E2L0010-17-Y1
半导体
MSM54C864
半导体
65,536-Word
8位的多端口DRAM的
这个版本： 1998年1月
MSM54C864
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM54C864是达512Kbit CMOS多端口存储器由8位组成的65536字
动态随机存取存储器，RAM端口和一个256字×8位的静态串行存取存储器，
SAM端口。该端口RAM和SAM端口独立异步运行。
该MSM54C864支持三种类型的操作：随机存取和从RAM端口
高速串行访问和从SAM端口和数据的任何之间双向传送
在RAM端口选定的行和SAM端口。该端口RAM和SAM端口可以访问
独立地，除了当数据正被在它们之间传送内部。
特点
单电源5V电源
±10%
用内置的V
BB
发电机
所有输入和输出： TTL兼容
多端口企业
双口RAM ： 64K字
8位
SAM端口：
256字
8位
端口RAM
快页模式下，读 - 修改 - 写
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏
RAS
只有刷新，标准写每比特
SAM端口
高速串行
读/写功能
完全静态寄存器
256抽头位置
RAM -SAM双向，读/写/伪写，读实时传输
刷新： 256次/ 4毫秒
封装选项：
40引脚475密耳的塑料ZIP
(ZIP40-P-475-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxZS ）
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxJS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54C864-70
MSM54C864-80
MSM54C864-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/33
半导体
MSM54C864
电气特性
绝对最大额定值
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
l
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
（注：16）
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.4
–1.0
典型值。
5.0
—
—
（大= 0 ° C至70 ° C） （注： 17 ）
马克斯。
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
I
C
I / O
分钟。
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ， F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
马克斯。
7
9
单位
pF
pF
注意：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
0
V
IN
V
CC
所有其他引脚
没有被测= 0 V
0
V
OUT
5.5 V
输出禁用
分钟。
2.4
—
–10
马克斯。
—
0.4
10
mA
–10
10
单位
V
输出漏电流
I
LO
4/33
半导体
直流特性2
MSM54C864
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
项（RAM）的
工作电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
待机电流
（ RAS ，
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分）
页面模式电流
（ RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车，T
PC
= t
PC
分）
CAS
前
RAS
刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
前
RAS ，
t
RC
= t
RC
分）
数据传输电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
符号
I
CC1
I
CC1A
I
CC2
I
CC2A
I
CC3
I
CC3A
I
CC4
I
CC4A
I
CC5
I
CC5A
I
CC6
I
CC6A
-70
85
120
8
50
85
120
70
120
85
120
85
120
-80
75
110
8
45
75
110
65
110
75
110
75
110
-10
65
100
8
40
65
100
60
100
65
100
65
100
mA
最大。最大。最大。
单位注
1, 2
1, 2
3
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
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半导体
MSM54C864
半导体
65,536-Word
8位的多端口DRAM的
这个版本： 1998年1月
MSM54C864
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM54C864是达512Kbit CMOS多端口存储器由8位组成的65536字
动态随机存取存储器，RAM端口和一个256字×8位的静态串行存取存储器，
SAM端口。该端口RAM和SAM端口独立异步运行。
该MSM54C864支持三种类型的操作：随机存取和从RAM端口
高速串行访问和从SAM端口和数据的任何之间双向传送
在RAM端口选定的行和SAM端口。该端口RAM和SAM端口可以访问
独立地，除了当数据正被在它们之间传送内部。
特点
单电源5V电源
±10%
用内置的V
BB
发电机
所有输入和输出： TTL兼容
多端口企业
双口RAM ： 64K字
8位
SAM端口：
256字
8位
端口RAM
快页模式下，读 - 修改 - 写
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏
RAS
只有刷新，标准写每比特
SAM端口
高速串行
读/写功能
完全静态寄存器
256抽头位置
RAM -SAM双向，读/写/伪写，读实时传输
刷新： 256次/ 4毫秒
封装选项：
40引脚475密耳的塑料ZIP
(ZIP40-P-475-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxZS ）
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxJS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54C864-70
MSM54C864-80
MSM54C864-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/33
半导体
MSM54C864
电气特性
绝对最大额定值
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
l
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
（注：16）
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.4
–1.0
典型值。
5.0
—
—
（大= 0 ° C至70 ° C） （注： 17 ）
马克斯。
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
I
C
I / O
分钟。
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ， F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
马克斯。
7
9
单位
pF
pF
注意：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
0
V
IN
V
CC
所有其他引脚
没有被测= 0 V
0
V
OUT
5.5 V
输出禁用
分钟。
2.4
—
–10
马克斯。
—
0.4
10
mA
–10
10
单位
V
输出漏电流
I
LO
4/33
半导体
直流特性2
MSM54C864
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
项（RAM）的
工作电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
待机电流
（ RAS ，
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分）
页面模式电流
（ RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车，T
PC
= t
PC
分）
CAS
前
RAS
刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
前
RAS ，
t
RC
= t
RC
分）
数据传输电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
符号
I
CC1
I
CC1A
I
CC2
I
CC2A
I
CC3
I
CC3A
I
CC4
I
CC4A
I
CC5
I
CC5A
I
CC6
I
CC6A
-70
85
120
8
50
85
120
70
120
85
120
85
120
-80
75
110
8
45
75
110
65
110
75
110
75
110
-10
65
100
8
40
65
100
60
100
65
100
65
100
mA
最大。最大。最大。
单位注
1, 2
1, 2
3
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
5/33
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