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E2O0021-27-X3
半导体
MSM82C59A-2RS/GS/JS
半导体
可编程中断控制器
这个版本： 1998年1月
MSM82C59A-2RS/GS/JS
上一版本： 1996年8月
概述
该MSM82C59A -2是一种可编程中断用于MSM80C85AH和MSM80C86A-使用
10 / 88A - 10单片机系统。
基于CMOS硅栅技术，该器件具有极低的待机电流
100mA的（最大）在芯片的非选择性地位。在中断控制状态时，电源
消耗非常低的只有5 MA（最大）被要求带。
在内部， MSM82C59A -2可以控制优先级的中断的多达8层，并且可以是
扩展到64级通过多个设备级联连接。
特点
硅栅CMOS技术用于高速和低功耗
3 V至6 V单电源供电
MSM80C85AH系统的兼容性（ MAX5兆赫）
MSM80C86A - 10 / 88A - 10系统的兼容性（ MAX8兆赫）
8个优先级的中断控制
中断级别最大可扩充至64级
可编程中断模式
可屏蔽中断
自动生成的代码CALL （ 85模式）
TTL兼容
28引脚塑料DIP （ DIP28 -P - 600-2.54 ） ： （产品名称： MSM82C59A - 2RS ）
28引脚塑料QFJ （ QFJ28 -P - S450-1.27 ） ： （产品名称： MSM82C59A - 2JS ）
32引脚塑封SSOP （ SSOP32 -P - 430-1.00 -K ） ： （产品名称： MSM82C59A - 2GS -K ）
1/28
半导体
MSM82C59A-2RS/GS/JS
框图
INTA
INT
D
7
- D
0
数据
公共汽车
卜FF器
控制逻辑
RD
WR
A
0
CS
READ /
写
逻辑
IN-
服务
注册
（ ISR ）
优先
分解器
打断
请求
注册
（ IRR ）
IR
0
IR
1
IR
2
IR
3
IR
4
IR
5
IR
6
IR
7
CAS
0
CAS
1
CAS
2
SP / EN
级联
缓冲器/
比较
中断屏蔽寄存器（ IMR ）
内部总线（ 8位）的
MSM82C59A - 2内部框图
2/28
半导体
MSM82C59A-2RS/GS/JS
引脚配置（顶视图）
32引脚塑封SSOP
28引脚塑料DIP
CS
WR
RD
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
CAS
0
CAS
1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
AO
INTA
IR
7
IR
6
IR
5
IR
4
IR
3
IR
2
IR
1
IR
0
INT
SP / EN
CAS
2
CS
WR
RD
NC
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
NC
CAS
0
CAS
1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
AO
INTA
NC
IR
7
IR
6
IR
5
IR
4
IR
3
IR
2
IR
1
IR
0
NC
INT
SP / EN
CAS
2
28引脚塑料QFJ
28 V
CC
D
6
5
D
5
6
D
4
7
D
3
8
D
2
9
D
1
10
D
0
11
GND 14
SP / EN
16
CAS
0
12
CAS
1
13
CAS
2
15
诠释第17号
IR
0
18
26
INTA
2
WR
3
RD
1
CS
27 A0
4 D
7
25 IR
7
24 IR
6
23 IR
5
22 IR
4
21 IR
3
20 IR
2
19 IR
1
3/28
半导体
MSM82C59A-2RS/GS/JS
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
D
条件
尊重
到GND
—
TA = 25°C
0.9
等级
MSM82C59A -2RS MSM82C59A - 2GS MSM82C59A - 2JS
单位
V
V
V
°C
0.9
W
–0.5 - +7
–0.5 - V
CC
+0.5
–0.5 - V
CC
+0.5
–55 - +150
0.7
工作范围
参数
电源电压
工作温度
符号
V
CC
T
OP
范围
3-6
–40 - +85
单位
V
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度
"L"勒贝尔输入电压
"H"勒贝尔输入电压
符号
V
CC
T
OP
V
IL
V
IH
分钟。
4.5
-40
-0.5
2.2
典型值。
5
+25
—
—
马克斯。
5.5
+85
+0.8
V
CC
+0.5
单位
V
°C
V
V
DC特性
参数
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
输入漏电流
IR输入漏电流
输出漏电流
备用电源
当前
平均手术
电源电流
符号
V
OL
V
OH
I
LI
I
LIR
I
LO
I
CCS
I
OL
= 2.5毫安
I
OH
= -2.5毫安
I
OH
= –100
mA
0
V
IN
V
CC
0
V
OUT
V
CC
CS
= V
CC,
IR = V
CC
V
IL
= 0 V, V
IH
= V
CC
V
IN
= 0 V/V
CC
C
L
= 0 pF的
V
CC
= 4.5 V - 5.5 V
TA = -40 °C - + 85°C
条件
分钟。
—
3.0
V
CC
–0.4
–1
–300
–10
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.1
马克斯。
0.4
—
—
1
10
10
100
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
I
CC
—
5
mA
4/28
半导体
MSM82C59A-2RS/GS/JS
AC特性
TA = -40 °C - + 85°C ，V
CC
= 5 V ± 10%
参数
地址建立时间（以
路）
地址保持时间（后
路）
RD / INTA
脉冲宽度
地址建立时间（以
WR ）
地址保持时间（后
WR ）
WR
脉冲宽度
数据建立时间（以
WR ）
数据保持时间（后
WR ）
IR输入宽度（低）
CAS输入建立时间（以
INTA ）
（从）
完
RD
下一个
RD
完
INTA
下一个
INTA
完
WR
下一个
WR
命令结束到下一个命令
数据有效的关注
RD / INTA
数据浮动继
RD / INTA
INT输出延迟时间
CAS有效的关注1日。
INTA
（主）
EN
积极的关注
RD / INTA
EN
不活动的关注
RD / INTA
数据有效的地址后，
有效的数据后， CAS
符号
t
AHRL
t
RHAX
t
RLRH
t
AHWL
t
WHAX
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
t
JLJH
t
CVIAL
t
RHRL
t
WHWL
t
CHCl 3
t
RLDV
t
RHDZ
t
JHIH
t
IALCV
t
RLEL
t
RHEH
t
AHDV
t
CVDV
分钟。
10
5
160
0
0
190
160
0
100
40
160
190
400
—
10
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120
85
300
360
100
150
200
200
单位
ns
ns
ns
ns
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
2
1
1
1
1
1
1
—
其它定时
—
INTA
顺序
—
写时序
—
读
INTA
定时
测试条件
延迟时间
AC测试电路
V1
从输出
在测试设备
R1
测试点
R2
C1*
交流测试输入，输出波形
输入
V
IH
+0.4 V
1.5V
V
IL
–0.4 V
产量
V
OH
1.5 V
V
OL
AC测试：所有输入信号必须切换
V
IL
-0.4 V和V
IH
+0.4 V.
T
R
和T
F
必须小于等于15纳秒。
*包括杂散和夹具电容
测试条件定义表
测试条件
1
2
V1
R1
R2
C1
1.7 V 523
W
打开100 pF的
4.5 V 1.8K
W
1.8k
W
30 pF的
5/28
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