步电路MSM80C86A -10和MSM80C88A - 10 READY和RESET
TTL兼容
内置施密特触发电路（ RES输入）
18引脚塑料DIP （ DIP18 -P - 300-2.54 ） ： （产品名称： MSM82C84A - 2RS ）
20引脚塑料QFJ （ QFJ20 -P - S350-1.27 ） ： （产品名称： MSM82C84A - 2JS ）
24引脚塑料SOP （ SOP24 -P - 430-1.27 -K ） ： （产品名称： MSM82C84A - 2GS -K ）
功能框图
水库
x
1
x
2
F / C
EFI
CSYNC
RDY
1
AEN
1
AEN
2
RDY
2
ASYNC
C
≠
D
C
Q
RESET
OSC
水晶
振荡器
1
3
S
Y
N
C
1
2
S
Y
N
C
PCLK
CLK
C
D
(F1)
Q
D
(F2)
Q
准备
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半导体
MSM82C84A-2RS/GS/JS
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
D
条件
尊重
到GND
—
TA = 25°C
0.8
等级
MSM82C84A-2RS/JS
MSM82C84A-2GS
单位
V
V
V
°C
0.7
W
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+150
工作范围
参数
电源电压
工作温度
符号
V
CC
T
op
范围
3至6
-40至+85
单位
V
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
"H"电平输入电压（除
RES ）
"H"电平输入电压（ RES ）
符号
V
CC
T
op
V
IL
V
IH
分钟。
4.5
–40
–0.5
2.2
0.6*V
CC
典型值。
5
+25
—
—
马克斯。
5.5
+85
+0.8
V
CC
+0.5
单位
V
°C
V
V
DC特性
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = -40至85°C ）
参数
"L"电平输出电压（ CLK ）
"L"电平输出电压（其他）
"H"输出电压（ CLK）
"H"输出电压（其他）
水库
输入滞后
输入漏电流
（除了
异步）
输入电流（异步）
待机电源电流
工作电源电流
输入电容
符号
V
OL
V
OL
V
OH
V
OH
V
国际卫生条例
-V
ILR
I
LI
I
LIA
I
CCS
I
CC
C
IN
0
V
IN
V
CC
0
V
IN
V
CC
注1
F = 24兆赫，C
L
= O
P
F
F = 1 MHz的
条件
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 2.5毫安
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -1毫安
分钟。
—
—
V
CC
–0.4
V
CC
–0.4
0.2*V
CC
–1
–100
—
—
—
马克斯。
0.4
0.4
—
—
—
+1
+10
40
16
7
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
pF
注意：
1. X1
≥
V
CC
- 0.2 V ， X2
0.2 V
F / C
≥
V
CC
- 0.2 V ， ASYNC = V
CC
或打开
VIH
≥
V
CC
- 0.2 V ， VIL
0.2 V
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半导体
MSM82C84A-2RS/GS/JS
AC特性
(1)
参数
EFI "H"脉冲宽度
EFI "L"脉冲宽度
EFI周期时间
晶体振荡器频率
建立RDY时间
1
或RDY
2
to
CLK的下降沿（活动）
建立RDY时间
1
或RDY
2
to
CLK上升沿（活动）
建立RDY时间
1
或RDY
2
to
CLK的下降沿（未激活）
RDY保持时间
1
或RDY
2
to
CLK的下降沿
成立时间
ASYNC
到CLK
下降沿
保持时间
ASYNC
to
CLK的下降沿
成立AEN的时间
1
（ AEN
2
）以
RDY
1
（ RDY
2
）上升沿
AEN保持时间
1
（ AEN
2
）以
CLK的下降沿
成立CSYNC的时间EFI
上升沿
保持CSYNC的时间EFI
上升沿
CSYNC脉冲宽度
成立时间
水库
到CLK下降
EDGE
保持时间
水库
到CLK下降
EDGE
输入的上升沿时间
输入的下降沿时间
符号
t
EHEL
t
ELEH
t
ELEL
—
t
R1VCL
t
R1VCH
t
R1VCL
t
CLR1X
t
AYVCL
t
CLAYX
t
A1R1V
t
CLA1X
t
YHEH
t
EHYL
t
YHYL
t
I1HCL
t
CLI1H
t
ILIH
t
IHIL
分钟。
13
17
36
6
35
35
35
0
50
0
15
0
20
10
2
t
ELEL
65
20
—
—
马克斯。
—
—
—
24
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
15
单位
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = -40至85°C ）
条件
90 ％至90％
10％至10％的
—
—
ASYNC
=高
ASYNC
= LOW
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
输出负载
电容
CLK输出
C
L
= 100 pF的
其他30 pF的
注意：其中定时还未表示在上表中的参数在测量
V
L
= 1.5 V和V
H
= 1.5 V的输入和输出。
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半导体
MSM82C84A-2RS/GS/JS
AC特性
(2)
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = -40至85°C ）
参数
CLK周期时间
CLK "H"脉冲宽度
CLK "L"脉冲宽度
CLK的上升沿和下降沿
时
PCLK "H"脉冲宽度
PCLK "L"脉冲宽度
从READY下降沿时间
到CLK下降沿
从READY上升沿时刻
到CLK上升沿
从CLK下降沿延迟
为RESET下降沿
从CLK下降沿延迟
以PCLK上升沿
从CLK下降沿延迟
以PCLK下降沿
从OSC下降沿延迟
到CLK上升沿
从OSC下降沿延迟
到CLK下降沿
输出的上升沿时刻
（除CLK ）
输出下降沿时间
（除CLK ）
符号
t
CLCL
t
CHCl 3
t
CLCH
t
CH1CH2
t
CL2CL1
t
PHPL
t
PLPH
t
RYLCL
t
RYHCH
t
CLIL
t
CLPH
t
CLPL
t
OLCH
t
oLCL
t
OLOH
t
OHOL
—
—
—
1.0 V至3.5 V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8 V至2.2 V
2.2 V至0.8 V
输出负载
电容
CLK输出
C
L
= 100 pF的
其他30 pF的
条件
分钟。
125
1
T
+2
3
CLCL
2
T
–15
3
CLCL
—
T
CLCL
–20
T
CLCL
–20
-8
2
T
–15
3
CLCL
—
—
—
–5
2
—
—
马克斯。
—
—
—
10
—
—
—
—
40
22
22
22
35
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：其中定时还未表示在上表中的参数在测量
V
L
= 1.5 V和V
H
= 1.5 V的输入和输出。
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