【E2L0043-17-Y1半导体MSM548128BL半导体131,072-Word8位高速PSRA】,IC型号MSM548128BL,MSM548128BL PDF资料,MSM548128BL经销商,ic,电子元器件-51电子网

E2L0043-17-Y1

半导体

MSM548128BL

半导体

131,072-Word

8位高速PSRAM

这个版本： 1998年1月

MSM548128BL

上一版本： 1996年12月

描述

该MSM548128BL是1兆位，高速，低功耗的CMOS伪静态RAM举办

作为131,072字

8-bit.

该MSM548128BL采用硅栅N阱CMOS工艺制造。这个过程中，耦接

使用单晶体管存储器的存储单元，允许最大的电路密度，最小的芯片

尺寸和高的速度。

MSM548128BL具有自刷新模式时，除了地址刷新模式和自动刷新

模式。在自刷新模式中，内部刷新定时器和地址计数器刷新动态

自动记忆细胞。该系列实现了低功耗的待机使用时，

模式与自刷新。

该MSM548128BL还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到

在上升沿存储单元

WE 。

该MSM548128BL的引脚与CMOS静态RAM和256K伪静态RAM兼容。

特点

大容量

快速存取时间

低功耗

刷新免费

引脚兼容

逻辑兼容

单电源供电

刷新

兼容包

封装选项：

32引脚600密耳的塑料DIP

32引脚525密耳的塑料SOP

:

1兆位（ 131,072字

8比特）

70 ns（最大值）。

200

A

最大。（待机与自刷新）

自刷新

SRAM ， PSRAM 256K

SRAM

WE

脚，没有地址复用

5 V

±10%

512周期/ 8毫秒自动刷新地址

SRAM标准套餐

(DIP32-P-600-2.54)

（产品： MSM548128BL - xxRS ）

（ SOP32 -P- 525-1.27 -K）个（产品： MSM548128BL - xxGS -K）个

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

MSM548128BL-70RS

MSM548128BL-80RS

MSM548128BL-70GS-K

MSM548128BL-80GS-K

访问时间（最大值）。

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

包

600万32针

塑料DIP

525万32针

塑料SOP

1/12

半导体

MSM548128BL

引脚配置（顶视图）

RFSH

1

A

16

2

A

14

3

A

12

4

A

7

5

A

6

A

5

7

A

4

8

A

3

9

A

2

10

A

1

11

A

0

12

I / O

0

13

I / O

1

14

I / O

2

15

V

SS

16

32引脚塑料DIP

32 V

CC

31 A

15

30 CS

29

WE

28 A

13

27 A

8

26 A

9

25 A

11

24

OE

23 A

10

22

CE

21 I / O

7

20 I / O

6

19 I / O

5

18 I / O

4

17 I / O

3

RFSH

1

A

16

2

A

14

3

A

12

4

A

7

5

A

6

A

5

7

A

4

8

A

3

9

A

2

10

A

1

11

A

0

12

I / O

0

13

I / O

1

14

I / O

2

15

V

SS

16

,

32引脚塑料SOP

32 V

CC

31 A

15

30 CS

29

WE

28 A

13

27 A

8

26 A

9

25 A

11

24

OE

23 A

10

22

CE

21 I / O

7

20 I / O

6

19 I / O

5

18 I / O

4

17 I / O

3

引脚名称

A

0

- A

16

I / O

0

- I / O

7

RFSH

CE

OE

WE

CS

V

CC

V

SS

功能

地址输入

数据输入/输出

刷新输入

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

片选输入

电源电压（ 5V）

接地（ 0 V ）

2/12

半导体

MSM548128BL

框图

A

0

地址

LATCH

控制

A

8

ROW

解码器

存储矩阵

(512

256)

