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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
222,720-Word
×
24位字段存储
这个版本: 2000年9月
概述
该MSM5424331是(由290行×768像素)组织为222720的图像数据处理场存储器24
位,可以在FIFO模式,其中MSM5424331被用作一个普通的场存储器和一个之间进行切换
阻止访问模式,其中MSM5424331可以很容易地与个人计算机等交换数据。
串行写入在和串行读数从MSM5424331通过线路进行线路。在FIFO模式中,任何一行
可通过串行地址输入指定其地址被选择。在该块访问方式,任何线路或
字地址( 10比特) ,其可通过地址多路转换器输入的地址被置位。
如在块访问模式的MSM5424331可以通过控制
RAS
CAS
信号,它可以轻松连接
到MPU 。
该MSM5424331包含动态存储单元。在FIFO模式下,该存储单元是自动
由自刷新控制电路进行刷新,而是在块访问模式时,存储器单元必须由被刷新
CAS
RAS
刷新功能。
该MSM5424331不高的最终用途而设计在这些应用中的医疗系统,专业图形
这需要长期图象存储,数据存储系统和其他系统。
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
特点
由D FIFO和数据块存取模式之间的切换/女脚
FIFO模式:
串行写入/逐行逐线访问读操作
块访问模式:快速读/写操作由一个8字的基础
RAS
CAS
控制
768组织
×
290
×
24位
FIFO模式:输入
×
12
×
24控制
L / UWE
产量
×
24
块访问模式:输入
×
12 (二768
×
290
×
12位组由控制
L / UWE )。
产量
×
12 (二768
×
290
×
12位组由A9的控制。 )
异步操作
输入和输出异步操作只允许在FIFO模式单写或读操作
块访问模式
串口读写周期时间(在FIFO模式和块访问模式)
周期时间: 60纳秒
访问时间: 50 ns的
工作电源电压: 2.8 3.3 V
刷新
FIFO模式:
自刷新
块访问模式:通过
CAS
RAS
刷新功能( 290次/ 8毫秒)
地址输入
FIFO模式:
由串行地址输入设置随机行地址
块访问模式:通过在地址多路复用器设置随机地址
RAS
CAS
控制
可选串行地址输入设置或各种地址复位在FIFO模式
包装:
70针400密耳的塑料TSOP (类型2) ( TSOP (2) 70 -P- 400-0.50 -K)个(产品: MSM5424331TS - AK)的
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
引脚配置(顶视图)
RADE / RX 1
RCLK 2
RE
DO0[DQ0]
DO1[DQ1]
DO2[DQ2]
DO3[DQ3]
DO4[DQ4]
DO5[DQ5]
V
SS
DO6[DQ6]
DO7[DQ7]
DO8[DQ8]
DO9[DQ9]
DO10[DQ10]
DO11[DQ11]
V
CC
V
CC
DO12
DO13
DO14
DO15
DO16
DO17
V
CC
DO18
DO19
DO20
DO21
DO22
DO23
WXINC
WR / TR
WADE / RX
WXAD
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
70 RXAD
69 RR
68 RXINC
67 V
SS
66 D / F
65 DIN0 [ RAS ]
64 DIN1 [CAS ]
63 DIN2 [ A0 ]
62 DIN3 〔 A1〕
61 DIN4 〔A2〕
60 DIN5 [ A3 ]
59 DIN6 [A4]
58 DIN7 [ A5 ]
57 DIN8 〔A6〕
56 DIN9 [ A7 ]
55 DIN10 [ A8 ]
54 DIN11 [ A9 ]
53 WAIT
52 V
SS
51 DIN12
50 DIN13
49 DIN14
48 DIN15
47 DIN16
46 DIN17
45 DIN18
44 DIN19
43 DIN20
42 DIN21
41 DIN22
40 DIN23
39 WCLK
38
LWE
37
UWE
IE 36
70引脚塑料TSOP ( 2 )
(K型)
3/34
FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
引脚名称
FIFO Mode块模式
RCLK
RE
DO0 - 11
DO12 - 23
RR
RXINC
RADE / RX
RXAD
WCLK
LWE
UWE
IE
DIN0
DIN1
DIN2 - 11
