E2D0031-39-21
半导体
MSM6586
半导体
262,144字×1位串行寄存器
这个版本: 1999年2月
MSM6586
上一版本:五月。 1997
概述
该MSM6586是262,144字× 1位的配置具有中等速度的串行寄存器
操作具有低功耗。
的MSM6586具有内置在内部地址发生器电路,其允许连续串行读/写
操作由外部时钟输入。内部地址会自动递增或递减
由一个由读/写操作。地址增量或减量可通过外部输入来选择。
地址指定为1024字中的字的方向单元能够通过外部串行
地址输入。
刷新定时器和计数器的更新是建立在消除外部刷新电路的需要
并实现低功耗。
18引脚塑料QFJ ( PLCC)用作包和工作温度范围为
0 ℃和70 ℃。
该MSM6586是适合存储大容量数据的备用电池。固态记录
和回放系统可以方便地与OKI的语音合成芯片的组合构成。
特点
配置
: 262,144 ×1位
串行存取操作
串行存取时间
: 1.5
ms
(3.0
女士)
串行读/写周期时间
: 2.0
ms
(4.0
女士)
快速模式下的读/写周期时间
: 0.4
ms
(0.4
女士)
括号中的时间表示那些在自刷新模式中。
低电流消耗
: 100
mA
马克斯。
(用于数据保存,V
CC
= 4.0 V)
宽工作电压范围
:单3.5至5.5 V
自动刷新/自刷新多变
??包装:
18引脚塑料QFJ ( PLCC ) ( QFJ18 -P - R290-1.27 ) (产品名称: MSM6586JS )
1/13
半导体
MSM6586
绝对最大额定值
参数
端电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
op
T
英镑
条件
TA = 25 ℃,相对于V
SS
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0到+7.0
50
1
0到70
-55到+150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
值(TA = 0 70℃ )
参数
电源电压
电源电压
& QUOT ; H & QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.5
0
V
CC
– 0.5
–0.5
典型值。
5.0
0
V
CC
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.5
单位
V
V
V
V
电气特性
DC特性
(V
CC
= 3.5V至5.5V ,TA = 0 70 ° C)
参数
& QUOT ; H & QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流(工作状态下)
电源电流(待机状态)
电源电流( FAM )
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
条件
I
OH
= -0.5mA
I
OL
- 0.5毫安
V
I
= 0V至V
CC
V
O
= 0V至V
CC
V
CC
= 4V ,T
RWC
= 2s
V
CC
= 4V
V
CC
= 4V ,T
RWC
= 0.4ms
分钟。
V
CC
– 0.5
—
–1
–1
—
—
—
马克斯。
—
0.4
+1
+1
5
100
15
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
4/13
半导体
AC特性
MSM6586
(V
CC
= 3.5V至5.5V ,TA = 0 70 ° C)
参数
刷新周期
读/写周期时间
存取时间
输出关断延迟时间
输入信号的上升/下降时间
RWCK
预充电时间
RWCK
脉冲宽度
SAS
周期
SAS
脉冲宽度
SAS
预充电时间
地址建立时间
地址保持时间
TAS
建立时间
TAS
to
RWCK
建立时间
TAS
脉冲宽度
READ命令设置时间
读命令保持时间
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
WE
to
RWCK
交货时间
数据建立时间
数据保持时间
RWCK
to
WE
延迟时间
AU / D转换建立时间
AU / D保持时间
AU / D来
TAS
建立时间
RFSH
建立时间
RFSH
预充电时间
RFSH
脉冲宽度
RFSH RWCK
预充电时间
快
RWCK
循环模式
快速模式使用时间
快
RWCK
预充电时间
快速模式
RWCK
脉冲宽度
快速模式建立时间
快速模式保持时间
符号
t
REF
t
RWC
t
加
t
关闭
t
T
t
RWP
t
RW
t
SSC
t
SAS
t
SAP
t
AS
t
AH
t
ATS
t
TRS
t
TAS
t
RRS
t
RRH
t
WRS
t
WRH
t
WP
t
RWL
t
DS
t
DH
t
RWD
t
UDS
t
UDH
t
UDT的
t
RFS
t
RFP
t
RF
t
RRP
t
FC
t
FAC
t
FCP
t
FR
t
FS
t
FH
MSM6586-SELF
分钟。
—
4,000
—
0
3
1,000
3,000
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
100
0
50
0
—
—
—
—
400
—
100
300
0
50
马克斯。
—
—
3,000
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
300
—
—
—
—
MSM6586-AUTO
分钟。
—
2,000
—
0
3
500
1,500
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
100
0
50
0
500
500
1,500
500
400
—
100
300
0
50
马克斯。
100
—
1500
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10,000
—
—
300
—
—
—
—
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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E2D0031-39-21
半导体
MSM6586
半导体