8

I / O

0

输入

数据

控制

列I / O

I / O

7

列解码器

地址锁存控制

A

9

A

16

RFSH

刷新

控制

CE

CS

OE

WE

读/写控制

定时脉冲发生器

3/12

半导体

MSM548128BL

功能表

CE

L

H

CS （ CE低）

H

L

X

RFSH

X

L

H

OE

L

X

H

X

WE

H

L

H

X

I / O引脚

低Z

高-Z

模式

读

写

—

CS待机

刷新

待机

L：低电平输入

H：高电平输入

X：无关

电气特性

绝对最大额定值

参数

从V任意引脚电压

SS

*1

功耗

工作温度

储存温度

存储温度（偏）

短路输出电流

符号

V

T

P

D

T

OPR

T

英镑

T

BIAS

I

OS

等级

-1.0 7.0

1.0

0到70

-55至125

-10到85

50

单位

V

W

°C

mA

*1

注意：

到V

SS

如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏

超标。功能操作应限制的条件详

本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

（大= 0 ° C至70 ° C）

分钟。

4.5

0

2.4

–0.5

典型值。

5.0

0

—

马克斯。

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

符号

V

CC

V

SS

V

IH

V

IL

4/12

半导体

MSM548128BL

DC特性

参数

工作电流

符号

I

CC1

I

SB1

待机电流

I

SB2

I

CC2

自刷新电流

I

CC3

输入漏电流

输出漏电流

输出低电平

输出高电平

I

LI

I

LO

V

OL

V

OH

—

–10

—

2.4

100

—

200

10

0.4

—

100

1

200

2

分钟。

—

典型值。

60

1

马克斯。

85

2

(V

CC

= 5 V ±10%, V

SS

= 0 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）

单位

mA

V

条件

I

I / O

=开放，T

CYC

=最小值。

CE

= V

IH

,

RFSH

= V

IH

,

V

IN

≥

0 V

CE

≥

V

CC

– 0.2 V,

RFSH

≥

V

CC

– 0.2 V, V

IN

≥

0 V

CE

= V

IH

,

RFSH

= V

IL

,

V

IN

≥

0 V

CE

≥

V

CC

– 0.2 V, V

IN

≥

0 V,

RFSH

0.2 V

V

CC

= 5.5 V, V

IN

= V

SS

到V

CC

OE

= V

IH

, V

I / O

= V

SS

到V

CC

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1毫安

电容

参数

输入电容

I / O引脚的电容

符号

C

IN

C

I / O

条件

V

IN

= 0 V

V

I / O

= 0 V

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

8

10

单位

pF

注意：

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

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半导体

MSM548128BL

半导体

131,072-Word

8位高速PSRAM

这个版本： 1998年1月

MSM548128BL

上一版本： 1996年12月

描述

该MSM548128BL是1兆位，高速，低功耗的CMOS伪静态RAM举办

作为131,072字

8-bit.

该MSM548128BL采用硅栅N阱CMOS工艺制造。这个过程中，耦接

使用单晶体管存储器的存储单元，允许最大的电路密度，最小的芯片

尺寸和高的速度。

MSM548128BL具有自刷新模式时，除了地址刷新模式和自动刷新

模式。在自刷新模式中，内部刷新定时器和地址计数器刷新动态

自动记忆细胞。该系列实现了低功耗的待机使用时，

模式与自刷新。

该MSM548128BL还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到

在上升沿存储单元

WE 。

该MSM548128BL的引脚与CMOS静态RAM和256K伪静态RAM兼容。

特点

大容量

快速存取时间

低功耗

刷新免费

引脚兼容

逻辑兼容

单电源供电

刷新

兼容包

封装选项：

32引脚600密耳的塑料DIP

32引脚525密耳的塑料SOP

:

1兆位（ 131,072字

8比特）

70 ns（最大值）。

200

A

最大。（待机与自刷新）

自刷新

SRAM ， PSRAM 256K

SRAM

WE

脚，没有地址复用

5 V

±10%

512周期/ 8毫秒自动刷新地址

SRAM标准套餐

(DIP32-P-600-2.54)

