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E2O0020-27-X3
半导体
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
半导体
CMOS可编程外设接口
这个版本： 1998年1月
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
上一版本： 1996年8月
概述
该MSM82C55A - 2是工作的高可编程通用I / O接口设备
速度和低功率消耗，因为3米硅栅的CMOS技术。这是最好的
适合作为一个系统，它采用了8位的并行处理MSM80C85AH的CPU的I / O端口。
该器件具有24位I / O引脚相当于3个8位I / O端口和所有输入/输出
TTL接口兼容。
特点
高速和低功耗由于3米硅栅CMOS技术
3 V至6 V单电源供电
全静态操作
可编程的24位I / O端口
双向总线操作（ A口）
位置位/复位功能（端口C ）
TTL兼容
兼容8255A - 5
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ） ： （产品名称： MSM82C55A - 2RS ）
44引脚塑料QFJ （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） ： （产品名称： MSM82C55A - 2VJS ）
44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ） ： （产品名称： MSM82C55A - 2GS -2K ）
1/26
半导体
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
电路CON组fi guration
8
V
CC
8
GND
8
A组
控制
4
A组
端口C
（高阶
4比特）
4
PC
4
- PC
7
A组
端口A
(8)
8
PA
0
- pA的
7
8
D
0
- D
7
数据
公共汽车
卜FF器
8
内部总线
4
8
RD
WR
RESET
CS
A
0
A
1
READ /
写
控制
逻辑
B组
控制
8
B组
端口C
（低位
4比特）
4
PC
0
- PC
3
B组
端口B
(8)
8
PB
0
- PB
7
2/26
半导体
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
引脚配置（顶视图）
40引脚塑料DIP
1
2
3
4
RD
5
CS
6
7 GND
A
1
8
A
0
9
PC
7
10
PC
6
11
PC
5
12
PC
4
13
PC
0
14
PC
1
15
PC
2
16
PC
3
17
PB
0
18
PB
1
19
PB
2
20
PA
3
PA
2
PA
1
PA
0
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
PB
0
14
PB
1
15
PB
2
16
V
CC
17
PB
3
18
PB
4
19
PB
5
20
PB
6
21
NC 12
PC
3
13
NC 22
44引脚塑料QFP
44
RD
43 PA
0
42 PA
1
41 PA
2
40 PA
3
38 PA
4
37 PA
5
36 PA
6
35 PA
7
34
WR
39 V
CC
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
PA
4
PA
5
PA
6
PA
7
WR
RESET
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
V
CC
PB
7
PB
6
PB
5
PB
4
PB
3
CS
GND
A
1
A
0
PC
7
PC
6
PC
5
PC
4
PC
0
PC
1
PC
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
RESET
D
0
D
1
D
2.
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
V
CC
PB
7
6
RD
5 PA
0
44引脚塑料QFJ
4 PA
1
3 pA的
2
2 PA
3
44 PA
4
43 PA
5
42 PA
6
41 PA
7
40
WR
1 NC
CS
GND
A
1
A
0
PC
7
NC
PC
6
PC
5
PC
4
PC
0
PC
1
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
PB
0
20
PB
1
21
PB
2
22
NC 23
PB
3
24
PB
4
25
PB
5
26
PB
6
27
PC
2
18
PC
3
19
PB
7
28
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
RESET
D
0
D
1
D
2.
D
3
NC
D
4
D
5
D
6
D
7
V
CC
3/26
半导体
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
D
条件
TA = 25°C
对于
到GND
—
TA = 25°C
1.0
等级
MSM82C55A -2RS MSM82C55A - 2GS MSM82C55A - 2vJS
单位
V
V
V
°C
1.0
W
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+150
0.7
工作范围
参数
电源电压
工作温度
符号
V
CC
T
op
范围
3至6
-40到85
单位
V
°C
推荐工作范围
参数
电源电压
工作温度
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
符号
V
CC
T
op
V
IL
V
IH
分钟。
4.5
–40
–0.3
2.2
典型值。
5
+25
—
—
马克斯。
5.5
+85
+0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
°C
V
V
DC特性
MSM82C55A-2
分钟。
—
4.2
3.7
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
TA = -40 ° C至+ 85°C
(C
L
= 0 pF）的
–1
–10
—
典型值。
—
—
—
—
—
0.1
马克斯。
0.4
—
—
1
10
10
参数
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（待机）
平均供应
当前（活动）
符号
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CCS
条件
I
OL
= 2.5毫安
I
OH
= –40
mA
I
OH
= -2.5毫安
0
V
IN
V
CC
0
V
OUT
V
CC
CS
≥
V
CC
–0.2 V
V
IH
≥
V
CC
–0.2 V
V
IL
0.2 V
I / O线周期
82C55A-2
... 8 MHzCPU时间
单位
V
V
V
mA
mA
mA
I
CC
—
—
8
mA
4/26
半导体
MSM82C55A-2RS/GS/VJS
AC特性
参数
地址为下降沿建立时间
RD
举办地址时间的上升沿
RD
RD
脉冲宽度
从下降沿延迟时间
RD
到的输出
定义数据
从上升沿的延迟时间
RD
到的浮动
数据总线
从上升沿时间
RD
or
WR
到下一个下降沿
边缘
RD
or
WR
地址下降沿之前建立时间
WR
上升沿后地址保持时间
WR
WR
脉冲宽度
总线数据的上升沿之前建立时间
WR
的上升沿之后保持总线数据的时间
WR
从上升沿的延迟时间
WR
到的输出
定义数据
端口数据的下降沿之前建立时间
RD
上升沿后保持端口数据的时间
RD
确认
脉冲宽度
机顶盒
脉冲宽度
端口数据的上升沿之前建立时间
机顶盒
上升沿后保持端口总线数据的时间
机顶盒
从下降沿延迟时间
确认
到的输出
定义数据
从上升沿的延迟时间
确认
到的浮动
端口（端口A的模式2 ）
从上升沿的延迟时间
WR
到下降沿
OBF
从ACK的下降沿到上升沿的延迟时间
OBF
从STB的下降沿到上升沿的延迟时间
国际羽联
从上升沿的延迟时间
RD
到下降沿
国际羽联
从的下降沿延迟时间
RD
到下降沿
INTR的
从上升沿的延迟时间
机顶盒
到上升沿
INTR
从上升沿的延迟时间
确认
到上升沿
INTR
从下降沿延迟时间
WR
到下降沿
INTR
(V
CC
= 4.5 V至5.5 V ， TA = -40至+ 85°C ）
MSM82C55A-2
符号
单位备注
分钟。
马克斯。
t
AR
t
RA
t
RR
t
RD
t
DF
t
RV
t
AW
t
WA
t
WW
t
DW
t
WD
t
WB
t
IR
t
HR
t
AK
t
ST
t
PS
t
PH
t
AD
t
KD
t
WOB
t
AOB
t
SIB
t
RIB
t
RIT
t
SIT
t
AIT
t
WIT
20
0
100
—
10
200
0
20
150
50
30
—
20
10
100
100
20
50
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
120
75
—
—
—
—
—
—
200
—
—
—
—
—
—
150
250
150
150
150
150
200
150
150
250
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
负载
150 pF的
注意：测量V定时
L
= 0.8 V和V
H
= 2.2 V为输入和输出。
5/26
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