E2O0014-27-X2
半导体
MSM81C55-5RS/GS/JS
半导体
2048位CMOS静态的I / O端口和定时器RAM
这个版本： 1998年1月
MSM81C55-5RS/GS/JS
上一版本： 1996年8月
概述
该MSM81C55-5有一个2K位静态RAM（ 256字节），并行I / O端口和一个计时器。它使用
硅栅CMOS工艺，消耗100微安培，最大待机电流，
而芯片不被选中。 Featureing的400毫微秒的最大访问时间，该MSM81C55-5
可以用在一个MSM80C85AH系统不使用的等待状态。并行I / O组成
2个8位端口和一个6位端口（包括通用） 。
该MSM81C55-5还包含一个14位的可编程计数器/定时器，它可以用于
序波产生或终端计数脉冲。
特点
与硅栅CMOS技术的高速和低功耗的实现
256字×位8位RAM
单电源供电， 3至6 V
完全静态操作
片上的地址锁存器
8位可编程I / O端口（端口A和B）
TTL兼容
RAM中的数据，在2 V抱特点
6位可编程I / O端口（端口C）
14位可编程二进制计数器/定时器
- 复用的地址/数据总线
直接接口MSM80C85AH
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ） ： （产品名称： MSM81C55-5RS ）
44引脚塑料QFJ （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） ： （产品名称： MSM81C55-5JS ）
44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ） ： （产品名称： MSM81C55-5GS - 2K ）
功能框图
端口A
IO / M
A
AD
0 - 7
CE
ALE
RD
WR
RESET
定时器
C
端口C
6
PC
0 - 5
256
8
STATIC
内存
B
端口B
8
PB
0 - 7
8
PA
0 - 7
计时器
定时器输出
V
CC
(+5 V)
GND （ 0 V ）
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半导体
MSM81C55-5RS/GS/JS
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
D
条件
MSM81C55-5RS
等级
MSM81C55-5GS
MSM81C55-5JS
单位
V
V
V
°C
1.0
W
引用
到GND
—
TA = 25°C
1.0
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+150
0.7
工作条件
参数
电源电压
工作温度
符号
V
CC
T
OP
范围
3至6
-40至+85
单位
V
°C
推荐工作条件
参数
电源电压（ 81C55 ）
工作温度（ 81C55 ）
"L"电平输入
"H"电平输入
电源电压（ 81C55-5 ）
工作温度（ 81C55-5 ）
符号
V
CC
T
OP
V
IL
V
IH
V
CC
V
OP
分钟。
4.5
–40
–0.3
2.2
4.75
–40
典型值。
5
+25
—
—
5
+25
马克斯。
5.5
+85
+0.8
V
CC
+0.3
5.25
+70
单位
V
°C
V
V
V
°C
DC特性
参数
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
待机电流
平均手术
当前
符号
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CCS
I
CC
I
OL
= 2毫安
I
OH
= –400
mA
I
OH
= –40
mA
0
V
IN
V
CC
0
V
OUT
V
CC
CE
≥
V
CC
–0.2 V
V
IH
≥
V
CC
–0.2 V
V
IL
–0.2 V
存储周期
时间： 1
ms
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
TA = -40 ° C至85°C
条件
分钟。
—
2.4
4.2
–10
–10
—
典型值。马克斯。单位
—
0.45
V
—
—
—
—
0.1
—
—
10
10
100
V
V
mA
mA
mA
—
—
5
mA
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半导体
MSM81C55-5RS/GS/JS
AC特性
V
CC
= 4.5 V至5.5 V ，V
CC
= 4.75 V至5.25 V ，
TA = -40至+ 80°C
TA = -40至+ 70°C
单位
80C85AH 3MHz的I / F 80C85AH 5MHz的I / F
参数
符号
备注
地址/锁存建立时间
锁存/地址霍尔特时间
锁存器/写（读）延迟时间
读/输出延迟时间
地址/输出延迟时间
锁存器宽度
读/数据总线上浮时间
写（读） /锁存器延迟时间
读（写）宽
数据输入/写建立时间
写/数据保持时间
恢复时间
写/端口输出延迟时间
端口输入/读取设置时间
读/端口输入保持时间
频闪/缓冲器满延迟时间
选通脉冲宽度
频闪/缓冲区空延迟时间
频闪/中断延迟时间
读/中断断延迟时间
端口输入/频闪设置时间
频闪/端口输入保持时间
频闪/缓冲空延迟时间
写/缓冲器满延迟时间
写/中断断延迟时间
时间输出延迟时间低
时间输出延迟时间高
读/数据巴斯启用延迟时间
定时器周期时间
定时器输入上升和下降时间
定时器输入低电平时间
定时器输入高电平时间
写定时器-IN
为此开始计数写入
定时器以撰写
为此开始计数写入
t
AL
t
LA
t
LC
t
RD
t
AD
t
LL
t
RDF
t
CL
t
CC
t
DW
t
WD
t
RV
t
WP
t
PR
t
RP
t
SBF
t
SS
t
RBE
t
SI
t
RDI
t
PSS
t
小灵通
t
SBE
t
WBF
t
WI
t
TL
t
TH
t
RDE
t
CYC
t
r
, t
f
t
1
t
2
t
WT
t
TW
分钟。
50
30
100
—
—
100
0
20
250
150
0
300
—
70
50
—
200
—
—
—
50
120
—
—
—
—
—
10
320
—
80
120
200
0
马克斯。
—
—
—
170
400
—
100
—
—
—
—
—
400
—
—
400
—
400
400
400
—
—
400
400
400
400
400
—
—
80
—
—
—
—
分钟。
37
30
40
—
—
70
0
20
200
100
25
200
—
50
10
—
150
—
—
—
20
100
—
—
—
—
—
10
320
—
40
70
200
0
马克斯。
—
—
—
140
330
—
80
—
—
—
—
—
300
—
—
300
—
300
300
300
—
—
300
300
300
300
300
—
—
80
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
负载电容
tance ： 150 pF的
注：计时测量问心无愧V
L
= 0.8 V和V
H
= 2.2 V为输入和输出。
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MSM81C55-5RS/GS/JS
带有I/O端口和定时器的2048½CMOS静态RAM
一
概述
1 1
描述
MSM81C55-5
有一个带并行
I / O
端口和定时器的
2K
½静态
内存256
字节 该芯片采用了硅栅
CMOS
技术 且在它未被选中时最大待机电流为
100
微安
MSM81C55-5
最大
400纳秒
的访问时间 可在
MSM80C85AH
系统中½用且不需要采用等待状态 并行
I / O
口由两个
8
½端口和一个
6
½端口 均为通
用端口 组成
MSM81C55-5
也包含一个
14
½的可编程的计数器/定时器 它可用于产生次序波或终端计数脉冲
1 2
特点
采用硅栅
CMOS
技术可实现高速和½功耗
256
字
×
8
½
内存
单端电源电压
3
至
6V
完全静态工½
片内地址锁存
8
½可编程
I / O
端口 端口
A
和
B
可兼容
TTL
在
2V
时
内存
数据的保持特性
6
½可编程
I / O
端口 端口
C
14
½可编程二进制计数器/定时器
多路复用的地址/数据总线
可与
MSM80C85AH
直接接口
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ） （品名MSM81C55-5RS ）
44引脚塑料QFJ （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） （品名MSM81C55-5JS ）
44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ）
（品名MSM81C55-5GS -2K ）
1 3
功½方框图
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