E2D0109-19-21
半导体
半导体
MSM6685A
8,388,608字×1位串行寄存器
这个版本：
MSM6685A
1999年2月
概述
该MSM6685A是一个串行寄存器的8388608字组成X 1位，其特征在于中等
高速，低功耗的操作。
此设备有一个内置的内部地址产生电路，其允许连续串行读/写
操作由外部时钟输入。读/写操作，使内部地址被增加
自动+1 。
外部地址输入可实现寻址1024字为单位。此外，刷新定时器和
刷新地址计数器被安装，这使得外部刷新电路是不必要的。在
此外，该结构允许以较低的功率消耗。
该器件封装在26针SOJ具有300密耳的宽度。
它非常适合于由电池备份的装置，它存储的数据量。与OKI的组合
记录和重放集成电路能够易于实施的固体记录和重放的
系统。
特点
配置
串行存取操作
串行存取时间
串行读/写时间
低电流消耗
: 8,388,608
1位
: 1.5
ms
: 2.5
ms
: 200
mA
MAX 。 （V
CC
= 4V时，在刷新操作中，用
数据存储和标准条件下）
刷新操作
一种自刷新功能的支持。
宽工作电压范围
：单3.5至5.5 V电源供电
解决
：以1024字为单位
过程
: 0.45
mm
双阱CMOS工艺
??包装：
二十零分之二十六脚塑料SOJ （ SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ） （产品名称： MSM6685AJS ）
1/9
半导体
MSM6685A
绝对最大额定值
参数
引脚电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
op
T
英镑
条件
对V
SS
在TA = 25℃
TA = 25℃
TA = 25℃
—
—
等级
-1.0到+7.0
50
1
0到70
-55到+150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
参数
电源电压
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.5
0
V
CC
– 0.5
–0.2
典型值
4.5
0
V
CC
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.2
+0.5
单位
V
V
V
V
电气特性
DC特性
(V
CC
= 3.5V至5.5V ，TA = 0 70 ° C）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（工作）
电源电流（待机）
符号
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
条件
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
I
= 0 V到V
CC
V
O
= 0 V到V
CC
V
CC
= 4 V，T
RWC
= 1
ms
V
CC
= 4 V
民
V
CC
– 0.5
—
–1
–1
—
—
最大
—
0.4
+1
+1
20
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
4/9
半导体
AC特性
参数
读/写周期时间
存取时间
输出关断延迟时间
I / O信号上升时间
RWCK
预充电时间
RWCK
脉冲时间
SAS
周期
SAS
预充电时间
SAS
脉冲持续时间
地址建立时间
联系地址保持时间
TAS
建立时间
TAS
.
RWCK
建立时间
TAS
脉冲持续时间
读指令建立时间
读指令保持时间
写指令设置时间
写指令保持时间
写指令脉冲持续时间
WE 。 RWCK
阅读时间
数据建立时间
数据保持时间
RWCK 。 WE
延迟时间
符号
t
RWC
t
加
t
关闭
t
T
t
RWP
t
RW
t
SSC
t
SAP
t
SAS
t
AS
t
AH
t
ATS
t
TRS
t
TAS
t
RRS
t
RRH
t
WRS
t
WRH
t
WP
t
RWL
t
DS
t
DH
t
RWD
民
2,500
—
0
3
1,000
1,500
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
50
MSM6685A
(V
CC
= 3.5 V至5.5 V ，TA = 0 70 ° C）
最大
—
1,500
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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半导体
半导体
MSM6685A
8,388,608字×1位串行寄存器
这个版本：
MSM6685A
1999年2月
概述
该MSM6685A是一个串行寄存器的8388608字组成X 1位，其特征在于中等
高速，低功耗的操作。
此设备有一个内置的内部地址产生电路，其允许连续串行读/写
操作由外部时钟输入。读/写操作，使内部地址被增加
自动+1 。
外部地址输入可实现寻址1024字为单位。此外，刷新定时器和
刷新地址计数器被安装，这使得外部刷新电路是不必要的。在
此外，该结构允许以较低的功率消耗。
该器件封装在26针SOJ具有300密耳的宽度。
它非常适合于由电池备份的装置，它存储的数据量。与OKI的组合
记录和重放集成电路能够易于实施的固体记录和重放的
系统。
特点
配置
串行存取操作
串行存取时间
串行读/写时间
低电流消耗
: 8,388,608
1位
: 1.5
ms
: 2.5
ms
: 200
mA
MAX 。 （V
CC
= 4V时，在刷新操作中，用
数据存储和标准条件下）
刷新操作
一种自刷新功能的支持。
宽工作电压范围
：单3.5至5.5 V电源供电
解决
：以1024字为单位
过程
: 0.45
mm
双阱CMOS工艺
??包装：
二十零分之二十六脚塑料SOJ （ SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ） （产品名称： MSM6685AJS ）
1/9
半导体
MSM6685A
绝对最大额定值
参数
引脚电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
op
T
英镑
条件
对V
SS
在TA = 25℃
TA = 25℃
TA = 25℃
—
—
等级
-1.0到+7.0
50
1
0到70
-55到+150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
参数
电源电压
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.5
0
V
CC
– 0.5
–0.2
典型值
4.5
0
V
CC
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.2
+0.5
单位
V
V
V
V
电气特性
DC特性
(V
CC
= 3.5V至5.5V ，TA = 0 70 ° C）
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（工作）
电源电流（待机）
符号
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
条件
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
I
= 0 V到V
CC
V
O
= 0 V到V
CC
V
CC
= 4 V，T
RWC
= 1
ms
V
CC
= 4 V
民
V
CC
– 0.5
—
–1
–1
—
—
最大
—
0.4
+1
+1
20
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
4/9
半导体
AC特性
参数
读/写周期时间
存取时间
输出关断延迟时间
I / O信号上升时间
RWCK
预充电时间
RWCK
脉冲时间
SAS
周期
SAS
预充电时间
SAS
脉冲持续时间
地址建立时间
联系地址保持时间
TAS
建立时间
TAS
.
RWCK
建立时间
TAS
脉冲持续时间
读指令建立时间
读指令保持时间
写指令设置时间
写指令保持时间
写指令脉冲持续时间
WE 。 RWCK
阅读时间
数据建立时间
数据保持时间
RWCK 。 WE
延迟时间
符号
t
RWC
t
加
t
关闭
t
T
t
RWP
t
RW
t
SSC
t
SAP
t
SAS
t
AS
t
AH
t
ATS
t
TRS
t
TAS
t
RRS
t
RRH
t
WRS
t
WRH
t
WP
t
RWL
t
DS
t
DH
t
RWD
民
2,500
—
0
3
1,000
1,500
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
50
MSM6685A
(V
CC
= 3.5 V至5.5 V ，TA = 0 70 ° C）
最大
—
1,500
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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