E2E1037-19-41
半导体
MSM80C31F/MSM80C51F
半导体
8位CMOS微控制器
这个版本： 1995年3月
MSM80C31F/80C51F
概述
在OKI MSM80C31F / MSM80C51F微控制器来实现低功耗， 8位器件
在OKI的硅栅互补金属氧化物半导体工艺技术。该
装置包括4K字节的掩模可编程ROM（ MSM80C51F只） ， 128字节的
数据RAM ， 32个I / O口线， 2个16位定时器/计数器，一个五源2级中断
结构，一个全双工串行端口，和一个振荡器和时钟电路。此外，该装置
有两种软件可选模式进一步降低功耗 - 空闲和掉电。空闲
模式冻结CPU在-梁支执行，同时保持RAM中，并允许定时器
串口和中断系统继续功能。掉电模式保存RAM
内容，但冻结振荡器产生的所有其他设备的功能是不起作用的。
特点
低功耗2
mm
硅栅CMOS工艺技术
全静态电路
内部程序存储器
： 4K字节（ MSM80C51F ）
外部程序存储器空间
： 64K字节
内部数据存储器（ RAM ）
： 128字节
外部数据存储器（ RAM ）空间
： 64K字节
I / O端口
：8位
4个端口
2个16位定时器/计数器
多功能串口（ UART ）
5个中断源（优先级可设置）
四组工作寄存器（ R0-7
4)
堆栈
：内部数据存储器（RAM）的
128字节的区域，可任意使用（由SP的规定）
两个CPU省电模式
（1）空闲模式
： CPU停止工作，而继续振荡。
（软件设置）
（ 2 ） PD模式
： CPU和振动都停了下来。
（软件设置）
（设置I / O端口，以浮动状态可能）
工作温度
： -40 + 85°C （ @ 12MHz的，V
CC
= 5 V
±20%)
-20 + 70℃ （ @ 16 MHz时， V
CC
= 5 V
±5%)
2个字节1个机器周期指令
: 1
毫秒。
@ 12MHz的
0.75
毫秒。
@ 16兆赫
乘法/除法指令
: 4
毫秒。
@ 12MHz的
3
毫秒。
@ 16兆赫
指令代码寻址方式
字节规格
：数据处理（直接）
位规格
：位寻址
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半导体
封装选项
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ）
:
44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ）
:
44引脚塑料QFJ （ PLCC ） （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） ：
MSM80C31F/80C51F
（ MSM80C31F- RS ） （ MSM80C51F- RS ）
（ MSM80C31F- GS） （ MSM80C51F- GS）
（ MSM80C31F- JS ） （ MSM80C51F- JS ）
表示的码数。
之间MSM80C31F / MSM80C51F和MSM80C31 / MSM80C51差异
工作频率
0.5 16兆赫..................... MSM80C31F - 1 / MSM80C51F - 1
0.5 12兆赫..................... MSM80C31 / MSM80C51 / MSM80C31F / MSM80C51F
外部时钟输入端
XTAL1 ................................. MSM80C31F （ -1 ） / MSM80C51F （ -1 ）
XTAL2 ................................. MSM80C31 / MSM80C51
仿真模式
ALE的输出阻抗和
PSEN
引脚变为约20千瓦，而CPU是被重置
MSM80C31F/MSM80C51F.
其他功能和MSM80C31F / MSM80C51F的，除了电气特性
3以上的差异是那些相同MSM80C31 / MSM80C51的。
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半导体
MSM80C31F/MSM80C51F
半导体
8位CMOS微控制器
这个版本： 1995年3月
MSM80C31F/80C51F
概述
在OKI MSM80C31F / MSM80C51F微控制器来实现低功耗， 8位器件
在OKI的硅栅互补金属氧化物半导体工艺技术。该
装置包括4K字节的掩模可编程ROM（ MSM80C51F只） ， 128字节的
数据RAM ， 32个I / O口线， 2个16位定时器/计数器，一个五源2级中断
结构，一个全双工串行端口，和一个振荡器和时钟电路。此外，该装置
有两种软件可选模式进一步降低功耗 - 空闲和掉电。空闲
模式冻结CPU在-梁支执行，同时保持RAM中，并允许定时器
串口和中断系统继续功能。掉电模式保存RAM
内容，但冻结振荡器产生的所有其他设备的功能是不起作用的。
特点
低功耗2
mm
硅栅CMOS工艺技术
全静态电路
内部程序存储器
： 4K字节（ MSM80C51F ）
外部程序存储器空间
： 64K字节
内部数据存储器（ RAM ）
： 128字节
外部数据存储器（ RAM ）空间
： 64K字节
I / O端口
：8位
4个端口
2个16位定时器/计数器
多功能串口（ UART ）
5个中断源（优先级可设置）
四组工作寄存器（ R0-7
4)
堆栈
：内部数据存储器（RAM）的
128字节的区域，可任意使用（由SP的规定）
两个CPU省电模式
（1）空闲模式
： CPU停止工作，而继续振荡。
（软件设置）
（ 2 ） PD模式
： CPU和振动都停了下来。
（软件设置）
（设置I / O端口，以浮动状态可能）
工作温度
： -40 + 85°C （ @ 12MHz的，V
CC
= 5 V
±20%)
-20 + 70℃ （ @ 16 MHz时， V
CC
= 5 V
±5%)
2个字节1个机器周期指令
: 1
毫秒。
@ 12MHz的
0.75
毫秒。
@ 16兆赫
乘法/除法指令
: 4
毫秒。
@ 12MHz的
3
毫秒。
@ 16兆赫
指令代码寻址方式
字节规格
：数据处理（直接）
位规格
：位寻址
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半导体
封装选项
40引脚塑料DIP （ DIP40 -P - 600-2.54 ）
:
44引脚塑料QFP （ QFP44 -P - 910-0.80-2K ）
:
44引脚塑料QFJ （ PLCC ） （ QFJ44 -P - S650-1.27 ） ：
MSM80C31F/80C51F
（ MSM80C31F- RS ） （ MSM80C51F- RS ）
（ MSM80C31F- GS） （ MSM80C51F- GS）
（ MSM80C31F- JS ） （ MSM80C51F- JS ）
表示的码数。
之间MSM80C31F / MSM80C51F和MSM80C31 / MSM80C51差异
工作频率
0.5 16兆赫..................... MSM80C31F - 1 / MSM80C51F - 1
0.5 12兆赫..................... MSM80C31 / MSM80C51 / MSM80C31F / MSM80C51F
外部时钟输入端
XTAL1 ................................. MSM80C31F （ -1 ） / MSM80C51F （ -1 ）
XTAL2 ................................. MSM80C31 / MSM80C51
仿真模式
ALE的输出阻抗和
PSEN
引脚变为约20千瓦，而CPU是被重置
MSM80C31F/MSM80C51F.
其他功能和MSM80C31F / MSM80C51F的，除了电气特性
3以上的差异是那些相同MSM80C31 / MSM80C51的。
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