【E2O0016-39-81半导体MSM82C37B-5RS/GS/VJS半导体可编程DMA控制器这个】,IC型号MSM82C37B-5RS,MSM82C37B-5RS PDF资料,MSM82C37B-5RS经销商,ic,电子元器件-51电子网

E2O0016-39-81

半导体

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

半导体

可编程DMA控制器

这个版本： 1999年8月

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

上一版本： 1998年1月

概述

该MSM82C37B - 5RS / GS / VJS ， DMA （直接存储器存取）控制器能高的

没有CPU干预的高速数据传送，并用作在微型计算机的外围设备

系统。该器件具有四个独立的可编程DMA通道。

由于使用的硅栅CMOS技术，待机电流为10

mA

（最大值），并且功率

消耗低至10毫安（最大）时，生成一个5MHz的时钟。

交流特性的所有项目均采用Intel 8237A - 5兼容。

特点

为5 MHz的最高工作频率（VCC = 5 V

±10%)

在非常低的功率消耗，因为硅栅CMOS技术的高速运转

宽工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C

4通道独立的DMA控制

DMA请求屏蔽和编程

DMA请求的优先级功能

DREQ和DACK信号的输入/输出逻辑反相

DMA地址递增/递减选择

内存到内存的传输

通道延伸通过级联

DMA传输终止EOP输入

英特尔8237A - 5的兼容性

TTL兼容

40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ）：（产品名称： MSM82C37B - 5RS ）

44引脚塑料QFJ （ QFJ44 -P - S650-1.27 ）：（产品名称： MSM82C37B - 5VJS ）

44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ）：（产品名称： MSM82C37B - 5GS -2K ）

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半导体

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

引脚配置（顶视图）

40引脚塑料DIP

IOR

IOW

MEMR

MEMW

NC

准备

HLDA

ADSTB

AEN

HRQ

CS

CLK

RESET

DACK

2

DACK

3

DREQ

3

DREQ

2

DREQ

1

DREQ

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

GND 20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

A

7

A

6

A

5

A

4

EOP

A

3

A

2

A

1

A

0

V

CC

(+5 V)

DB

0

DB

1

DB

2

DB

3

DB

4

DACK

0

DACK

1

DB

5

DB

6

DB

7

44引脚塑料QFP

43

MEMW

42

MEMR

41

IOW

40

IOR

EOP

34

33 A

3

32 A

2

31 A

1

30 A

0

29 V

CC

28 NC

27分贝

0

26分贝

1

25分贝

2

24分贝

3

23分贝

4

44 NC

39 NC

A

7

37 A

6

A

5

36

38

准备

HLDA

ADSTB

AEN

HRQ

NC

CS

CLK

RESET

1

2

3

4

5

6

7

8

9

DACK

2

10

DACK

3

11

35

A

4

44引脚塑料QFJ

5

MEMW

4

MEMR

3

IOW

40

EOP

39 NC

38 A

3

37 A

2

36 A

1

35 A

0

34 V

CC

33分贝

0

32分贝

1

31分贝

2

30分贝

3

29分贝

4

DREQ

3

12

DREQ

2

13

DREQ

1

14

DREQ

0

15

GND 16

NC 17

DB

7

18

DB

6

19

DB

5

20

DACK

1

21

DACK

0

22

2

IOR

6 NC

1 NC

44 A

7

43 A

6

42 A

5

DB

5

26

NC 7

8就绪

9 HLDA

ADSTB 10

AEN 11

HRQ 12

CS

13

CLK 14

RESET 15

2 DACK 16

NC 17

DACK

3

18

DREQ

3

19

DREQ

2

20

DREQ

1

21

DREQ

0

22

GND 23

DB

7

24

DB

6

25

DACK

1

27

41 A

4

DACK

0

28

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半导体

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

框图

IOR

IOW

MEMR

MEMW

准备

ADSTB

AEN

CS

CLK

RESET

EOP

基数词

算

注册

(4

16)

