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E2L0016-17-Y1
半导体
MSM548262
半导体
262,144-Word
8位的多端口DRAM的
这个版本： 1998年1月
MSM548262
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM548262是2兆位的CMOS多端口DRAM由8位组成的262144字的
动态RAM ，和一个512字由8位的SAM 。它的RAM和SAM独立运作，
异步。
它支持三种类型的操作：随机存取的RAM端口，高速串行访问
SAM端口和数据的任何选择的行之间在RAM端口双向传送和
SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式中， MSM548262
功能块写入，闪存写入功能的双口RAM和分裂的数据传输能力上
在SAM端口。 SAM端口不需要刷新操作，因为它使用静态CMOS倒装
无人问津。
特点
RAS
只刷新
单电源供电： 5 V
±10%
CAS
前
RAS
刷新
完全兼容TTL
隐藏刷新
多端口企业
串行读/写
RAM ： 256K字
8位
512抽头位置
SAM ： 512字
8位
双向数据传输
快速页模式
分割转让
每位写
蒙面写传输
屏蔽的flash写
刷新： 512次/ 8毫秒
蒙面块写
封装选项：
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM548262 - xxJS ）
40分之44引脚400密耳的塑料TSOP （II型） （ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM548262 - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548262-60
MSM548262-70
MSM548262-80
存取时间
内存
60纳秒
70纳秒
80纳秒
SAM
17纳秒
17纳秒
20纳秒
周期
内存
120纳秒
140纳秒
150纳秒
SAM
22纳秒
22纳秒
25纳秒
功耗
操作
140毫安
130毫安
120毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/37
 

半导体
MSM548262
引脚配置（顶视图）
V
CC
SC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
V
SS
SDQ8
SDQ7
SDQ6
SDQ5
SE
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
V
SS
DSF
NC
CAS
QSF
A0
A1
A2
A3
V
SS
SDQ1
SDQ2
SDQ3
SDQ4
TRG
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
V
SS
WE
RAS
A8
A7
A6
A5
A4
V
CC
38
37
36
35
34
33
32
31
V
CC
SC
SDQ1
SDQ2
SDQ3
SDQ4
TRG
DQ1
DQ2
DQ3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
V
SS
SDQ8
SDQ7
SDQ6
SDQ5
SE
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
DQ4
V
SS
WE
RAS
A8
A7
A6
A5
A4
V
CC
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DSF
NC
CAS
QSF
A0
A1
A2
A3
V
SS
40分之44引脚塑料TSOP （ II ）
（K型）
40引脚塑料SOJ
引脚名称
A0 - A8
DQ1 - DQ8
SDQ1 - SDQ8
RAS
CAS
WE
TRG
功能
地址输入
RAM输入/输出
SAM输入/输出
行地址选通
列地址选通
写使能
转让/输出使能
引脚名称
SC
SE
DSF
QSF
V
CC
V
SS
NC
功能
串行时钟
SAM端口启用
特殊功能输入
特殊功能输出
供电（ 5 V ）
接地（ 0 V ）
无连接
注意：
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销，并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
2/37
框图
半导体
COLUMN
地址
卜FF器
列解码器
块写
控制
I / O控制
列面膜
注册
套色
屏蔽寄存器
RAM输入
卜FF器
DQ 1 - 8
RAM输出
卜FF器
感测放大器。
行解码器
ROW
地址
卜FF器
512
512
8
RAM阵列
Flash写
控制
SAM输入
卜FF器
SDQ 1 - 8
SAM输出
卜FF器
定时
发电机
A0 - A8
刷新
计数器
门
SAM
门
SAM
RAS
CAS
TRG
WE
DSF
SC
SE
串行解码器
SAM
地址
卜FF器
SAM地址
计数器
QSF
SAM停止
控制
V
CC
MSM548262
V
SS
3/37
半导体
MSM548262
电气特性
绝对最大额定值
（注：1）
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C） （注2 ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.4
–1.0
典型值。
5.0
—
—
马克斯。
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ， F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
参数
输入电容
输入/输出电容
输出电容
符号
C
i
C
io
C
o
（ QSF ）
分钟。
—
—
—
马克斯。
8
9
9
单位
pF
pF
pF
注意：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
0
V
IN
V
CC
所有其它引脚不
被测= 0V
0
V
OUT
5.5 V
输出禁用
分钟。
2.4
—
–10
马克斯。
—
0.4
10
mA
–10
10
单位
V
输出漏电流
I
LO
4/37
半导体
直流特性2
MSM548262
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
项（RAM）的
工作电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
待机电流
（ RAS ，
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分）
页面模式电流
（ RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车，T
PC
= t
PC
分）
CAS
前
RAS
刷新当前
（ RAS骑自行车，
CAS
前
RAS ，
t
RC
= t
RC
分）
数据传输电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
闪存的写入电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
块写入电流
（ RAS ，
CAS
骑自行车，T
RC
= t
RC
分）
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
符号
I
CC1
I
CC1
A
I
CC2
I
CC2
A
I
CC3
I
CC3
A
I
CC4
I
CC4
A
I
CC5
I
CC5
A
I
CC6
I
CC6
A
I
CC7
I
CC7
A
I
CC8
I
CC8
A
-60
95
140
8
60
95
140
75
140
95
140
95
140
95
140
95
140
-70
85
130
8
55
85
130
70
130
85
130
85
130
85
130
85
130
-80
75
120
8
50
75
120
65
120
75
120
75
120
75
120
75
120
mA
3, 4
3, 4
17
3, 4
18
3, 4
3, 4
3, 4
17
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
最大。最大。最大。
单位注
3, 4
17
5/37
查看更多MSM548262-60JSPDF信息
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