E2L0052-17-Y1
半导体
半导体
MSM5432126A
描述
这个版本： 1998年1月
MSM5432126A
e
Pr
LIM
y
ar
in
131,072-Word
32位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM5432126A是一个图形DRAM组织在131,072字
32位配置。
用于制造MSM5432126A技术是OKI的CMOS硅栅工艺
技术。该器件采用5 V单电源供电。
特点
131,072字
32位组织
5 V单电源供电，
±10%
公差
刷新： 512次/ 8毫秒
使用扩展数据输出快速页面模式（ EDO ）
字节写入，读出字节
RAS
只刷新
CAS
前
RAS
刷新
隐藏刷新
封装选项：
64引脚525密耳的塑料SSOP
(SSOP64-P-525-0.80-K)
（产品： MSM5432126A - xxGS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5432126A-40
MSM5432126A-45
MSM5432126A-50
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
40纳秒20纳秒11纳秒11纳秒
45纳秒23纳秒13纳秒13纳秒
50纳秒25纳秒15纳秒15纳秒
周期
（分）
80纳秒
90纳秒
100纳秒
功耗
操作（最大）待机（最大）
1100毫瓦
1045毫瓦
990毫瓦
11毫瓦
1/24
半导体
MSM5432126A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
3.0
–0.3
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
V
CC
+ 1.0
0.3
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
IO
典型值。
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
8
9
单位
pF
pF
4/24
半导体
DC特性
MSM5432126A
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
符号
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
0 V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
CC
;
所有其它引脚不
被测= 0V
0 V
＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
5.5 V
输出禁用
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS
≥
V
CC
– 0.2 V,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
RAS
=骑自行车，
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
RAS
=骑自行车，
CAS
前
RAS
MSM5432126A MSM5432126A MSM5432126A
单位注
-40
-45
-50
V
OH
V
OL
I
LI
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
2.0
V
CC
2.0
2.0
V
CC
V
CC
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
V
V
mA
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（仅RAS刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
190
—
180
—
170
毫安1,2 ， 3
I
CC2
—
2
—
2
—
2
mA
I
CC3
—
190
—
180
—
170
毫安1,2 ， 3
I
CC4
—
200
—
190
—
180
毫安1 ，2，4
I
CC5
—
190
—
180
—
170
毫安1 ，2，4
注意事项：
指定的值与最小循环时间得到。
I
CC
依赖于输出负载。指定的值与所获得的
输出开路。
3.
地址可以一次或更少，而改变
RAS
= V
IL
.
4.
地址可以一次或更少，而改变
CAS
= V
IH
.
1.
2.
5/24
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半导体
半导体
MSM5432126A
描述
这个版本： 1998年1月
MSM5432126A
e
Pr
LIM
y
ar
in
131,072-Word
32位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM5432126A是一个图形DRAM组织在131,072字
32位配置。
用于制造MSM5432126A技术是OKI的CMOS硅栅工艺
技术。该器件采用5 V单电源供电。
特点
131,072字
32位组织
5 V单电源供电，
±10%
公差
刷新： 512次/ 8毫秒
使用扩展数据输出快速页面模式（ EDO ）
字节写入，读出字节
RAS
只刷新
CAS
前
RAS
刷新
隐藏刷新
封装选项：
64引脚525密耳的塑料SSOP
(SSOP64-P-525-0.80-K)
（产品： MSM5432126A - xxGS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5432126A-40
MSM5432126A-45
MSM5432126A-50
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
40纳秒20纳秒11纳秒11纳秒
45纳秒23纳秒13纳秒13纳秒
50纳秒25纳秒15纳秒15纳秒
周期
（分）
80纳秒
90纳秒
100纳秒
功耗
操作（最大）待机（最大）
1100毫瓦
1045毫瓦
990毫瓦
11毫瓦
1/24
半导体
MSM5432126A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
3.0
–0.3
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
V
CC
+ 1.0
0.3
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
IO
典型值。
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
8
9
单位
pF
pF
4/24
半导体
DC特性
MSM5432126A
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
符号
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
0 V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
CC
;
所有其它引脚不
被测= 0V
0 V
＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
5.5 V
输出禁用
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS
≥
V
CC
– 0.2 V,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
RAS
=骑自行车，
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
RAS
=骑自行车，
CAS
前
RAS
MSM5432126A MSM5432126A MSM5432126A
单位注
-40
-45
-50
V
OH
V
OL
I
LI
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
2.0
V
CC
2.0
2.0
V
CC
V
CC
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
0
–10
0.8
10
V
V
mA
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（仅RAS刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
190
—
180
—
170
毫安1,2 ， 3
I
CC2
—
2
—
2
—
2
mA
I
CC3
—
190
—
180
—
170
毫安1,2 ， 3
I
CC4
—
200
—
190
—
180
毫安1 ，2，4
I
CC5
—
190
—
180
—
170
毫安1 ，2，4
注意事项：
指定的值与最小循环时间得到。
I
CC
依赖于输出负载。指定的值与所获得的
输出开路。
3.
地址可以一次或更少，而改变
RAS
= V
IL
.
4.
地址可以一次或更少，而改变
CAS
= V
IH
.
1.
2.
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