DIN12 - 23
WR / TR
WXINC
WADE / RX
WXAD
等待
D / F
V
CC
V
SS
D / F
RAS
CAS
A0 - A9
LWE
UWE
RE
DQ0 - 11
FIFO模式
地址设置循环
阅读X系列地址选通
读地址复位模式使能
阅读X地址增量
阅读X地址输入使能
阅读X地址复位
阅读X串行地址数据
写个串行地址选通
写地址复位模式使能
写X地址增量
写X地址输入使能
写X地址复位
写个串行地址数据
模式转换(D / F = L)
电源电压( 3.0 V)
接地( 0 V )
串行读/写周期
串行读时钟
读使能
数据输出
数据输出
串行写时钟
写使能
写使能
输入使能
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
写数据传输
块模式
读使能
数据输入/输出
写使能
写使能
X地址选通
Y地址选通
地址输入
外部同步
信号
模式转换( D / F = H )
注意:
相同的电源电压电平必须被设置到每一个V
CC
引脚。
相同的接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
框图
DQ0-11
DOUT12-23
12
DQ0-11
DIN0-11
DOUT0-11
12
DIN12-23
UWE
IE
IE
LWE
RE
12
12
DOUT缓冲区
12
写缓冲器
写缓冲器
12
DOUT缓冲区
阅读注册
U-银行
存储单元阵列
(760
×
290
×
12)
写注册
写注册
L-银行
存储单元阵列
(760
×
290
×
12)
X解码器
X解码器
内存控制器
阅读注册
等待
V
BB
发电机
FIFO模式
控制
块模式
控制
刷新
控制
RAS
CAS
LWE
UWE
D / F
模式
控制
WCLK
WR / TR
WADE / RX
WXAD
WXINC
RCLK
RR
RADE / RX
RXAD
RXINC
A0-A9
RAS
CAS
RE
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
222,720-Word
×
24位字段存储
这个版本: 2000年9月
概述
该MSM5424331是(由290行×768像素)组织为222720的图像数据处理场存储器24
位,可以在FIFO模式,其中MSM5424331被用作一个普通的场存储器和一个之间进行切换
阻止访问模式,其中MSM5424331可以很容易地与个人计算机等交换数据。
串行写入在和串行读数从MSM5424331通过线路进行线路。在FIFO模式中,任何一行
可通过串行地址输入指定其地址被选择。在该块访问方式,任何线路或
字地址( 10比特) ,其可通过地址多路转换器输入的地址被置位。
如在块访问模式的MSM5424331可以通过控制
RAS
CAS
信号,它可以轻松连接
到MPU 。
该MSM5424331包含动态存储单元。在FIFO模式下,该存储单元是自动
由自刷新控制电路进行刷新,而是在块访问模式时,存储器单元必须由被刷新
CAS
RAS
刷新功能。
该MSM5424331不高的最终用途而设计在这些应用中的医疗系统,专业图形
这需要长期图象存储,数据存储系统和其他系统。
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
特点
由D FIFO和数据块存取模式之间的切换/女脚
FIFO模式:
串行写入/逐行逐线访问读操作
块访问模式:快速读/写操作由一个8字的基础
RAS
CAS
控制
768组织
×
290
×
24位
FIFO模式:输入
×
12
×
24控制
L / UWE
产量
×
24
块访问模式:输入
×
12 (二768
×
290
×
12位组由控制
L / UWE )。
产量
×
12 (二768
×
290
×
12位组由A9的控制。 )
异步操作
输入和输出异步操作只允许在FIFO模式单写或读操作
块访问模式
串口读写周期时间(在FIFO模式和块访问模式)
周期时间: 60纳秒
访问时间: 50 ns的
工作电源电压: 2.8 3.3 V
刷新
FIFO模式:
自刷新
块访问模式:通过
CAS
RAS
刷新功能( 290次/ 8毫秒)
地址输入
FIFO模式:
由串行地址输入设置随机行地址
块访问模式:通过在地址多路复用器设置随机地址
RAS
CAS
控制
可选串行地址输入设置或各种地址复位在FIFO模式
包装:
70针400密耳的塑料TSOP (类型2) ( TSOP (2) 70 -P- 400-0.50 -K)个(产品: MSM5424331TS - AK)的
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
引脚配置(顶视图)
RADE / RX 1
RCLK 2
RE