当前

字

算

注册

(4

16)

BASE

地址

注册

(4

16)

当前

地址

注册

(4

16)

TC

（终端数）

定时

控制

电路

递减器

临时字

计数寄存器（ 16 ）

增量/递减器

8 4

临时地址

注册（ 16 ）

4

产量

卜FF器

输入/输出

卜FF器

A

4 -

A

7

16位总线

A

0 -

A

3

A

8

- A

15

命令

控制

电路

2

D

0 - 1

HLDA

HRQ

DREQ

0 - 3

DACK

0 - 3

优先

4判断

4

电路

模式

注册

(4

16)

命令

注册（ 8 ）

标志

注册（ 4 ）

请求

注册（ 4 ）

状态

注册（ 8 ）

临时

注册（ 8 ）

内部数据总线

输入/输出

卜FF器

DB

0 -

DB

7

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半导体

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

绝对最大额定值

参数

电源电压

输入电压

输出电压

储存温度

功耗

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

T

英镑

P

D

条件

对于

到GND

—

TA = 25°C

1.0

等级

MSM82C37B - 5RS MSM82C37B - 5GS MSM82C37B - 5VJS

单位

V

°C

-0.5到+7

-0.5到V

CC

+0.5

-0.5到V

CC

+0.5

-55到+150

0.7

1.0

W

推荐工作条件

参数

电源电压

工作温度

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压

符号

V

CC

T

op

V

IL

T

IH

分钟。

4.5

–40

–0.5

2.2

典型值。

5.0

+25

—

马克斯。

5.5

+85

+0.8

V

CC

+ 0.5

单位

V

°C

V

DC特性

参数

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压

输入漏电流

输出漏电流

平均供电

在目前的操作

符号

V

OL

V

OH

I

LI

I

LO

I

CC

条件

I

OL

= 3.2毫安

I

OH

= -1.0毫安

0V

V

IN

V

CC

0V

V

OUT

V

CC

输入频率

5兆赫兹，时复位

V

IN

= 0 V/V

CC

,

C

L

= 0 pF的

HLDA = 0 V ，

V

IL

= 0 V,

V

IH

= V

CC

V

CC

= 4.5 V

至5.5 V

TA = -40°C

至+ 85°C

分钟。

—

3.7

–10

典型值。

—

马克斯。

0.4

—

10

单位

V

mA

—

10

mA

电源电流

在待机模式下

I

CCS

—

10

mA

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半导体

MSM82C37B-5RS/GS/VJS

AC特性

DMA （主）模式

符号

t

AEL

t

AET

t

AFAB

t

AFC

t

非洲开发银行

t

AHR

t

AHS

t

AHW

项

从CLK下降沿延迟时间

达AEN前沿

从CLK上升沿延迟时间

达AEN后缘

从CLK上升沿延迟时间

高达地址浮动状态

从CLK上升沿延迟时间

到读/写信号浮动状态

从CLK上升沿延迟时间

到数据总线浮动状态

地址有效保持时间

读取信号后沿

数据有效保持时间

以ADSTB后缘

地址有效保持时间

写信号后沿

从CLK下降沿延迟时间

到Active DACK

t

AK

从CLK上升沿延迟时间

最多

EOP

前沿

从CLK上升沿延迟时间

最多

EOP

后缘

t

ASM

t

屁股

t

CH

t

CL

t

CY

从CLK上升沿时刻

高达地址有效

数据建立时间ADSTB后缘

时钟高电平时间

时钟低级别的时间

CLK周期时间

分钟。

—

t

CY

– 100

30

t

CY

– 50

—

100

68

200

（ TA = -40 + 85℃ ，V

CC

= 4.5 5.5 V ）

马克斯。

单位

200

130

90

120

170

—

170

—

ns

—

（注3）

（注5 ）

—

（注6 ）

—

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