（产品： MSM548128BL - xxRS ）

（ SOP32 -P- 525-1.27 -K）个（产品： MSM548128BL - xxGS -K）个

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

MSM548128BL-70RS

MSM548128BL-80RS

MSM548128BL-70GS-K

MSM548128BL-80GS-K

访问时间（最大值）。

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

包

600万32针

塑料DIP

525万32针

塑料SOP

1/12

半导体

MSM548128BL

引脚配置（顶视图）

RFSH

1

A

16

2

A

14

3

A

12

4

A

7

5

A

6

A

5

7

A

4

8

A

3

9

A

2

10

A

1

11

A

0

12

I / O

0

13

I / O

1

14

I / O

2

15

V

SS

16

32引脚塑料DIP

32 V

CC

31 A

15

30 CS

29

WE

28 A

13

27 A

8

26 A

9

25 A

11

24

OE

23 A

10

22

CE

21 I / O

7

20 I / O

6

19 I / O

5

18 I / O

4

17 I / O

3

RFSH

1

A

16

2

A

14

3

A

12

4

A

7

5

A

6

A

5

7

A

4

8

A

3

9

A

2

10

A

1

11

A

0

12

I / O

0

13

I / O

1

14

I / O

2

15

V

SS

16

,

32引脚塑料SOP

32 V

CC

31 A

15

30 CS

29

WE

28 A

13

27 A

8

26 A

9

25 A

11

24

OE

23 A

10

22

CE

21 I / O

7

20 I / O

6

19 I / O

5

18 I / O

4

17 I / O

3

引脚名称

A

0

- A

16

I / O

0

- I / O

7

RFSH

CE

OE

WE

CS

V

CC

V

SS

功能

地址输入

数据输入/输出

刷新输入

芯片使能输入

输出使能输入

写使能输入

片选输入

电源电压（ 5V）

接地（ 0 V ）

2/12

半导体

MSM548128BL

框图

A

0

地址

LATCH

控制

A

8

ROW

解码器

存储矩阵

(512

256)

8

I / O

0

输入

数据

控制

列I / O

I / O

7

列解码器

地址锁存控制

A

9

A

16

RFSH

刷新

控制

CE

CS

OE

WE

读/写控制

定时脉冲发生器

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半导体

MSM548128BL

功能表

CE

L

H

CS （ CE低）

H

L

X

RFSH

X

L

H

OE

L

X

H

X

WE

H

L

H

X

I / O引脚

低Z

高-Z

模式

读

写

—

CS待机

刷新

待机

L：低电平输入

H：高电平输入

X：无关

电气特性

绝对最大额定值

参数

从V任意引脚电压

SS

*1

功耗

工作温度

储存温度

存储温度（偏）

短路输出电流

符号

V

T

P

D

T

OPR

T

英镑

T

BIAS

I

OS

等级

-1.0 7.0

1.0

0到70

-55至125

-10到85

50

单位

V

W

°C

mA

*1

注意：

到V

SS

如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏

超标。功能操作应限制的条件详

本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

（大= 0 ° C至70 ° C）

分钟。

4.5

0

2.4

–0.5

典型值。

5.0

0

—

马克斯。

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

符号

V

CC

V

SS

V

IH

V

IL

4/12

半导体

MSM548128BL

DC特性

参数

工作电流

符号

I

CC1

I

SB1

待机电流

I

SB2

I

CC2

自刷新电流

I

CC3

输入漏电流

输出漏电流

输出低电平

输出高电平

I

LI

I

LO

V

OL

V

OH

—

–10

—

2.4

100

—

200

10

0.4

—

100

1

200

2

分钟。

—

典型值。

60

1

马克斯。

85

2

(V

CC

= 5 V ±10%, V

SS

= 0 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）

单位

mA

V

条件

I

I / O

=开放，T

CYC

=最小值。

CE

= V

IH

,

RFSH

= V

IH

,

V

IN

≥

0 V

CE

≥

V

CC

– 0.2 V,

RFSH

≥

V

CC

– 0.2 V, V

IN

≥

0 V

CE

= V

IH

,

RFSH

= V

IL

,

V

IN

≥

0 V

CE

≥

V

CC

– 0.2 V, V

IN

≥

0 V,

RFSH

0.2 V

V

CC

= 5.5 V, V

IN

= V

SS

到V

CC

OE

= V

IH

, V

I / O

= V

SS

到V

CC

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1毫安

电容

参数

输入电容

I / O引脚的电容

符号

C

IN

C

I / O

条件

V

IN

= 0 V

V

I / O

= 0 V

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

8

10

单位

pF

注意：

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

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