DO0[DQ0]
DO1[DQ1]
DO2[DQ2]
DO3[DQ3]
DO4[DQ4]
DO5[DQ5]
V
SS
DO6[DQ6]
DO7[DQ7]
DO8[DQ8]
DO9[DQ9]
DO10[DQ10]
DO11[DQ11]
V
CC
V
CC
DO12
DO13
DO14
DO15
DO16
DO17
V
CC
DO18
DO19
DO20
DO21
DO22
DO23
WXINC
WR / TR
WADE / RX
WXAD
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
70 RXAD
69 RR
68 RXINC
67 V
SS
66 D / F
65 DIN0 [ RAS ]
64 DIN1 [CAS ]
63 DIN2 [ A0 ]
62 DIN3 〔 A1〕
61 DIN4 〔A2〕
60 DIN5 [ A3 ]
59 DIN6 [A4]
58 DIN7 [ A5 ]
57 DIN8 〔A6〕
56 DIN9 [ A7 ]
55 DIN10 [ A8 ]
54 DIN11 [ A9 ]
53 WAIT
52 V
SS
51 DIN12
50 DIN13
49 DIN14
48 DIN15
47 DIN16
46 DIN17
45 DIN18
44 DIN19
43 DIN20
42 DIN21
41 DIN22
40 DIN23
39 WCLK
38
LWE
37
UWE
IE 36
70引脚塑料TSOP ( 2 )
(K型)
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FEDS5424331-01
1
半导体
MSM5424331
引脚名称
FIFO Mode块模式
RCLK
RE
DO0 - 11
DO12 - 23
RR
RXINC
RADE / RX
RXAD
WCLK
LWE
UWE
IE
DIN0
DIN1
DIN2 - 11
DIN12 - 23
WR / TR
WXINC
WADE / RX
WXAD
等待
D / F
V
CC
V
SS
D / F
RAS
CAS
A0 - A9
LWE
UWE
RE
DQ0 - 11
FIFO模式
地址设置循环
阅读X系列地址选通
读地址复位模式使能
阅读X地址增量
阅读X地址输入使能
阅读X地址复位
阅读X串行地址数据
写个串行地址选通
写地址复位模式使能
写X地址增量
写X地址输入使能
写X地址复位
写个串行地址数据
模式转换(D / F = L)
电源电压( 3.0 V)
接地( 0 V )
串行读/写周期
串行读时钟
读使能
数据输出
数据输出
串行写时钟
写使能
写使能
输入使能
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
写数据传输
块模式
读使能
数据输入/输出
写使能
写使能
X地址选通
Y地址选通
地址输入
外部同步
信号
模式转换( D / F = H )
注意:
相同的电源电压电平必须被设置到每一个V
CC
引脚。
相同的接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
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半导体
MSM5424331
框图
DQ0-11
DOUT12-23
12
DQ0-11
DIN0-11
DOUT0-11
12
DIN12-23
UWE
IE
IE
LWE
RE
12
12
DOUT缓冲区
12
写缓冲器
写缓冲器
12
DOUT缓冲区
阅读注册
U-银行
存储单元阵列
(760
×
290
×
12)
写注册
写注册
L-银行
存储单元阵列
(760
×
290
×
12)
X解码器
X解码器
内存控制器
阅读注册
等待
V
BB
发电机
FIFO模式
控制
块模式
控制
刷新
控制
RAS
CAS
LWE
UWE
D / F
模式
控制
WCLK
WR / TR
WADE / RX
WXAD
WXINC
RCLK
RR
RADE / RX
RXAD
RXINC
A0-A9
RAS
CAS
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSM5424331TS-AK
    -
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    -
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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MSM5424331TS-AK
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