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E2L0011-17-Y1
半导体
MSM54C865
半导体
65,536-Word
8位的多端口DRAM的
这个版本: 1998年1月
MSM54C865
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM54C865是达512Kbit CMOS多端口DRAM由8位组成的65536字
动态RAM和一个256字由8位SAM 。它的RAM和SAM独立运作,
异步。
该MSM54C865支持三种类型的operaton的:随机存取内存接口,高速串行
对数据的访问的任何选择的行之间在RAM端口的SAM端口和双向传送
和SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式,该
MSM54C865采用了双口RAM的块写入和闪存的写入功能,并分割数据
SAM端口的传输能力。 SAM端口不需要刷新操作,因为它使用
静态CMOS触发器。
特点
单电源供电: 5 V
±10%
完全兼容TTL
多端口企业
RAM : 64K字
8位
SAM : 256字
8位
快速页模式
每位写
屏蔽的flash写
蒙面块写
RAS
只刷新
CAS
RAS
刷新
隐藏刷新
串行读/写
256抽头位置
双向数据传输
分割转让
蒙面写传输
刷新: 256次/ 4毫秒
封装选项:
40引脚475密耳的塑料ZIP
(ZIP40-P-475-1.27)
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
(产品: MSM54C865 - xxZS )
(产品: MSM54C865 - xxJS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54C865-70
MSM54C865-80
MSM54C865-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/44
半导体
MSM54C865
引脚配置(顶视图)
W5/IO5
W7/IO7
SE
SIO6
SIO8
1
3
5
7
9
SC 1
2
4
6
8
W6/IO6
W8/IO8
SIO5
SIO7
SIO1 2
SIO2 3
SIO3 4
SIO4 5
DT / OE
6
W1 / IO1 7
W2 / IO2 8
W3 / 110 3 9
W4 / IO4 10
V
CC1
11
WB / WE
12
NC 13
RAS
14
NC 15
NC 16
A6 17
A5 18
A4 19
V
CC2
20
SC 11
SIO2 13
SIO4 15
W1 / IO1 17
W3 / 19 IO3
W4 / IO4 21
WB / WE
23
NC 25
V
SS2
27
A5 29
NC 31
A7 33
A2 35
A0 37
CAS
39
10 V
SS1
12 SIO1
14 SIO3
16
DT / OE
18 W2 / IO2
20 V
SS3
22 V
CC1
24
RAS
26 A6
28 NC
30 A4
32 V
CC2
34 A3
36 A1
38 QSF
40 DSF

40引脚塑料SOJ
40 V
SS1
39 SIO8
38 SIO7
37 SIO6
36 SIO5
35
SE
34 W8 / IO8
33 W7 / IO7
32 W6 / IO6
31 W5 / IO5
30 V
SS2
29 DSF
28 NC
27
CAS
26 QSF
25 A0
24 A1
23 A2
22 A3
21 A7
40引脚塑料ZIP
引脚名称
A0 - A7
W1 / IO1 - W8 / IO8
SIO1 - SIO8
RAS
CAS
WB / WE
DT / OE
功能
地址输入
RAM输入/输出
SAM输入/输出
行地址选通
列地址选通
每比特写/写使能
转让/输出使能
引脚名称
SC
SE
DSF
QSF
V
CC
V
SS
NC
功能
串行时钟
SAM端口启用
特殊功能输入
特殊功能输出
供电( 5 V )
接地( 0 V )
无连接
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
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半导体
框图
COLUMN
地址
卜FF器
列解码器
块写
控制
I / O控制
列面膜
注册
套色
屏蔽寄存器
RAM输入
卜FF器
RAM输出
卜FF器
W1/IO1
- W8 / IO8
感测放大器。
行解码器
ROW
地址
卜FF器
256
256
8
RAM阵列
Flash写
控制
SAM输入
卜FF器
SAM输出
卜FF器
SIO1
- SIO8
定时
发电机
A0 - A7
刷新
计数器
SAM
SAM
RAS
CAS
DT / OE
WB / WE
DSF
SC
SE
串行解码器
SAM
地址
卜FF器
SAM地址
计数器
QSF
V
CC
V
SS
MSM54C865
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半导体
MSM54C865
电气特性
绝对最大额定值
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
(注:16)
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.4
–1.0
典型值。
5.0
(大= 0 ° C至70 ° C) (注: 17 )
马克斯。
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
输出电容
符号
C
I
C
I / O
C
O
( QSF )
分钟。
(V
CC
= 5 V± 10 % , F = 1MHz时, TA = 25 ° C)
马克斯。
7
9
9
单位
pF
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
0
V
IN
V
CC
所有其它引脚不
被测= 0V
输出漏电流
I
LO
0
V
OUT
5.5 V
输出禁用
–10
10
–10
10
mA
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
单位
V
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半导体
直流特性2
项(RAM)的
工作电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
待机电流
( RAS ,
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
页面模式电流
( RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车,T
PC
= t
PC
分)
CAS
RAS
刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
RAS ,
t
RC
= t
RC
分)
数据传输电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
闪存的写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
块写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
符号
I
CC1
I
CC1A
I
CC2
I
CC2A
I
CC3
I
CC3A
I
CC4
I
CC4A
I
CC5
I
CC5A
I
CC6
I
CC6A
I
CC7
I
CC7A
I
CC8
I
CC8A
MSM54C865
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
-70
85
120
8
50
85
120
70
120
85
120
85
120
85
120
85
120
-80
75
110
8
45
75
110
65
110
75
110
75
110
75
110
75
110
-10
65
100
8
40
65
100
60
100
65
100
65
100
65
100
65
100
mA
最大。最大。最大。
单位注
1, 2
1, 2
3
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
5/44
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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