E2O0010-27-X2
半导体
MSM80C86A-10RS/GS/JS
半导体
16位CMOS微处理器
这个版本： 1998年1月
MSM80C86A-10RS/GS/JS
上一版本： 1996年8月
概述
该MSM80C86A -10是在硅栅的CMOS技术来实现的完整的16位CPU 。
它们被用相同的处理速度设计为在NMOS 8086-1但有相当少的
功耗。它是用MSM80C88A -10软件和MSM80C85AH直接兼容
硬件和外围设备。
特点
1兆字节的直接寻址内存空间
内部14字×16位寄存器集
24个操作数寻址模式
位，字节，字和字符串操作
8位和16位有符号和无符号算术运算
从DC到10 MHz的时钟速率（注）
低功耗为10mA / MHz的
总线保持电路淘汰上拉电阻器
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ） ： （产品名称： MSM80C86A - 10RS ）
44引脚塑料QFJ （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） ： （产品名称： MSM80C86A - 10JS ）
56引脚塑料QFP （ QFP56 -P - 1519-1.00 -K ） ： （产品名称： MSM80C86A - 10GS -K ）
（注） 10 MHz的规格是不是与英特尔8086-1规格兼容。
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半导体
MSM80C86A-10RS/GS/JS
绝对最大额定值
等级
MSM80C86A - 10RS MSM80C86A - 10GS MSM80C86A - 10JS
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
符号条件
V
CC
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
D
对于
到GND
—
TA = 25°C
单位
V
V
V
°C
W
-0.5到+ 7
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
1.0
0.7
工作范围
参数
电源电压
工作温度
符号
V
CC
T
op
范围
4.75至5.25
0至+70
单位
V
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
符号
V
CC
T
OP
V
IL
V
IH
*1
*2
分钟。
4.75
0
–0.5
V
CC
–0.8
2.0
典型值。
5.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.25
+70
+0.8
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
单位
V
°C
V
V
V
* 1仅CLK
* 2除了CLK
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半导体
MSM80C86A-10RS/GS/JS
DC特性
(V
CC
= 4.5 5.5 V ， TA = -40 ° C至+ 85°C ）
参数
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
输入漏电流
（总线保持低电平）
输入漏电流
（总线高举）
总线保持低速超速
公交高举超速
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
输入电容
输出电容
I / O容量
符号
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
BHL
I
BHH
I
BHLO
I
BHHO
I
CC
I
CCS
C
IN
C
OUT
C
I / O
分钟。
—
3.0
V
CC
–0.4
–1.0
–10
50
–50
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.4
—
+1.0
+10
400
–400
600
–600
10
500
10
15
20
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
毫安/ MHz的
条件
I
OL
= 2.5毫安
I
OH
= -2.5毫安
I
OH
= –100
mA
0
V
IN
V
CC
V
O
= V
CC
或GND
V
IN
= 0.8 V
*3
V
IN
= 3.0 V
*4
*5
*6
V
IL
= GND
V
IH
= V
CC
V
CC
= 5.5 V
输出空载
V
IN
= V
CC
或GND
*7
*7
*7
—
—
—
—
—
—
—
—
mA
pF
pF
pF
* 3的试验条件是，以降低V
IN
到GND ，然后抬起V
IN
0.8 V引脚2-16和35-39 。
* 4测试条件，是提高V
IN
到V
CC
再低V
IN
到3.0V的引脚2-16 ， 26-32 ，和34-
39.
* 5外部驱动源必须至少我
BHLO
此节点切换从低到高。
* 6外部驱动器必须吸收至少我
BHHO
此节点切换，从高分到低分。
* 7试验条件：a ）频率= 1兆赫。
二）未检处的引脚GND 。
C） V
IN
在5.0 V或GND 。
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