E2D0040-39-22
半导体
MSM6597A-xxx
半导体
3兆位串行语音ROM
这个版本: 1999年2月
MSM6597A-xxx
上一版本:五月。 1997
概述
该MSM6597A是MSM6597短TAT流程版本。
该MSM6597A是一个串行语音ROM有1,048,576字
1-bit
3 ,银行的配置。
该MSM6597A有一个内置的内部地址产生电路。一个单一的,外部时钟输入
允许连续的,串行读操作。内部地址自动递增
由1由读操作。 1024字在X方向和1024字在Y方向上可被寻址
通过输入外部串行地址。银行与切换
CS1,CS2,
和
CS3.
预定信息的读取和播放设备可以很容易地存储语音配置
数据到MSM6597A并通过将其与一个Oki的记录和重放的IC和与组合
一冲的串行寄存器。
串行寄存器需要与MSM6388或MSM6588当用于驱动MSM6597A 。 (本
MSM6597A不无串行寄存器进行操作。 )
该MSM6597A和MSM6597之间的主要区别如下。
MSM6597A直流特性
V
DD
= 3.5 5.5 V , TA = -40至+ 85°C
参数
消耗电流( 1 )
符号
I
DD
条件
t
RDC
= 2.5
ms
TA = -40
CS1
=
CS2
=
CS3
至+ 70°C
= V
DD
– 0.2 V
TA = -40
至+ 85°C
分钟。
—
—
—
典型值。
9
—
—
马克斯。
20
10
mA
50
单位
mA
消耗电流( 2 )
I
DS
MSM6597直流特性
V
DD
= 3.5 5.5 V ,TA = -40+ 85℃度
参数
消耗电流( 1 )
消耗电流( 2 )
符号
I
DD
I
DS
条件
t
RDC
= 2.5
ms
CS1
=
CS2
=
CS3
= V
DD
– 0.2 V
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
15
10
单位
mA
mA
典型值是在V
DD
= 5.0 V , TA = 25℃
对于其他detailes ,请参阅各章节中本数据表。
特点
配置
串行访问
更短的- TAT处理
电源电压
封装选项:
24引脚塑料SOP ( SOP24 -P - 430-1.27 -K )
30引脚塑封SSOP ( SSOP30 -P - 56-0.65 -K )
:
:
:
1,048,576字
1位
3银行
阅读2.5周期时间
ms
5 V单电源
(产品名称: MSM6597A - xxxGS -K )
(产品名称: MSM6597A - xxxGS -AK )
1/9
半导体
MSM6597A-xxx
引脚说明
针
SOP SSOP
符号类型
描述
电源引脚。插入的0.1旁路电容
mF
或者这个引脚和之间更
GND引脚。
接地引脚
(串行地址),该引脚输入的读操作的起始X地址。
针对在1024字单位是可能的。的1024个字的地址数据可以是
输入10位( AX0 - AX9 )通过SADX引脚串行数据。
(串行地址),该引脚输入的读操作的起始Y地址。
针对在1024字单位是可能的。的1024个字的地址数据可以是
输入10位( AY0 - AY9 )通过萨迪引脚串行数据。
(串行地址选通)这是一个时钟输入引脚,用于存储所述
X地址到设备的内部寄存器的串行地址数据。
(串行地址选通)这是一个时钟输入引脚,用于存储所述
在Y的串行地址数据地址到设备的内部寄存器。
(地址传输选通)这是输入引脚,用于加载串行地址
数据转换成内部地址计数器。
X和Y地址被存储在下降沿
TAS 。
(读时钟)这是一个时钟输入引脚信息读取出的数据的
注册。内部操作开始处的下降沿
RDCK 。
在信息
数据寄存器是在DOUT引脚输出。内部地址计数器将自动为
在下降沿按1递增
RDCK 。
(数据输出)的数据输出引脚始终保持在高阻抗状态时
CS1,
CS2,
和
CS3
都保持"H"或当
RDCK
保持"H" 。该引脚反映"H"或"L"
电平数据被读出,并且当前数据保持状态,直到
RDCH
被置为高电平。
(片选)当任
CS1,CS2,
or
CS3
是"L" ,银行1 ,银行2 ,或银行3
分别选择。设置三个信号"H"禁用所有输入和输出
销。这些引脚使能并行使用多个串行语音ROM中的通过连接
数据输出引脚。
引脚进行测试。应用"L"水平。
引脚进行测试。离开这些引脚开路。
12
24
9
15
30
12
V
DD
GND
SADX
—
—
I
1
1
萨迪
I
10
2
13
2
SASX
SASY
I
I
11
14
TAS
I
15
18
RDCK
I
22
28
DOUT
O
4
3
23
13
21
14
5
3
29
16
27
17
CS1
CS2
CS3
TEST
TESTO1
TESTO2
I
O
I
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
储存温度
符号
V
DD
V
IN
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
—
等级
-0.3到+7.0
-0.3到V
DD
+0.3
-55到+150
单位
V
V
°C
3/9
半导体
MSM6597A-xxx
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度
符号
V
DD
T
op
条件
GND=0V
—
范围
3.55.5
-40至+85
单位
V
°C
电气特性
DC特性
V
DD
= 3.5 5.5 V , TA = -40至+ 85°C
参数
& QUOT ; H & QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;电平输入电压
& QUOT ; H & QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;电平输出电压
& QUOT ; H & QUOT ;电平输入电流
\u003e\u003e 1 & QUOT ;电平输入电流
消耗电流( 1 )
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
DD
条件
—
—
I
OH
= –40
mA
I
OL
= 2毫安
V
IH
= V
DD
V
IL
= GND
t
RDC
= 2.5
ms
CS1
=
CS2
=
CS3
= V
DD
– 0.2 V
TA = -40
至+ 70°C
TA = -40
至+ 85°C
分钟。
0.8xV
DD
—
V
DD
–0.3
—
—
–10
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
9
—
—
马克斯。
—
0.8
—
0.45
10
—
20
10
mA
50
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
消耗电流( 2 )
I
DS
典型值是在V
DD
= 5.0 V , TA = 25℃
AC特性
V
DD
= 3.5 5.5 V , TA = -40至+ 85°C
参数
CS , SAS
建立时间
SASX , SASY
周期
SASX , SASY
预充电时间
SASX , SASY
脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
TAS
建立时间
TAS , RDCK
建立时间
TAS
脉冲宽度
读周期时间
存取时间
输出关断延迟时间
RDCK
预充电时间
RDCK
脉冲宽度
符号
t
CSS
t
SSC
t
SAP
t
SAS
t
AS
t
AH
t
ATS
t
TRS
t
TAS
t
RDC
t
加
t
关闭
t
RDP
t
RD
分钟。
1000
500
250
250
100
100
500
500
250
2500
—
0
1000
1500
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1500
200
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/9