262,144字×1位串行寄存器
这个版本: 1999年2月
MSM6586
上一版本:五月。 1997
概述
该MSM6586是262,144字× 1位的配置具有中等速度的串行寄存器
操作具有低功耗。
的MSM6586具有内置在内部地址发生器电路,其允许连续串行读/写
操作由外部时钟输入。内部地址会自动递增或递减
由一个由读/写操作。地址增量或减量可通过外部输入来选择。
地址指定为1024字中的字的方向单元能够通过外部串行
地址输入。
刷新定时器和计数器的更新是建立在消除外部刷新电路的需要
并实现低功耗。
18引脚塑料QFJ ( PLCC)用作包和工作温度范围为
0 ℃和70 ℃。
该MSM6586是适合存储大容量数据的备用电池。固态记录
和回放系统可以方便地与OKI的语音合成芯片的组合构成。
特点
配置
: 262,144 ×1位
串行存取操作
串行存取时间
: 1.5
ms
(3.0
女士)
串行读/写周期时间
: 2.0
ms
(4.0
女士)
快速模式下的读/写周期时间
: 0.4
ms
(0.4
女士)
括号中的时间表示那些在自刷新模式中。
低电流消耗
: 100
mA
马克斯。
(用于数据保存,V
CC
= 4.0 V)
宽工作电压范围
:单3.5至5.5 V
自动刷新/自刷新多变
??包装:
18引脚塑料QFJ ( PLCC ) ( QFJ18 -P - R290-1.27 ) (产品名称: MSM6586JS )
1/13
半导体
MSM6586
绝对最大额定值
参数
端电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
op
T
英镑
条件
TA = 25 ℃,相对于V
SS
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0到+7.0
50
1
0到70
-55到+150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
值(TA = 0 70℃ )
参数
电源电压
电源电压
& QUOT ; H & QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.5
0
V
CC
– 0.5
–0.5
典型值。
5.0
0
V
CC
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.5
单位
V
V
V
V
电气特性
DC特性
(V
CC
= 3.5V至5.5V ,TA = 0 70 ° C)
参数
& QUOT ; H & QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 & QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流(工作状态下)
电源电流(待机状态)
电源电流( FAM )
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
条件
I
OH
= -0.5mA
I
OL
- 0.5毫安
V
I
= 0V至V
CC
V
O
= 0V至V
CC
V
CC
= 4V ,T
RWC
= 2s
V
CC
= 4V
V
CC
= 4V ,T
RWC
= 0.4ms
分钟。
V
CC
– 0.5
—
–1
–1
—
—
—
马克斯。
—
0.4
+1
+1
5
100
15
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
4/13
半导体
AC特性
MSM6586
(V
CC
= 3.5V至5.5V ,TA = 0 70 ° C)
参数
刷新周期
读/写周期时间
存取时间
输出关断延迟时间
输入信号的上升/下降时间
RWCK
预充电时间
RWCK
脉冲宽度
SAS
周期
SAS
脉冲宽度
SAS
预充电时间
地址建立时间
地址保持时间
TAS
建立时间
TAS
to
RWCK
建立时间
TAS
脉冲宽度
READ命令设置时间
读命令保持时间
写命令设置时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
WE
to
RWCK
交货时间
数据建立时间
数据保持时间
RWCK
to
WE
延迟时间
AU / D转换建立时间
AU / D保持时间
AU / D来
TAS
建立时间
RFSH
建立时间
RFSH
预充电时间
RFSH
脉冲宽度
RFSH RWCK
预充电时间
快
RWCK
循环模式
快速模式使用时间
快
RWCK
预充电时间
快速模式
RWCK
脉冲宽度
快速模式建立时间
快速模式保持时间
符号
t
REF
t
RWC
t
加
t
关闭
t
T
t
RWP
t
RW
t
SSC
t
SAS
t
SAP
t
AS
t
AH
t
ATS
t
TRS
t
TAS
t
RRS
t
RRH
t
WRS
t
WRH
t
WP
t
RWL
t
DS
t
DH
t
RWD
t
UDS
t
UDH
t
UDT的
t
RFS
t
RFP
t
RF
t
RRP
t
FC
t
FAC
t
FCP
t
FR
t
FS
t
FH
MSM6586-SELF
分钟。
—
4,000
—
0
3
1,000
3,000
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
100
0
50
0
—
—
—
—
400
—
100
300
0
50
马克斯。
—
—
3,000
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
300
—
—
—
—
MSM6586-AUTO
分钟。
—
2,000
—
0
3
500
1,500
100
50
50
0
50
50
50
50
0
250
0
50
50
50
0
50
100
0
50
0
500
500
1,500
500
400
—
100
300
0
50
马克斯。
100
—
1500
50
50
—
10,000
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10,000
—
—
300
—
—
—
—
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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