E2L0053-17-Y1
半导体
半导体
MSM54V32126A
描述
这个版本： 1998年1月
MSM54V32126A
e
Pr
LIM
y
ar
in
131,072-Word
32位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM54V32126A是一个图形DRAM组织在131,072字
32位配置。该
用于制造MSM54V32126A技术是OKI的CMOS硅栅工艺技术。
该器件采用3.3 V单电源供电。
特点
131,072字
32位组织
3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
刷新： 512次/ 8毫秒
使用扩展数据输出快速页面模式（ EDO ）
字节写入，读出字节
RAS
只刷新
CAS
前
RAS
刷新
CAS
前
RAS
自刷新
隐藏刷新
封装选项：
64引脚525密耳的塑料SSOP
(SSOP64-P-525-0.80-K)
（产品： MSM54V32126A - xxGS -K ）
六十四分之七十〇针400密耳的塑料TSOP （II型）（ TSOPII70 / 64 -P- 400-0.65 -K）个（产品： MSM54V32126A - xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54V32126A-45
MSM54V32126A-50
MSM54V32126A-60
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
45纳秒23纳秒13纳秒13纳秒
50纳秒25纳秒15纳秒15纳秒
60纳秒30纳秒18纳秒18纳秒
周期
（分）
90纳秒
100纳秒
120纳秒
功耗
操作（最大）待机（最大）
540毫瓦
504毫瓦
486毫瓦
3.1毫瓦
1/26
半导体
MSM54V32126A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5 4.5
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
3.0
–0.3
典型值。
3.3
0
—
—
马克斯。
3.6
0
3.6
0.3
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
IO
典型值。
—
—
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
4/26
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM54V32126A
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）
条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
0 V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
CC
;
所有其它引脚不
被测= 0V
0 V
＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
3.6 V
输出禁用
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS
≥
V
CC
– 0.2 V,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
RAS
=骑自行车，
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
RAS
=骑自行车，
CAS
前
RAS
MSM54V32126A MSM54V32126A MSM54V32126A
单位注
-45
-50
-60
V
OH
V
OL
I
LI
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
V
CC
V
CC
2.0
V
CC
2.0
2.0
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
V
V
mA
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（仅RAS刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
自刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
140
—
130
—
110
毫安1,2 ， 3
I
CC2
—
850
—
850
—
850
mA
I
CC3
—
140
—
130
—
110
毫安1,2 ， 3
I
CC4
—
150
—
140
—
135
毫安1 ，2，4
I
CC5
—
140
—
130
—
110
毫安1 ，2，4
I
CCS
RAS
= V
IL
,
CAS
= V
IL
—
950
—
950
—
950
mA
1, 2
注意事项：
1.指定值与最小循环时间得到。
2. I
CC
依赖于输出负载。指定的值与输出端获得
开。
3.地址可以一次或更少，而改变
RAS
= V
IL
.
4.地址可以一次或更少，而改变
CAS
= V
IH
.
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半导体
半导体
MSM54V32126A
描述
这个版本： 1998年1月
MSM54V32126A
e
Pr
LIM
y
ar
in
131,072-Word
32位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM54V32126A是一个图形DRAM组织在131,072字
32位配置。该
用于制造MSM54V32126A技术是OKI的CMOS硅栅工艺技术。
该器件采用3.3 V单电源供电。
特点
131,072字
32位组织
3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
刷新： 512次/ 8毫秒
使用扩展数据输出快速页面模式（ EDO ）
字节写入，读出字节
RAS
只刷新
CAS
前
RAS
刷新
CAS
前
RAS
自刷新
隐藏刷新
封装选项：
64引脚525密耳的塑料SSOP
(SSOP64-P-525-0.80-K)
（产品： MSM54V32126A - xxGS -K ）
六十四分之七十〇针400密耳的塑料TSOP （II型）（ TSOPII70 / 64 -P- 400-0.65 -K）个（产品： MSM54V32126A - xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54V32126A-45
MSM54V32126A-50
MSM54V32126A-60
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
45纳秒23纳秒13纳秒13纳秒
50纳秒25纳秒15纳秒15纳秒
60纳秒30纳秒18纳秒18纳秒
周期
（分）
90纳秒
100纳秒
120纳秒
功耗
操作（最大）待机（最大）
540毫瓦
504毫瓦
486毫瓦
3.1毫瓦
1/26
半导体
MSM54V32126A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5 4.5
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
3.0
–0.3
典型值。
3.3
0
—
—
马克斯。
3.6
0
3.6
0.3
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
IO
典型值。
—
—
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
4/26
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM54V32126A
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）
条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
0 V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
CC
;
所有其它引脚不
被测= 0V
0 V
＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
3.6 V
输出禁用
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS
≥
V
CC
– 0.2 V,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
RAS
=骑自行车，
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
RAS
=骑自行车，
CAS
前
RAS
MSM54V32126A MSM54V32126A MSM54V32126A
单位注
-45
-50
-60
V
OH
V
OL
I
LI
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
V
CC
V
CC
2.0
V
CC
2.0
2.0
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
V
V
mA
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（仅RAS刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
自刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
140
—
130
—
110
毫安1,2 ， 3
I
CC2
—
850
—
850
—
850
mA
I
CC3
—
140
—
130
—
110
毫安1,2 ， 3
I
CC4
—
150
—
140
—
135
毫安1 ，2，4
I
CC5
—
140
—
130
—
110
毫安1 ，2，4
I
CCS
RAS
= V
IL
,
CAS
= V
IL
—
950
—
950
—
950
mA
1, 2
注意事项：
1.指定值与最小循环时间得到。
2. I
CC
依赖于输出负载。指定的值与输出端获得
开。
3.地址可以一次或更少，而改变
RAS
= V
IL
.
4.地址可以一次或更少，而改变
CAS
= V
IH
.
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QQ：2880707522 复制
